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如何把握5G基礎設施市場機遇?Qorvo IDP高性能解決方案總經(jīng)理這么說

章鷹觀察 ? 來源:Qorvo半導體 ? 作者:Qorvo半導體 ? 2018-06-26 18:19 ? 次閱讀
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隨著市場的發(fā)展,5G已經(jīng)呼之欲出,基礎設施市場的機會也在逐年增加,其中MIMO PA年復合增長率將達到135%,射頻前端模塊的年復合增長率將達到119%。

面對巨大的市場潛力,Qorvo在IDP(Infrastructure & Defense Products)領域一直秉承著推動可持續(xù)發(fā)展的戰(zhàn)略,提供最新的產(chǎn)品和技術,與客戶建立一種互惠互利的關系,以達到共贏。近日,Qorvo IDP 高性能解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Roger Hall便與諸多媒體共聚一堂,分享了Qorvo在基礎設施領域最新的產(chǎn)品與技術動態(tài)。

全線射頻技術布局,提供更高整合度解決方案

Roger指出,5G時代的技術發(fā)展其中很大部分是由Qorvo所推動,在現(xiàn)有基站基礎上發(fā)展起來的,能夠幫助消費者實現(xiàn)更高效的設備使用。此外,Qorvo還可以給無線電提供新的RF產(chǎn)品,希望能和客戶共同開發(fā)集成式/系統(tǒng)級的解決方案,降低他們的成本,包括移動設備解決方案。

同時,RF產(chǎn)品還需要盡可能的綠色環(huán)保,因為降低功耗也是消費者的需求之一。目前,硅基技術已經(jīng)很成熟了,但Qorvo希望能夠選擇更綠色低能耗的解決方案,如何把RF元件整合于一個系統(tǒng)十分關鍵,Roger在分享中也一直在強調“系統(tǒng)解決方案”的重要性。他認為Qorvo不僅只是提供產(chǎn)品,更重要的是要幫助客戶找到最好的解決方案。因為射頻系統(tǒng)非常復雜,尤其是那些需要使用高載波頻率和寬頻帶的新技術,包括載波聚合,massive MIMO以及5G。為了讓RF器件更好地工作在一個系統(tǒng)中,Qorvo在先進封裝技術上投入很大,同時也在提高芯片的集成度以幫助客戶在一塊芯片上集成更多器件,如此一來,客戶在使用這些器件時就會簡單許多。

作為全球技術領先的IDM大廠,Qorvo確實有實力為客戶提供完整的解決方案。目前,Qorvo的產(chǎn)品種類已經(jīng)全面覆蓋使用多種工藝(GaN,GaAs等)實現(xiàn)的功放,收發(fā)器,LNA,射頻開關,以及BAW和SAW濾波器。每一個產(chǎn)品種類下都有豐富的產(chǎn)品型號,并在射頻鏈路中占據(jù)重要地位。除了有先進的技術研發(fā)外,Qorvo還擁有獨立的封裝廠和制造廠,有利于控制成本和穩(wěn)定質量,加快高集成度產(chǎn)品的研發(fā)進度。

5G來臨,GaN將在射頻應用中脫穎而出?

談及5G應用,Roger指出了三大不同領域:提升了的移動寬帶、大規(guī)模物聯(lián)網(wǎng)與關鍵業(yè)務服務,每一個領域都會有不同的應用方向,會使用不同的部署方案。他舉例說到,在中國消費者會更關注如何來提升自己的效率和生產(chǎn)率,而美國可能會更關注如何提升用戶體驗。正是由于不同國家有不同的需求,Qorvo在全球的產(chǎn)品與方案部署上也會有所側重。

不過,毋庸置疑的無論是在中國還是美國,運營商們都在緊鑼密鼓加速部署5G,在這個領域也有許多不同的技術與解決方案。據(jù)Roger介紹,未來5G基站的天線口等效功率(EIRP)為65dBm,那我們則可以通過PA功率—天線陣列有源元件圖曲線了解不同技術方案所需要的元件數(shù)量,推測在什么條件下使用氮化鎵,砷化鎵,鍺化硅等,也可以看到在哪種解決方案可以得到最低的功耗,然后選擇出合適的技術。

如果利用不同材料的MIMO天線圖進行對比更加直觀:SiGe基MIMO天線有1024個元件,裸片面積為4096平方毫米,輻射功率是65dbm;如果利用GaN基MIMO天線,功耗能夠減少40%,裸片面積減少94%,而成本也能減少80%。實際上,Qorvo一直在為幫助消費者選擇合適的技術解決方案而不斷努力。

Q:目前市場上的GaN功率組件以GaN-on-SiC及GaN-on-Si兩種晶圓進行制造,兩者如何選擇?Qorvo是如何布局的?

Roger:Qorvo沒有反對碳基、硅基氮化鎵,但是現(xiàn)在會更傾向于碳化硅基氮化鎵作為將來發(fā)展的方向,如果生產(chǎn)量上去的話,成本應該能夠降下來。Qorvo也始終把自己當做一個很好的中間商,希望找到最低的成本,最高效的技術,并把它整合為集成式的系統(tǒng)解決方案,為用戶帶來最好性能的整合以及技術核心。

此前,Qorvo推出了業(yè)界首款適用于 39GHz 5G 頻段的碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 前端模塊 (FEM) 。這款 FEM 設計獨特,在小尺寸里集成了兩個強大的多功能 GaN MMIC,解決了電信設備制造商在設計 5G 基站時面臨的復雜挑戰(zhàn)。

現(xiàn)在,Qorvo也在積極向市場推出28GHz的前端模塊。據(jù)Roger介紹,該前端模塊更大可能應用于基站,因為GaN所要求的工作電壓遠大于手機電壓,所以不太可能用作手機功放,但Qorvo也正在積極思考是否能夠找到合適的技術并且將GaN運用至更廣泛的領域。

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