引言
在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中,光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用,但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對(duì)銅產(chǎn)生腐蝕,影響器件性能。同時(shí),光刻圖形的精準(zhǔn)測(cè)量對(duì)確保 ARRAY 制程工藝精度至關(guān)重要。本文將介紹用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液,并探討白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用。
用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液
配方設(shè)計(jì)
低銅腐蝕光刻膠剝離液需兼顧光刻膠溶解能力與銅保護(hù)性能。其主要成分包括有機(jī)溶劑、堿性活性物質(zhì)、銅緩蝕劑和表面活性劑。有機(jī)溶劑(如二甲基亞砜)可高效溶解光刻膠;堿性活性物質(zhì)(如四甲基氫氧化銨)加速光刻膠分解;銅緩蝕劑(如苯并三氮唑及其衍生物)能在銅表面形成致密保護(hù)膜,抑制銅的腐蝕反應(yīng);表面活性劑可降低表面張力,增強(qiáng)剝離液對(duì)光刻膠的滲透能力 。
制備方法
在潔凈的反應(yīng)容器中,先加入定量的有機(jī)溶劑,開(kāi)啟攪拌裝置。緩慢加入堿性活性物質(zhì),充分混合均勻。接著,依次添加銅緩蝕劑和表面活性劑,持續(xù)攪拌 40 - 60 分鐘,確保各成分充分溶解且分散均勻。制備過(guò)程需嚴(yán)格控制溫度在 25 - 35℃,防止因溫度過(guò)高影響緩蝕劑等成分的性能。
低銅腐蝕光刻膠剝離液的應(yīng)用
在 ARRAY 制程工藝中,該剝離液可有效去除光刻膠。以 TFT - LCD 面板制造為例,在銅布線光刻膠剝離過(guò)程中,低銅腐蝕光刻膠剝離液能快速溶解光刻膠,同時(shí)對(duì)銅布線的腐蝕速率極低,有效保障銅布線的完整性和導(dǎo)電性,避免因銅腐蝕導(dǎo)致的線路短路、斷路等問(wèn)題,提高顯示面板的良品率和穩(wěn)定性。
白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用
測(cè)量原理
白光干涉儀基于白光干涉原理,通過(guò)比較參考光束與樣品表面反射光束的光程差,將光強(qiáng)分布轉(zhuǎn)化為樣品表面高度信息,實(shí)現(xiàn)對(duì)光刻圖形形貌的高精度測(cè)量。其測(cè)量精度可達(dá)納米級(jí),能夠滿足 ARRAY 制程工藝中微小光刻圖形結(jié)構(gòu)的檢測(cè)需求。
測(cè)量過(guò)程
將 ARRAY 制程工藝后的待測(cè)光刻樣品放置于白光干涉儀載物臺(tái)上,利用儀器自帶顯微鏡初步定位測(cè)量區(qū)域。精確調(diào)節(jié)干涉儀的光路參數(shù),獲取清晰的干涉條紋圖像。通過(guò)專業(yè)軟件對(duì)干涉圖像進(jìn)行處理,運(yùn)用相位解包裹等算法,精確計(jì)算出光刻圖形的深度、寬度、側(cè)壁角度等關(guān)鍵參數(shù),為 ARRAY 制程工藝的優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支持。
優(yōu)勢(shì)
白光干涉儀采用非接觸式測(cè)量,避免了對(duì)光刻圖形的物理?yè)p傷,適合 ARRAY 制程工藝中脆弱光刻結(jié)構(gòu)的檢測(cè);測(cè)量速度快,可實(shí)現(xiàn)對(duì)光刻圖形的快速批量檢測(cè),滿足生產(chǎn)線上高效檢測(cè)需求;其三維表面形貌可視化功能,能直觀呈現(xiàn)光刻圖形的質(zhì)量狀況,便于工程師及時(shí)發(fā)現(xiàn)并解決工藝問(wèn)題 。
TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀
一款可以“實(shí)時(shí)”動(dòng)態(tài)/靜態(tài) 微納級(jí)3D輪廓測(cè)量的白光干涉儀
1)一改傳統(tǒng)白光干涉操作復(fù)雜的問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)一鍵智能聚焦掃描,亞納米精度下實(shí)現(xiàn)卓越的重復(fù)性表現(xiàn)。
2)系統(tǒng)集成CST連續(xù)掃描技術(shù),Z向測(cè)量范圍高達(dá)100mm,不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率,為復(fù)雜形貌測(cè)量提供全面解決方案。
3)可搭載多普勒激光測(cè)振系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)“動(dòng)態(tài)”3D輪廓測(cè)量。

實(shí)際案例

1,優(yōu)于1nm分辨率,輕松測(cè)量硅片表面粗糙度測(cè)量,Ra=0.7nm

2,毫米級(jí)視野,實(shí)現(xiàn)5nm-有機(jī)油膜厚度掃描

3,卓越的“高深寬比”測(cè)量能力,實(shí)現(xiàn)光刻圖形凹槽深度和開(kāi)口寬度測(cè)量。
審核編輯 黃宇
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