說明1：DM9051ANX可節(jié)省4個(gè)電阻、2個(gè)電容、1個(gè)EERPOM、1個(gè)匹配電阻、1個(gè)3.3V轉(zhuǎn)1.8V電平轉(zhuǎn)換。?

說明2：原本舊版已是MCU單片機(jī)、SoC (FreeRTOS)以及CPU (Linux)的官方參考設(shè)計(jì)，DM9051ANX可沿用平臺系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)，直接使用、無縫接軌，讓用戶的項(xiàng)目開發(fā)順利推進(jìn)。

新版DM9051ANX的五個(gè)過硬

性能過硬、功耗過硬、設(shè)計(jì)過硬、質(zhì)量過硬、支持過硬

1. 網(wǎng)口性能過硬：DM9051ANX使單片機(jī)MCU選型更靈活。

DM9051ANX以SPI接口傳輸數(shù)據(jù)，在實(shí)際應(yīng)用中，SPI時(shí)鐘頻率（通常≤ 60MHz），在ESP32平臺(FreeRTOS)可測得17.4Mbps、雅特力AT32F415(FreeRTOS)為8.3Mbps / AT32F423(裸跑+uIP)為7.5Mbps、STM32F103(裸跑+uIP)為6Mbps、在MTK MT8766等則為7.5Mbps。以上數(shù)據(jù)滿足各平臺的應(yīng)用所需，所以獲選為主控官方有線網(wǎng)口參考設(shè)計(jì)。

2. 功耗節(jié)能過硬：DM9051ANX功耗甚至低于以太網(wǎng)PHY芯片。

新版DM9051ANX在10M模式低至32mA，100M百兆模式降低到45mA;

舊版DM9051NP在10M模式下功耗電流達(dá)106mA，100M百兆模式是142mA，

與常見以太網(wǎng)口PHY比較(如下表)，DM9051ANX毫不遜色，甚至還低于某廠PHY芯片的功耗數(shù)據(jù)，能滿足IoT行業(yè)應(yīng)用項(xiàng)目的低能耗要求。

3. 設(shè)計(jì)開發(fā)過硬：DM9051ANX使單片機(jī)MCU選型更靈活。

而新一代DM9051ANX的高集成度更高：

1.)精簡外圍元器件，節(jié)省1.8V轉(zhuǎn)3.3V電平轉(zhuǎn)換、EERPOM以及電容電阻。

2.)TCP/IP校驗(yàn)和卸載引擎由芯片硬件加速實(shí)現(xiàn)，無需主控MCU參與，減少負(fù)載，可減少M(fèi)CU約30%計(jì)算開銷，同等負(fù)載功耗降低約30%，而且硬件加速使網(wǎng)絡(luò)吞吐量提升20%以上，適用于儲能、BMS(電池管理系統(tǒng))與電池設(shè)備。

4. 質(zhì)量穩(wěn)定過硬： DM9051ANX芯片溫度更低，項(xiàng)目聯(lián)網(wǎng)穩(wěn)定。

在項(xiàng)目應(yīng)用的?密集數(shù)據(jù)傳輸時(shí)，于100M百兆全雙工模式，芯片溫度從舊版43.1℃降到30.7℃，芯片發(fā)熱情況獲得更進(jìn)一步優(yōu)化，大大避免了因過熱而引發(fā)數(shù)據(jù)丟包，增加長時(shí)間聯(lián)網(wǎng)穩(wěn)定，能滿足工業(yè)級應(yīng)用長時(shí)間通信穩(wěn)定性

（DM9051AINX支持工業(yè)級-40℃~85℃環(huán)境)。

5. 技術(shù)支持過硬：DM9051ANX在研發(fā)項(xiàng)目省時(shí)省力。

1.)DM9051ANX是Expressif ESP32的以太網(wǎng)口官方參考設(shè)計(jì)，亦是雅特力MCU的以太網(wǎng)口官方參考設(shè)計(jì)。

2.)在Linux與FreeRTOS已有現(xiàn)成對應(yīng)的驅(qū)動(dòng)代碼可提供給用戶; 在MCU平臺，已有現(xiàn)成可用的例程，連底層驅(qū)動(dòng)掛載都不用麻煩用戶，使用DM9051ANX不需用戶深入了解芯片規(guī)格書，不會有進(jìn)入障礙，更沒有所謂的技術(shù)門檻。

審核編輯 黃宇