該14位寄存器緩沖器設(shè)計用于2.3V至2.7V VCC操作。

除LVCMOS復(fù)位（RESET）輸入外，所有輸入均為SSTL_2。所有輸出均為邊沿控制電路，針對未端接的DIMM負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，并符合SSTL_2 I類規(guī)范。
*附件：sn74sstvf16857.pdf

SN74SSTVF16857采用差分時鐘（CLK和CLK）工作。數(shù)據(jù)在 CLK 走高和 CLK 走低的交叉點處記錄。

該器件支持低功耗待機作。當(dāng)RESET為低電平時，差分輸入接收器被禁用，未驅(qū)動（浮動）數(shù)據(jù)、時鐘和基準(zhǔn)電壓（V 裁判 ） 輸入。此外，當(dāng)RESET為低電平時，所有寄存器都被復(fù)位，所有輸出都被強制為低電平。LVCMOS RESET輸入必須始終保持在有效的邏輯高電平或低電平。

為確保在提供穩(wěn)定時鐘之前從寄存器獲得定義的輸出，RESET在上電期間必須保持低電平狀態(tài)。

特性

• 德州儀器 （TI） Widebus? 系列成員
• 工作電壓范圍為 2.3 V 至 2.7 V，適用于 PC1600、PC2100 和 PC2700;2.5 V 至 2.7 V，適用于 PC3200
• 引腳排列和功能與 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)SSTV16857兼容
• 在 PC2700 DIMM 應(yīng)用中，比 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)SSTV16857快 600 ps（同時切換）
• 輸出邊沿控制電路可最大限度地降低未端接 DIMM 負(fù)載中的開關(guān)噪聲
• 輸出符合SSTL_2 I 類規(guī)格
• 支持SSTL_2數(shù)據(jù)輸入
• 差分時鐘（CLK和CLK）輸入
• 支持 RESET 輸入上的 LVCMOS 開關(guān)電平
• RESET輸入禁用差分輸入接收器，復(fù)位所有寄存器，并強制所有輸出為低電平
• 流通架構(gòu)優(yōu)化了PCB布局
• 閂鎖性能超過 100 mA，符合 JESD 78，II 類標(biāo)準(zhǔn)
• ESD 保護(hù)超過 JESD 22
  • 2000-V 人體模型 （A114-A）
  • 200V 機器型號 （A115-A）
  • 1000V 充電設(shè)備型號 （C101）

參數(shù)

?1. 核心功能?

• ?器件類型?：14位注冊緩沖器，專為DDR SDRAM模塊（DIMM）設(shè)計，支持PC1600/2100/2700/3200標(biāo)準(zhǔn)。
• ?關(guān)鍵特性?：
  • 工作電壓范圍：2.3V–2.7V（PC1600/2100/2700）或2.5V–2.7V（PC3200）。
  • 兼容JEDEC標(biāo)準(zhǔn)SSTV16857，性能提升600 ps（PC2700應(yīng)用）。
  • 輸出邊緣控制電路減少未端接DIMM負(fù)載的開關(guān)噪聲。
  • 支持SSTL_2 Class I輸入/輸出規(guī)范，LVCMOS電平的RESET輸入。

?2. 電氣特性?

• ?輸入/輸出規(guī)范?：
  • 差分時鐘輸入（CLK/CLK），數(shù)據(jù)在CLK上升沿和CLK下降沿交叉時鎖存。
  • RESET低電平時禁用差分接收器，復(fù)位所有寄存器并強制輸出低電平。
• ?功耗與保護(hù)?：
  • 靜態(tài)電流（待機）：≤10 μA；動態(tài)電流（時鐘運行）：≤25 mA。
  • ESD保護(hù)：2000V人體模型（HBM）、200V機器模型（MM）、1000V充電器件模型（CDM）。

?3. 時序與性能?

• ?時鐘頻率?：最高250 MHz（PC1600–PC3200）。
• ?傳播延遲?：1.1 ns（典型值），最大2.6 ns。
• ?關(guān)鍵時序參數(shù)?：
  • 建立時間（tsu）：0.75 ns（快速斜率）或0.9 ns（慢速斜率）。
  • 保持時間（th）：同建立時間要求。

?4. 封裝與訂購信息?

• ?封裝類型?：48引腳TSSOP（DGG），符合JEDEC MO-153標(biāo)準(zhǔn)。
• ?訂購型號?：SN74SSTVF16857GR（卷帶包裝，2000片/卷）。
• ?工作溫度?：0°C至70°C。

?5. 應(yīng)用場景?

• 適用于高速內(nèi)存模塊（如DDR DIMM）的信號緩沖與驅(qū)動。
• 優(yōu)化PCB布局的流式架構(gòu)，降低信號完整性風(fēng)險。