Texas Instruments bq25180線性電池充電器專注于小解決方案尺寸和低靜態(tài)電流以延長(zhǎng)電池壽命。該器件采用8焊球芯片級(jí)封裝,無(wú)需采用HDI PCB工藝進(jìn)行制造,從而降低了PCB成本。該器件可支持高達(dá)1A的充電電流和高達(dá)2.5A的系統(tǒng)負(fù)載。
數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Texas Instruments bq25180線性電池充電器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
電池使用標(biāo)準(zhǔn)鋰離子或LiFePO4充電曲線進(jìn)行三個(gè)階段的充電:預(yù)充電、恒流和恒壓。通過(guò)熱調(diào)節(jié)提供最大充電電流,同時(shí)管理器件溫度。該充電器還針對(duì)電池間充電進(jìn)行了優(yōu)化,具有3V的最低輸入電壓,并且可以承受25V的絕對(duì)最大線路瞬變。Texas Instruments bq25180集成了單按鈕輸入和復(fù)位電路,以減小解決方案的總尺寸。
特性
- 1A電源路徑線性電池充電器
- 已針對(duì)電池間充電和 SB適配器優(yōu)化的3.0V至5.9V輸入電壓工作范圍
- 可耐受25V的輸入電壓
- 可配置的電池調(diào)節(jié)電壓,精度為0.5%,范圍為3.6V至4.65V,階躍為10mV
- 5mA至1A的可配置快速充電電流
- 電池FET導(dǎo)通電阻:55mΩ
- 高達(dá)2.5A的放電電流,支持高系統(tǒng)負(fù)載
- 可配置的終止電流,支持低至0.5mA
- 可配置的NTC充電曲線閾值,包括JEITA支持
- 電源周期和高級(jí)復(fù)位機(jī)制,用于恢復(fù)系統(tǒng)
- 電源路徑管理,用于系統(tǒng)供電和電池充電
- 穩(wěn)定系統(tǒng)電壓 (SYS) 范圍為4.4V至4.9V,此外還具有電池電壓跟蹤功能和輸入直通選項(xiàng)
- 可配置的輸入電流限制
- 用于系統(tǒng)的可選適配器或電池電源
- 動(dòng)態(tài)電源路徑管理可以對(duì)通過(guò)弱適配器充電進(jìn)行優(yōu)化
- 超低靜態(tài)電流模式
- 關(guān)斷模式:15nA
- 運(yùn)輸模式下為5μA,支持按鈕喚醒
- 電池模式下為3μA
- 休眠模式下輸入Iq為30μA
- 單按鈕喚醒和復(fù)位輸入
- 集成故障保護(hù)
功能框圖
BQ25180線性電池充電器技術(shù)解析與應(yīng)用指南?
一、產(chǎn)品概述
?BQ25180?是德州儀器(TI)推出的一款I2C可編程單節(jié)鋰電池線性充電器IC,專為低功耗便攜設(shè)備設(shè)計(jì),具有以下核心特性:
- ?1A充電能力?:支持3.6V至4.65V可調(diào)電池電壓(0.5%精度),充電電流5mA~1A可配置。
- ?超低靜態(tài)電流?:關(guān)機(jī)模式僅15nA,船舶模式(Ship Mode)低至3.2μA,顯著延長(zhǎng)電池壽命。
- ?集成Power Path?:支持輸入電源(3V~5.9V)與電池?zé)o縫切換,系統(tǒng)負(fù)載電流高達(dá)2.5A。
- ?多重保護(hù)機(jī)制?:包括輸入過(guò)壓(25V耐受)、電池短路/過(guò)流、NTC溫度監(jiān)控(JEITA兼容)等。
典型應(yīng)用場(chǎng)景包括TWS耳機(jī)充電倉(cāng)、智能手表、AR/VR設(shè)備等小型化穿戴設(shè)備。
二、關(guān)鍵功能詳解
1. ?充電管理?
- ?三階段充電?:
- ?預(yù)充電?(VBAT < VLOWV):以預(yù)設(shè)電流(默認(rèn)20%快充電流)恢復(fù)深度放電電池。
- ?恒流充電?(VBAT > VLOWV):以I2C設(shè)定的最大電流快速充電。
- ?恒壓充電?:當(dāng)VBAT接近設(shè)定電壓時(shí),電流逐漸下降至終止電流(ITERM)后停止充電。
- ?安全計(jì)時(shí)器?:可編程的充電超時(shí)保護(hù)(最長(zhǎng)720分鐘),避免電池過(guò)充。
2. ? 動(dòng)態(tài)電源路徑管理(DPPM) ?
- ? 輸入動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)(VINDPM) ?:防止輸入電壓跌落,優(yōu)先保障系統(tǒng)負(fù)載供電。
- ?電池補(bǔ)充模式?:當(dāng)輸入功率不足時(shí),自動(dòng)啟用電池為系統(tǒng)負(fù)載補(bǔ)電(需VBAT > VBUVLO)。
3. ?熱管理與保護(hù)?
- ?溫度調(diào)節(jié)?:通過(guò)NTC或內(nèi)部熱敏電阻實(shí)現(xiàn)JEITA兼容充電(支持-3°C~65°C閾值配置)。
- ?多重保護(hù)?:包括輸入過(guò)壓(OVP)、電池欠壓(UVLO)、熱關(guān)斷(TSD)等,故障時(shí)觸發(fā)中斷(/INT引腳)。
三、典型應(yīng)用設(shè)計(jì)
1. ?外圍電路設(shè)計(jì)?
2. ?寄存器配置示例?
通過(guò)I2C可編程參數(shù)包括:
VBAT_REG
:電池調(diào)節(jié)電壓(3.6V~4.65V,10mV步進(jìn))。ICHG
:快充電流(5mA~1A)。VINDPM
:輸入電壓跌落保護(hù)閾值(默認(rèn)4.2V)。
3. ?低功耗模式控制?
- ?Ship Mode?:通過(guò)長(zhǎng)按TS/MR引腳(>5秒)進(jìn)入,靜態(tài)電流僅3.2μA,適合倉(cāng)儲(chǔ)運(yùn)輸。
- ?Battery Only模式?:禁用輸入電源,系統(tǒng)僅由電池供電(IQ=3μA)。
四、布局與優(yōu)化建議
- ?PCB布局?:
- 功率路徑(IN/BAT/SYS)走線需短而寬,減少寄生阻抗。
- 散熱過(guò)孔靠近芯片底部,提升熱性能(DSBGA封裝熱阻θJA=107.1°C/W)。
- ?熱性能優(yōu)化?:
- 高負(fù)載時(shí)啟用內(nèi)部熱調(diào)節(jié)(TREG=100°C~150°C),降低充電電流以避免過(guò)熱。
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