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暴漲30%!三星引爆存儲(chǔ)芯片地震:AI狂飆撕碎供需平衡

Simon觀察 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:黃山明 ? 2025-09-24 08:45 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道
全球存儲(chǔ)市場(chǎng)正掀起一場(chǎng)前所未有的漲價(jià)風(fēng)暴。全球最大的存儲(chǔ)芯片制造三星電子近日宣布,旗下DRAM和NAND閃存產(chǎn)品價(jià)格全線上調(diào),部分型號(hào)漲幅高達(dá)30%,猶如一顆巨石投入平靜的池水,在科技產(chǎn)業(yè)激起層層漣漪。這場(chǎng)看似突如其來(lái)的漲價(jià)風(fēng)波,實(shí)則是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供需關(guān)系劇烈變化的集中爆發(fā)。

DRAM產(chǎn)品的漲價(jià)幅度尤為驚人,其中LPDDR4X、LPDDR5等移動(dòng)端核心存儲(chǔ)芯片的價(jià)格漲幅達(dá)到30%,NAND閃存的eMMC和UFS產(chǎn)品價(jià)格也普遍上調(diào)5%-10%。

消息人士透露,三星此番調(diào)價(jià)并非單純的市場(chǎng)行為,而是多重因素共同作用的結(jié)果——既有老款產(chǎn)品產(chǎn)線逐步退出帶來(lái)的產(chǎn)能收縮,也有云計(jì)算巨頭對(duì)數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)設(shè)備需求的爆炸式增長(zhǎng)。

尤其值得注意的是,隨著生成式AI技術(shù)的廣泛應(yīng)用,英偉達(dá)GPU集群對(duì)高速存儲(chǔ)器的消耗量已超出市場(chǎng)預(yù)期,這迫使三星不得不將產(chǎn)能向利潤(rùn)更高的HBM芯片傾斜,進(jìn)一步擠壓了傳統(tǒng)存儲(chǔ)產(chǎn)品的供給。

這場(chǎng)漲價(jià)風(fēng)暴的影響遠(yuǎn)不止于此。在三星宣布漲價(jià)前,業(yè)界已經(jīng)有了不小的反應(yīng),美光科技緊急暫停所有存儲(chǔ)產(chǎn)品報(bào)價(jià),計(jì)劃調(diào)漲20%-30%;閃迪則直接對(duì)全線消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品執(zhí)行10%的普漲,部分汽車電子存儲(chǔ)芯片漲幅甚至高達(dá)70%。

這些動(dòng)作折射出整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)的集體焦慮——在AI算力需求井噴的當(dāng)下,存儲(chǔ)廠商正面臨著前所未有的兩難抉擇:既要保障傳統(tǒng)消費(fèi)電子市場(chǎng)的基本盤(pán),又要在AI競(jìng)賽中搶占技術(shù)制高點(diǎn)。

在這場(chǎng)存儲(chǔ)行業(yè)的變革浪潮中,中國(guó)市場(chǎng)扮演著舉足輕重的角色。作為全球最大的電子產(chǎn)品制造基地,中國(guó)每年進(jìn)口的存儲(chǔ)芯片規(guī)模超過(guò)千億美元。

三星等巨頭的漲價(jià)舉措,無(wú)疑將推高下游企業(yè)的生產(chǎn)成本,進(jìn)而傳導(dǎo)至消費(fèi)端。但換個(gè)角度看,這也倒逼著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)企業(yè)加快技術(shù)突破的步伐。合肥長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等本土廠商近年來(lái)在DRAM和NAND領(lǐng)域取得的進(jìn)展,或許將在這個(gè)特殊的歷史節(jié)點(diǎn)迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。

資本市場(chǎng)早已敏銳捕捉到行業(yè)風(fēng)向的變化。三星電子股價(jià)在漲價(jià)消息公布后單日飆升4.77%,創(chuàng)下近一年新高,市值逼近3000億美元大關(guān)。分析師指出,存儲(chǔ)芯片作為數(shù)字時(shí)代的新石油,其戰(zhàn)略價(jià)值正在被重新定義。隨著HBM技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)階段,擁有先進(jìn)制程能力的存儲(chǔ)廠商將獲得更高的議價(jià)權(quán),行業(yè)集中度或?qū)⑦M(jìn)一步提升。

在這場(chǎng)看似由供給短缺引發(fā)的漲價(jià)潮背后,更深刻的變革正在發(fā)生。當(dāng)AI服務(wù)器的算力需求以每年翻番的速度增長(zhǎng),當(dāng)自動(dòng)駕駛汽車每天產(chǎn)生數(shù)TB的數(shù)據(jù),傳統(tǒng)的存儲(chǔ)架構(gòu)已難以滿足需求。

三星等巨頭押注的HBM技術(shù),正是為了突破馮·諾依曼架構(gòu)的瓶頸而生——通過(guò)將存儲(chǔ)單元與計(jì)算單元深度融合,實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)吞吐量的指數(shù)級(jí)提升。這種技術(shù)革新帶來(lái)的不僅是產(chǎn)品價(jià)格的波動(dòng),更是整個(gè)存儲(chǔ)體系的代際更替。

從更長(zhǎng)遠(yuǎn)的視角審視,存儲(chǔ)芯片的漲價(jià)周期往往與技術(shù)創(chuàng)新周期高度重合。2017年的漲價(jià)潮催生了3D NAND技術(shù)的普及,2021年的缺貨危機(jī)加速了DDR5的商用進(jìn)程。此次漲價(jià)風(fēng)波過(guò)后,我們或?qū)⒁?jiàn)證存算一體芯片的商業(yè)化落地,以及量子存儲(chǔ)技術(shù)的破繭而出。對(duì)于中國(guó)科技企業(yè)而言,與其被動(dòng)應(yīng)對(duì)價(jià)格波動(dòng),不如主動(dòng)擁抱技術(shù)變革,在存儲(chǔ)革命的浪潮中搶占先機(jī)。
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