2025 PCIM Asia Shanghai ——上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會暨研討會將于2025年9月24至26日在上海新國際博覽中心舉辦。本屆展會聚焦電氣化交通、太陽能與風(fēng)能、儲能、氫能、人工智能和數(shù)據(jù)中心的電力電子應(yīng)用等應(yīng)用領(lǐng)域。
行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè)珠海鎵未來科技有限公司將攜 Bi-Directional GaN、(全球內(nèi)阻最低)車規(guī)級 9mΩ 650V 氮化鎵分立器件、Gen3 系列等多款新品亮相本次展會。
2、新品速遞
1:Bi-Directional GaN
G2B65 系列場效應(yīng)晶體管是混合型常閉雙向氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管,采用頂部冷卻表貼型封裝,具有電隔離的散熱金屬表面,便于熱管理和自動裝配工藝。
2:車規(guī)級 9mΩ 650V 氮化鎵分立器件
G3E65R009 系列場效應(yīng)晶體管是一款完全符合汽車 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的 650V、9mΩ GaN FET,采用 GaNext Gen3 技術(shù)平臺,兼容 Si MOSFET 驅(qū)動,是全球 Rdson 最小的 650V氮化鎵分立器件。其采用 TO-247PLUS-4L 和 ITO-247PLUS-3L(內(nèi)絕緣)封裝,散熱能力優(yōu)異且與同封裝的 Si/SiC MOSFET Pin to Pin 兼容,能夠滿足更多大功率應(yīng)用需求。
3:Gen3 技術(shù)平臺系列產(chǎn)品
Gen3 650/700V 系列場效應(yīng)晶體管(FET)是混合型常關(guān)式氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管,具有市場上所有寬禁帶器件中最強(qiáng)的柵極和最低的反向電壓降。它們可實現(xiàn)簡單的柵極驅(qū)動,提供業(yè)界最佳的性能和卓越的可靠性。
Gen3 性能優(yōu)勢(相較 Gen2):
芯片面積相對優(yōu)化33%:通過工藝優(yōu)化和結(jié)構(gòu)創(chuàng)新,Gen3 技術(shù)平臺 DPW 相對提升33%,F(xiàn)OM 相對優(yōu)化15%,實現(xiàn)更小尺寸與更強(qiáng)性能的完美結(jié)合。
器件損耗降低5%:在約2500W的輸出功率(P-out)下,效率高達(dá)99.3%,進(jìn)一步實現(xiàn)性能躍升。
熱性能優(yōu)化:在最大輸出功率約7700W的嚴(yán)苛條件下,相同 RDS-ON 器件實測溫升降低8.6℃,相對降幅高達(dá)66%。顯著提升系統(tǒng)在持續(xù)高功率運行時的穩(wěn)定性和壽命。
ESD 能力強(qiáng)化:較上一代相對提升50%,全面實現(xiàn)≥ 2000V(HBM&CDM)。(是指在測試電路 Boost 半橋升壓電路 240Vin-400Vo 中得到)
鎵未來率先推出功率 GaN 行業(yè)第一款 TO-3PF 封裝器件 G3N70R070TE-H,支持圖騰柱無橋 PFC 拓?fù)?/ 傳統(tǒng)有橋 PFC 拓?fù)淅涿缴?,可?yīng)用于3000W功率等級的家電空調(diào)設(shè)計。
G3E65R035QD-H 產(chǎn)品采用頂部散熱的表貼型 QDPAK 封裝,散熱能力優(yōu)于同類型的 TOLT 封裝,具有開爾文源極引腳且與同封裝的 Si/SiC MOSFET Pin to Pin 兼容,實現(xiàn)最佳開關(guān)性能、靈活的 PCB 布局以及高功率密度集成;
G3E65R009 系列是功率 GaN(650V 耐壓)行業(yè)首款內(nèi)阻小于10mΩ的分立式器件 ,采用 TO-247PLUS-4L 和 ITO-247PLUS-3L(內(nèi)絕緣)封裝,散熱能力優(yōu)異且與同封裝的 Si/SiC MOSFET Pin to Pin 兼容??芍С指哌_(dá)100kW功率等級的新能源汽車電驅(qū)應(yīng)用需求。
鎵未來 Gen3 650/700V 系列氮化鎵功率產(chǎn)品在本次 PCIM 展會宣布全面推向市場。新一代產(chǎn)品實現(xiàn)了芯片性能、能效表現(xiàn)及系統(tǒng)可靠性的多維跨越,以“更小、更高效、更可靠”的全面進(jìn)化,再度引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新,為電源工程師帶來更具競爭力的高性能解決方案。在立志“打造和普及一流的氮化鎵產(chǎn)品”道路上更進(jìn)一步!
審核編輯 黃宇
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