Texas Instruments TPS53830集成降壓數(shù)字轉(zhuǎn)換器是D-CAP+?模式集成降壓轉(zhuǎn)換器，用于DDR5 on-DIMM電源。TPS53830為DIMM模塊上的DRAM芯片提供VDD、VDDQ和VPP電壓，具有可配置電流能力。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments TPS53830集成降壓數(shù)字轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

TI TPS53830集成降壓數(shù)字轉(zhuǎn)換器具有大電流軌，能夠配置為兩相或兩個(gè)輸出，提供高達(dá)12A（或6A + 6A）電流，帶D-CAP+?模式控制。

TPS53830具有內(nèi)部補(bǔ)償，減少了外部元件數(shù)量，簡單易用。TPS53830轉(zhuǎn)換器支持全套遙測，包括輸入電壓、輸出電壓、輸出電流、過壓、欠壓、過流限制和過熱保護(hù)。

TPS53830采用散熱增強(qiáng)型35引腳QFN封裝，工作溫度范圍為-40°C至+125°C。

特性

• 單硅器件設(shè)計(jì)，支持DDR5應(yīng)用
• 3個(gè)輸出，可支持VDD (1.1V)、VDDQ (1.1V) 和VPP (1.8V)，并具有可選的第4個(gè)輸出 (VDD2)
• 3個(gè)輸出：VDD為12A（SWA雙相）、VDDQ為6A (SWC)、VPP為5A (SWD)
• 4個(gè)輸出：VDD1為6A（SWA）、VDD2為6A (SWB)、VDDQ為6A (SWC)、VPP為5A (SWD)
• 差分遙感：VDD、VDDQ和VPP
• D-CAP+?控制，可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
• 4.5V至15V寬輸入電壓
• 可編程內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償
• 每相逐周期電流限制
• 可編程頻率：500kHz至1.375MHz
• 支持用于電壓、電流、功率、溫度和故障狀況遙測的I^2^C和I^3^C總線接口
• 過流、過壓和過熱保護(hù)
• 持久寄存器（黑盒）功能
• 低靜態(tài)電流
• 5mm×5mm，35引腳，QFN PowerPad?封裝

簡化應(yīng)用

TPS53830：專為DDR5內(nèi)存模塊設(shè)計(jì)的高集成度數(shù)字降壓轉(zhuǎn)換器

引言

隨著DDR5內(nèi)存技術(shù)在服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心中的快速普及，對(duì)內(nèi)存模塊電源管理的要求也日益提高。Texas Instruments推出的TPS53830是一款高度集成的多輸出降壓轉(zhuǎn)換器，專門為DDR5 On-DIMM（雙列直插內(nèi)存模塊）電源供應(yīng)而設(shè)計(jì)。該器件通過單芯片解決方案提供VDD、VDDQ和VPP三種關(guān)鍵電壓，滿足了DDR5內(nèi)存對(duì)電源精度、瞬態(tài)響應(yīng)和功率密度的嚴(yán)苛要求。

一、TPS53830核心特性概覽

TPS53830是一款基于D-CAP+?控制模式的全集成數(shù)字降壓轉(zhuǎn)換器，具有以下突出特點(diǎn)：

• 多輸出配置 ：
  • 3輸出模式：VDD（12A雙相）、VDDQ（6A）、VPP（5A）
  • 4輸出模式：VDD1（6A）、VDD2（6A）、VDDQ（6A）、VPP（5A）
• 高精度遠(yuǎn)程檢測 ：支持VDD、VDDQ和VPP的差分遠(yuǎn)程感知
• 寬輸入電壓范圍 ：4.5V至15V，適應(yīng)服務(wù)器電源環(huán)境
• 可編程開關(guān)頻率 ：500kHz至1.375MHz，優(yōu)化效率與體積
• 數(shù)字接口支持 ：I2C和I3C總線，用于電壓、電流、功率和溫度的遙測
• 全面保護(hù)機(jī)制 ：過流、過壓、過熱保護(hù)，具備持久寄存器（黑匣子）功能
• 緊湊封裝 ：5mm × 5mm QFN PowerPad?封裝，適合DIMM模塊空間限制

二、架構(gòu)與技術(shù)創(chuàng)新

2.1 D-CAP+?控制模式

TPS53830采用D-CAP+?自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間控制架構(gòu)，無需外部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)即可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)。該技術(shù)特別適合DDR5內(nèi)存負(fù)載快速變化的場景，能有效降低輸出電容需求，減小解決方案尺寸。

2.2 多相輸出配置

器件支持靈活的相位配置：

• VDD輸出可配置為雙相 ，提供最高12A輸出能力，改善熱分布和紋波性能
• 獨(dú)立控制的VDDQ和VPP輸出 ，確保各電壓軌的穩(wěn)定性和獨(dú)立性

2.3 全數(shù)字遙測與監(jiān)控

通過I2C/I3C接口，系統(tǒng)可實(shí)時(shí)讀?。?/p>

• 輸入/輸出電壓、輸出電流、功耗
• 芯片溫度、故障狀態(tài)記錄
• 持久寄存器保存關(guān)鍵故障信息，便于系統(tǒng)診斷

三、DDR5內(nèi)存電源需求與TPS53830的匹配性

3.1 DDR5電源架構(gòu)簡介

DDR5內(nèi)存模塊需要三種核心電源：

• VDD ：核心電壓，通常為1.1V，要求高電流、低紋波
• VDDQ ：I/O電壓，同樣為1.1V，需與VDD隔離
• VPP ：激活電壓，為1.8V，用于字線驅(qū)動(dòng)

3.2 TPS53830的優(yōu)化設(shè)計(jì)

• 差分遠(yuǎn)程檢測 ：補(bǔ)償DIMM連接器與PCB走線壓降，提升電壓精度
• 可編程軟啟動(dòng) ：避免上電沖擊，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)
• 循環(huán)電流限制 ：保護(hù)MOSFET和電感，提高系統(tǒng)可靠性

四、典型應(yīng)用設(shè)計(jì)考量

4.1 輸出配置選擇

根據(jù)目標(biāo)DIMM類型選擇輸出模式：

• 高性能服務(wù)器DIMM ：推薦使用3輸出模式，VDD配置為雙相以支持更高電流
• 標(biāo)準(zhǔn)容量DIMM ：可選用4輸出模式，平衡功耗與成本

4.2 布局建議

• 功率路徑最短化 ：輸入電容靠近VIN引腳，輸出電感與電容緊湊布局
• 信號(hào)隔離 ：遠(yuǎn)程檢測走線遠(yuǎn)離開關(guān)節(jié)點(diǎn)，避免噪聲耦合
• 熱管理 ：利用PowerPad?與PCB地平面連接，通過過孔散熱

4.3 外部元件選型

• 電感選擇 ：根據(jù)開關(guān)頻率和負(fù)載電流選擇低DCR、高飽和電流電感
• 輸出電容 ：使用低ESR陶瓷電容，優(yōu)化瞬態(tài)響應(yīng)
• 輸入電容 ：建議使用高頻陶瓷電容與bulk電解電容組合

五、系統(tǒng)集成與遙測功能

5.1 I2C/I3C接口應(yīng)用

通過數(shù)字接口可實(shí)現(xiàn)：

• 實(shí)時(shí)監(jiān)控 ：讀取各輸出軌的電壓、電流和溫度
• 故障記錄 ：訪問黑匣子寄存器，分析歷史故障原因
• 動(dòng)態(tài)調(diào)整 ：根據(jù)需要調(diào)整輸出電壓或開關(guān)頻率

5.2 與BMC或CPLD的協(xié)作

TPS53830可與基板管理控制器（BMC）或復(fù)雜可編程邏輯器件（CPLD）配合，實(shí)現(xiàn)：

• 電源序列控制
• 故障預(yù)警與日志記錄
• 能效優(yōu)化策略執(zhí)行

六、應(yīng)用場景與市場定位

TPS53830主要面向以下應(yīng)用：

• 服務(wù)器DDR5 DIMM模塊
• 高性能計(jì)算內(nèi)存子系統(tǒng)
• 數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)服務(wù)器
• 工作站和高端臺(tái)式機(jī)內(nèi)存模塊