聚和材料公告使用自有或自籌資金約3.5億人民幣收購SKE 的關(guān)于空白掩模（BlankMask）的業(yè)務(wù)板塊（包含土地、廠房、存貨、設(shè)備、專利、在建工程、人員、技術(shù)等）。Blank Mask是什么產(chǎn)品？目前收入空間與國產(chǎn)化率怎么樣？進(jìn)軍Blank Mask業(yè)務(wù)對(duì)聚和材料有何影響？

Blank Mask為半導(dǎo)體核心材料，國產(chǎn)化率極低

Blank Mask（空白掩模）是半導(dǎo)體光刻工藝中的核心材料，用于制造光掩模版（Photo mask）。掩模版的作用是將設(shè)計(jì)者的電路圖需通過曝光的方式轉(zhuǎn)移到下游行業(yè)的基板或晶圓上，從而實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)。作為光刻復(fù)制圖需的基準(zhǔn)和藍(lán)本，掩模版是連接工業(yè)設(shè)計(jì)和工藝制造的關(guān)鍵，掩模版的精度和質(zhì)量水平會(huì)直接影響最終下游制品的優(yōu)品率。

在貿(mào)易摩擦等宏觀環(huán)境不確定性增加的背景下，作為半導(dǎo)體核零原材料的國內(nèi)半導(dǎo)體掩模版行業(yè)發(fā)展迎來了歷史性的機(jī)遇，并對(duì)空白掩模版提出了更高的要求。

從下游Photo mask市場格局來看，半導(dǎo)體掩模版中晶圓廠/IDM廠為主，占比約65%，其余第三方廠商中日本Toppan占31%、美國Photronic占29%、日本DNP占23%。而更上游的Blank Mask市場基本被日韓所壟斷，日本主要為Hoya、雷越等，韓國主要為S&S Tech和SKC等。

展望后續(xù)，自主可控背景下國內(nèi)半導(dǎo)體材料行業(yè)有望保持穩(wěn)健增長。2024年半導(dǎo)體材料收入空間在675億美元左右，其中中國大陸約135億美元，占比約20%左右，過去幾年規(guī)模保持穩(wěn)中有增態(tài)勢(shì)。半導(dǎo)體材料可進(jìn)一步拆分為晶圓制造和封裝材料，晶圓制造占半導(dǎo)體材料的比例在63.6%左右。

空白掩模更重要的意義在于半導(dǎo)體核心原材料自主可控。光掩模版是晶圓制造的核心原材料之一，在晶圓制造材料市場規(guī)模中占比約12%，據(jù)此測(cè)算2024年國內(nèi)光掩模版收入空間約72億人民幣。而空白掩模作為其原材料，測(cè)算2024年收入空間預(yù)計(jì)在14-15億人民幣左右。盡管收入空間有限，但是空白掩模自主可控對(duì)于國內(nèi)半導(dǎo)體霂業(yè)的發(fā)展意義重大。

聚和通過收購?fù)卣拱鎴D，助力半導(dǎo)體自主可控

近期聚和材料發(fā)布《關(guān)于簽署收購境外公司股權(quán)雟議暨開展雴業(yè)務(wù)的公告》。聚和材料與韓投伙伴共同設(shè)立SPC，使用自有或自籌資金680億韓元（折合約3.5億人民幣）收購SKE的關(guān)于空白掩模（Blank Mask）的業(yè)務(wù)板塊（包含土地、廠房、存貨、設(shè)備、專利、在建工程、人員、技術(shù)等）。其中，公司直接或間接出資比例不低于95%。

公司開展新業(yè)務(wù)的未來規(guī)劃包括：

1）通過各類激勵(lì)措施綁定韓國現(xiàn)有核心人員，以此穩(wěn)固技術(shù)與運(yùn)營根基，保障現(xiàn)有技術(shù)水平與生產(chǎn)能力；同時(shí)，公司將強(qiáng)化韓籍人員儲(chǔ)備，并推動(dòng)研發(fā)人員深度參與技術(shù)交流，系統(tǒng)學(xué)習(xí)吸收先進(jìn)工藝與經(jīng)驗(yàn)，為后續(xù)技術(shù)迭代與創(chuàng)新鞏固基礎(chǔ)。

2）另一方面，公司將從多維度推進(jìn)國產(chǎn)化與全球化布局：一是委派高級(jí)管理團(tuán)隊(duì)入駐，統(tǒng)籌海外業(yè)務(wù)運(yùn)營；二是委派專業(yè)半導(dǎo)體銷售團(tuán)隊(duì)拓展客戶資源，提升客戶份額與品牌影陞力；三是規(guī)劃未來在中國大陸擴(kuò)大產(chǎn)能，以精準(zhǔn)匹配市場霚求增長。

目標(biāo)公司產(chǎn)品集中在DUV高端類型，已通過多家掩模廠驗(yàn)證，業(yè)務(wù)覆蓋區(qū)域覆蓋韓國、中國大陸及中國臺(tái)灣等國家和地區(qū)。

SKE旗下Blank Mask事業(yè)部主要生產(chǎn)用于DUV-ArF和DUV-KrF光刻技術(shù)節(jié)點(diǎn)的空白掩?；澹˙lank Mask），產(chǎn)品已通過多家半導(dǎo)體晶圓廠自有產(chǎn)線配套驗(yàn)證及第三方獨(dú)立掩模板客戶驗(yàn)證，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)銷售，業(yè)務(wù)覆蓋韓國、中國大陸及中國臺(tái)灣等國家和地區(qū)。

對(duì)于聚和材料而言，銀漿龍頭地位穩(wěn)固，整體市占率行業(yè)領(lǐng)先；銅漿層面，公司產(chǎn)品在多輪可靠性測(cè)試中性能表現(xiàn)優(yōu)異，并已實(shí)現(xiàn)小批量出貨，Q3推出第二代產(chǎn)品有望進(jìn)一步加速銅漿推廣；公司資金儲(chǔ)備充裕，截止2025H1貨幣資金+交易性金融資產(chǎn)20億元左右，近期通過收購進(jìn)軍半導(dǎo)體核心原材料Blank Mask（空白掩模）業(yè)務(wù)，與原高端電子漿料領(lǐng)域業(yè)務(wù)亦有所協(xié)同。

以上內(nèi)容來源：長江證券

附錄：

半導(dǎo)體掩膜版的投資邏輯分析（含平板顯示）

一、什么是掩膜版

掩膜版（Photomask）又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版等，是微電子制造過程中的圖形轉(zhuǎn)移工具或母版，是圖形設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息的載體。在光刻過程中，掩膜版是設(shè)計(jì)圖形的載體。通過光刻，將掩膜版上的設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，再經(jīng)過刻蝕，將圖形刻到襯底上，從而實(shí)現(xiàn)圖形到硅片的轉(zhuǎn)移，功能類似于傳統(tǒng)照相機(jī)的“底片”。

以薄膜晶體管液晶顯示器（TFT-LCD）制造為例，利用掩膜版的曝光掩蔽作用，將設(shè)計(jì)好的薄膜晶體管（TFT）陣列和彩色濾光片圖形按照薄膜晶體管的膜層結(jié)構(gòu)順序，依次曝光轉(zhuǎn)移至玻璃基板，最終形成多個(gè)膜層所疊加的顯示器件；

以晶圓制造為例，其制造過程需要經(jīng)過多次曝光工藝，利用掩膜版的曝光掩蔽作用，在半導(dǎo)體晶圓表面形成柵極、源漏極、摻雜窗口、電極接觸孔等。相比較而言，半導(dǎo)體掩膜版在最小線寬、CD精度、位置精度等重要參數(shù)方面，均顯著高于平板顯示、PCB等領(lǐng)域掩膜版產(chǎn)品。

掩膜版是光刻過程中的重要部件，其性能的好壞對(duì)光刻有著重要影響。根據(jù)基板材質(zhì)的不同，掩膜版主要可分為石英掩膜版、蘇打掩膜版和其他（包含凸版、菲林等）。

二、掩膜版制造加工工藝

掩膜版制造工藝復(fù)雜，加工工藝流程主要包括CAM圖檔處理、光阻涂布、激光光刻、顯影、蝕刻、脫膜、清洗、宏觀檢查、自動(dòng)光學(xué)檢查、精度測(cè)量、缺陷處理、貼光學(xué)膜等環(huán)節(jié)，其中光刻技術(shù)是掩膜版制造的重要環(huán)節(jié)。

光刻需要先對(duì)掩膜基板涂膠（通常是正性光刻膠），后通過光刻機(jī)對(duì)表面進(jìn)行曝光，通常以130nm為分界，130nm以上的光刻設(shè)備采用激光直寫設(shè)備，但隨著掩膜版的線寬線距越來越小，曝光過程中就會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的衍射現(xiàn)象，導(dǎo)致曝光圖形邊緣分辨率較低，圖形失真，因此130nm及以下通常需采用電子束光刻完成。

掩膜版的關(guān)鍵參數(shù)量測(cè)及檢測(cè)

關(guān)鍵參數(shù)量測(cè)及檢測(cè)環(huán)節(jié)對(duì)掩膜版的質(zhì)量及良率至關(guān)重要，其中需對(duì)掩膜版關(guān)鍵尺寸（CD，CriticalDimension）、套刻精度（Overlay）等關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行測(cè)量，同時(shí)需使用自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)設(shè)備（AOI，AutomaticOpticalInspection）檢測(cè)掩膜版制造過程產(chǎn)生的缺陷，如產(chǎn)品表面缺陷（Defect）、線條斷線（Open）、線條短接（Short）、白凸（Intrusion）、圖形缺失等以及通過激光等對(duì)掩膜版生產(chǎn)過程中的缺陷及微粒進(jìn)行修復(fù)。

掩模版的關(guān)鍵指標(biāo)參數(shù)包括下游晶圓最小線寬（CD Size）、CD精度（CD Tolerance）、CD精度均值偏差（CD Mean-to-Target）、CD均勻性（CD Range）、位置精度（Registration）、套刻精度（Overlay）等。其中掩模版最小線寬為關(guān)鍵指標(biāo)，如果無法與下游晶圓最小線寬相匹配，下游晶圓廠無法制造合格產(chǎn)品。半導(dǎo)體產(chǎn)品掩模版精度要求最高，掩模版最小線寬≤0.5μm，CD精度、CD精度均值偏差和位置精度均要求≤0.02μm，其次為平板顯示掩模版，PCB掩模版精度要求最低。

三、掩膜版的產(chǎn)業(yè)鏈

上游：掩膜版設(shè)備、掩膜基板、遮光膜、化學(xué)試劑；供應(yīng)商如日本東曹、越信化學(xué)、日本尼康、菲力華、石英股份等 。

中游：掩膜版制造；主要企業(yè)包括日本HOYA、日本DNP、韓國LG -IT、日本SKE、清溢光電 、路維等。

下游：IC制造、FPD平板顯示、觸控（TP）、電路板（PCB）；主要企業(yè) 為臺(tái)積電、英特爾等半導(dǎo)體廠商；以及京東方、 天馬、TCL等平板顯示廠商 。

掩膜版的結(jié)構(gòu)：掩膜基板+遮光膜

掩模版的主要原材料包括基板、光學(xué)膜、顯影刻蝕材料及包裝盒等輔助材料，其中最重要的原材料是掩膜基板，是指在石英或蘇打玻璃等基板上涂布光刻膠進(jìn)行光刻的基材?；逡r底在透光性及穩(wěn)定性等方面性能要求較高，須做到表面平整，無夾砂、氣泡等微小缺陷。由于石英玻璃的化學(xué)性能穩(wěn)定、光學(xué)透過率高、熱膨脹系數(shù)低，近年來已成為制備掩膜版的主流原材料，被廣泛應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路掩膜版制作。目前，石英掩膜版和蘇打掩膜版是最常見的兩種主流產(chǎn)品，均屬于玻璃基板。

遮光膜分為硬質(zhì)遮光膜和乳膠遮光膜，其中乳膠遮光膜主要用于PCB、觸控等場景；硬質(zhì)遮光膜材料主要包括鉻、硅、硅化鉬、氧化鐵等，在各類硬質(zhì)遮光膜中，由于鉻材料機(jī)械強(qiáng)度高、可形成細(xì)微圖形，因此鉻膜成為硬質(zhì)遮光膜的主流。

目前，石英基板和光學(xué)膜技術(shù)難度較大，國內(nèi)企業(yè)依賴進(jìn)口。掩膜基板和光學(xué)膜技術(shù)難度較大，供應(yīng)商主要集中于日本、韓國等地，目前國內(nèi)暫無供應(yīng)商可以提供替代品，原材料存在進(jìn)口依賴。

掩膜版的成本組成

掩膜版成本構(gòu)成以直接材料和制造費(fèi)用為主，分別占比67%和29%。其中直接材料主要包括掩膜版基板、遮光膜及其他輔助材料等，掩膜版基板占直接材料的比重超過90%。

四、掩模版技術(shù)演進(jìn)

半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝通常采用投影式光刻方法，在投影式光刻中，激光透過掩模版后，經(jīng)過投影物鏡成像到晶圓的光刻膠表面，通過掩模版對(duì)光線的遮擋或透過功能，實(shí)現(xiàn)掩模圖案向晶圓線路圖的圖形轉(zhuǎn)移。半導(dǎo)體掩模版的技術(shù)演進(jìn)的過程，正是不斷解決極限情況下光的干涉與衍射現(xiàn)象、克服物理極限的過程。投影式光刻原理如下圖所示：

1、光學(xué)鄰近效應(yīng)修正（OPC）

隨著掩模版的線寬和線縫越來越小，當(dāng)尺寸逐漸接近光刻機(jī)的波長時(shí)，曝光過程中就會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的衍射現(xiàn)象。光的衍射現(xiàn)象是指光在傳播過程中，遇到尺寸與波長大小相近的障礙物時(shí)，光會(huì)傳到障礙物的陰影區(qū)并形成明暗變化的光強(qiáng)分布情況。這種情況在投影式光刻中尤為明顯，激光通過掩模版的透光區(qū)和投影物鏡后會(huì)出現(xiàn)顯著的夫瑯禾費(fèi)衍射現(xiàn)象，導(dǎo)致曝光圖形邊緣的分辨率降低，圖案邊緣失真嚴(yán)重，CD精度大幅下降。因此，為了提高光刻環(huán)節(jié)曝光圖形的CD精度，必須要對(duì)掩模圖案進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正（OPC）。由于光的衍射造成的圖像失真及OPC效果對(duì)比情況如下圖所示。

2、相移掩模版（PSM）

隨著掩模版圖形越來越復(fù)雜、線路密度越來越大，掩模版的透光區(qū)間距離便越來越短，此時(shí)曝光過程中就會(huì)出現(xiàn)顯著的干涉現(xiàn)象。光的干涉是指兩束相干光相遇而引起光的強(qiáng)度重新分布的現(xiàn)象。當(dāng)掩模版的透光區(qū)間位置趨于接近時(shí)，從相鄰兩個(gè)透光區(qū)射出的光線頻率相同、振動(dòng)方向相近、相位差恒定，形成了相干光。兩列或多列相干光在空間相遇時(shí)相互疊加，光強(qiáng)在某些區(qū)域始終加強(qiáng)，在另一些區(qū)域則始終削弱，出現(xiàn)了穩(wěn)定的強(qiáng)弱分布現(xiàn)象。上述現(xiàn)象會(huì)造成晶圓感光時(shí)遮光區(qū)域仍有曝光、透光區(qū)域光強(qiáng)不足的情況，導(dǎo)致整體的對(duì)比度降低，CD精度大幅下降，從而嚴(yán)重影響了晶圓的電路圖形質(zhì)量。當(dāng)半導(dǎo)體的最小線寬小于130nm后，傳統(tǒng)的二元掩模版（Binary Mask）會(huì)由于光的干涉現(xiàn)象而無法對(duì)晶圓進(jìn)行有效曝光，需要采用相移掩模版（Phase Shift Mask, PSM）來消除曝光光束中的干涉現(xiàn)象，提升CD精度水平。二元掩模版和PSM掩模版的原理如下圖所示：

3、技術(shù)路線演變

由于激光直寫制版受限于激光波長的最大分辨率，所以當(dāng)使用激光直寫來制造半導(dǎo)體掩模版時(shí)，在130nm制程節(jié)點(diǎn)會(huì)達(dá)到物理極限。為實(shí)現(xiàn)制程的進(jìn)一步突破，就需要電子束直寫光刻技術(shù)。

五、半導(dǎo)體掩膜版

1、市場規(guī)?？蛇_(dá)54億美元，成熟制程占比87%

全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模近年來穩(wěn)步增長，受需求提升疊加晶圓產(chǎn)能轉(zhuǎn)移帶動(dòng)，我國半導(dǎo)體材料市場規(guī)模加速提升：從2019年的87億美元增長至2021年的119億美元，年復(fù)合增長率為16.95%，增速遠(yuǎn)超海外市場。從細(xì)分領(lǐng)域看，半導(dǎo)體掩膜版占比約12%，與電子特氣占比相當(dāng)。

根據(jù)與下游晶圓廠商是否形成配套，當(dāng)前半導(dǎo)體掩膜版生產(chǎn)商主要分為晶圓廠自建（In-house）及獨(dú)立第三方兩大類。具體來看，28nm及以下先進(jìn)制程由于制造工藝復(fù)雜以及工藝機(jī)密等問題，晶圓廠所需掩膜版主要依賴內(nèi)部工廠生產(chǎn)，如英特爾、三星、臺(tái)積電、中芯國際等公司；對(duì)于成熟制程而言，出于降本考慮，在滿足技術(shù)要求下，晶圓廠更傾向于向獨(dú)立第三方采購。

全球范圍來看，半導(dǎo)體掩膜版市場規(guī)模近年來穩(wěn)步增長，2021年達(dá)49.9億美元，2023年預(yù)計(jì)可增長至53.9億美元，2020-2023年CAGR近7%。分制程來看，2022年130nm以上成熟制程占據(jù)主要市場份額，出貨量占比約54%，28-90nm占比約33%，22nm以下先進(jìn)制程出貨量占比僅13%。

2、半導(dǎo)體掩膜版毛利率整體高于平板顯示

在掩膜版精度方面，通常用CD精度來衡量掩膜版圖形特征尺寸與設(shè)計(jì)值的偏差，表征掩膜版圖形特征尺寸均勻性。相對(duì)于平板顯示、PCB等領(lǐng)域掩膜版產(chǎn)品而言，半導(dǎo)體掩膜版在最小線寬、CD精度、位置精度等重要參數(shù)方面，均有顯著提升，因此通常定價(jià)水平更高，同時(shí)在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，下游客戶對(duì)生產(chǎn)模具的價(jià)格敏感性更低，因此半導(dǎo)體掩膜版毛利率水平一般更高。

高階制程半導(dǎo)體掩膜版毛利率顯著提升。隨著工藝技術(shù)創(chuàng)新步伐加快，芯片加速邁向先進(jìn)制程，半導(dǎo)體掩膜版制程同步提升，毛利率加速改善。以中國臺(tái)灣光罩為例，2019年半導(dǎo)體掩膜版低于130nm制程的產(chǎn)品銷售占比僅6%，2021年已提升至32%，對(duì)應(yīng)整體毛利率由2019年的30.9%大幅提升至2021年的47.6%。此外，路維光電及龍圖光罩等境內(nèi)三方掩膜版廠商近年來也受益于制程節(jié)點(diǎn)的逐步突破及產(chǎn)品良率的改善，市場地位及定價(jià)能力有所提升，毛利率總體穩(wěn)中有升，路維光電半導(dǎo)體掩膜版毛利率由2019年的36%提升至2021年的51.3%，龍圖光罩由2020年的54.4%提升至2022年的57.7%。

3、半導(dǎo)體掩膜版具有一定抗周期特性

從半導(dǎo)體掩膜版龍頭廠photronics及中國臺(tái)灣光罩銷售表現(xiàn)來看，與下游半導(dǎo)體銷售相比，在半導(dǎo)體景氣下行周期內(nèi)，掩膜版的營收增速下滑幅度相對(duì)較小，體現(xiàn)出一定的抗周期性；同時(shí)photronics掩膜版業(yè)務(wù)在部分周期內(nèi)表現(xiàn)出一定的領(lǐng)先性，較下游半導(dǎo)體銷售率先達(dá)到景氣拐點(diǎn)。

原因在于當(dāng)半導(dǎo)體行業(yè)處于下行周期，晶圓制造廠商的產(chǎn)能利用率下降，為了提升產(chǎn)能利用率，晶圓制造廠傾向于向中小芯片設(shè)計(jì)公司提供代工服務(wù)，因此半導(dǎo)體產(chǎn)品類型得以增加，掩膜版需求量提升；另外，當(dāng)下游需求低迷時(shí)，芯片設(shè)計(jì)公司或有意愿通過開發(fā)新產(chǎn)品打開市場，也會(huì)帶來對(duì)掩膜版的增量需求。

4、半導(dǎo)體產(chǎn)能轉(zhuǎn)移，國內(nèi)掩膜版需求增加

全球晶圓產(chǎn)能正逐步向我國轉(zhuǎn)移，需求空間加速打開。2015-2021年中國大陸生產(chǎn)的12寸晶圓產(chǎn)能在全球的占比從9.7%逐步升至16%，未來隨著新建晶圓廠產(chǎn)能逐步落地，掩膜版需求空間有望進(jìn)一步打開。SEMI預(yù)計(jì)中國大陸2022年-2026年還將新增25座12英寸晶圓廠，總規(guī)劃月產(chǎn)能將超過160萬片；預(yù)計(jì)到2026年底，中國大陸12英寸晶圓廠的總月產(chǎn)能將超過276.3萬片，全球占比也將自2022年的22%提升至2026年的25%。晶圓產(chǎn)能轉(zhuǎn)移有望進(jìn)一步打開掩膜版需求空間，國內(nèi)掩膜版技術(shù)研發(fā)加速趨勢(shì)下，三方掩膜版廠商有望實(shí)現(xiàn)市場份額的快速提升。

掩膜版進(jìn)口受限。2022年10月，美國商務(wù)部公布的修訂后的《出口管理?xiàng)l例》中，加大對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備及零部件的供貨限制，包含了對(duì)掩膜版的供應(yīng)限制，將250nm及以下制程的掩膜版納入了限制清單，國內(nèi)先進(jìn)制程掩膜版進(jìn)口或進(jìn)一步受阻，掩膜版行業(yè)的國產(chǎn)替代進(jìn)程有望實(shí)現(xiàn)加速。

半導(dǎo)體行業(yè)拐點(diǎn)有望加速顯現(xiàn)。半導(dǎo)體短周期與庫存情況和供需結(jié)構(gòu)掛鉤，2021年半導(dǎo)體行業(yè)供需錯(cuò)配帶來缺芯漲價(jià)潮，廠家紛紛加大芯片產(chǎn)能規(guī)模，2022年下半年芯片供過于求，23Q1半導(dǎo)體庫存高位，現(xiàn)階段行業(yè)整體仍處于去庫中，預(yù)期2023年下半年需求漸修復(fù)、庫存逐步去化，2024年上半年加速被動(dòng)去庫至庫存出清，行業(yè)有望迎來供需結(jié)構(gòu)改善、價(jià)格上行、業(yè)績?cè)黾拥墓拯c(diǎn)，預(yù)期2024年有望開啟新一輪半導(dǎo)體庫存周期。

全球芯片晶圓產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)大。SEMI在報(bào)告中指出，從2021年到2025年，全球200毫米晶圓廠產(chǎn)能預(yù)計(jì)將增長20%，全球半導(dǎo)體制造商正在增加13條新生產(chǎn)線，將使晶圓產(chǎn)能達(dá)到每月超過700萬片的歷史新高，全球半導(dǎo)體制造商預(yù)計(jì)到2026年將大幅增加300mm晶圓廠產(chǎn)能，有望達(dá)到960萬片/月。

先進(jìn)制程發(fā)展方向明確。半導(dǎo)體先進(jìn)制程發(fā)展趨勢(shì)下，半導(dǎo)體掩膜版關(guān)鍵制程節(jié)點(diǎn)加速提升。我國產(chǎn)業(yè)鏈布局相對(duì)較晚，起步于封測(cè)環(huán)節(jié)，近年才進(jìn)入高速發(fā)展期，封測(cè)仍是國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的主要細(xì)分領(lǐng)域，半導(dǎo)體產(chǎn)品制程節(jié)點(diǎn)由130 nm、100 nm、90 nm、65 nm等逐步發(fā)展到45 nm、28 nm、14 nm、7 nm等，目前境內(nèi)芯片主流先進(jìn)制造工藝為28nm。以中國臺(tái)灣光罩為例，2021年集中65nm以上制程半導(dǎo)體掩膜版市場，2022年四季度起，40nm產(chǎn)品進(jìn)入研發(fā)認(rèn)證階段，并預(yù)計(jì)于2023年四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。28nm先進(jìn)制程產(chǎn)品預(yù)計(jì)在2024年開始研發(fā)認(rèn)證，2025年進(jìn)入量產(chǎn)。

六、平板顯示掩膜版

1、平板顯示掩膜版市場主要在中國

平板顯示行業(yè)長期發(fā)展呈現(xiàn)像素高精度化、尺寸大型化、競爭白熱化、轉(zhuǎn)移加速化、產(chǎn)品定制化等特點(diǎn)。受益于電視平均尺寸增加，大屏手機(jī)、車載顯示和公共顯示等需求的拉動(dòng)，根據(jù)Omdia預(yù)測(cè)，2025年全球平板顯示需求超過300百萬平方米。

平板顯示掩膜版仍以國內(nèi)市場為主，2022年中國平板顯示掩模版需求占比全球的57%，市場規(guī)模達(dá)35億元。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2022年全球平板顯示掩模版市場規(guī)模約為61億元，預(yù)計(jì)2025年全球顯示掩模版市場規(guī)模達(dá)65億元。按照2022年中國大陸平板顯示行業(yè)掩膜版需求占全球比重達(dá)57%，測(cè)算得22年國內(nèi)平板顯示掩模版市場規(guī)模為35億元。

2、大尺寸和高精度是平板顯示掩膜版主要發(fā)展方向

近年來，大尺寸的電視面板產(chǎn)品加速進(jìn)入市場，以8.5代線生產(chǎn)的55英寸和85英寸面板和10.5代線生產(chǎn)的65英寸和75英寸面板為代表，大尺寸電視面板的需求自2022年第四季度開始出現(xiàn)大幅反彈，2023年之后仍呈持續(xù)上升趨勢(shì)。2022年8月，液晶電視顯示面板出貨的加權(quán)平均尺寸為46.8英寸，2022年12月平均尺寸上漲至49英寸，2023年3月為49.5英寸，并于2023年5月首次突破50英寸，達(dá)到了50.2英寸。

面板代數(shù)越高，面板的玻璃基板尺寸越大，利用率和效益就越高，8.5代線可以采用66寸+32寸電視套切，以實(shí)現(xiàn)更高的切割效率；10.5代線切割65寸、75寸電視都可以達(dá)到90%以上的切割效率。面板尺寸的增大帶動(dòng)其上游材料掩膜版朝著大尺寸化的方向發(fā)展，也會(huì)帶動(dòng)大尺寸掩膜版的需求增長。

隨著平板顯示技術(shù)的更新迭代，新的顯示技術(shù)要求掩膜版朝著更高精度方向發(fā)展，如應(yīng)用于Micro-LED（微型發(fā)光二極管）、LTPO（低溫多晶氧化物）、QD-OLED（量子點(diǎn)面板）等行業(yè)的掩膜版制造技術(shù)。高分辨率面板需求提高掩膜版精度要求，根據(jù)IHS預(yù)測(cè)，未來顯示屏的顯示精度將從450PPI（Pixel Per Inch，每英寸像素）逐步提高到650PPI以上，對(duì)平板顯示掩膜版的半導(dǎo)體層、光刻分辨率、最小過孔、CD均勻性、套合精度、缺陷大小、潔凈度均提出了更高的技術(shù)要求。

3、面板景氣度加速復(fù)蘇，掩膜版需求有望提振

全球顯示面板行業(yè)在經(jīng)歷了2022年全球經(jīng)濟(jì)疲軟、疫情沖擊、供應(yīng)過剩等因素影響價(jià)格全面下行后，23Q2相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格和面板廠產(chǎn)能利用率已有明顯上調(diào)趨勢(shì)，2023下半年顯示面板市場基本面或?qū)⒂瓉磔^大改善，新一輪上行周期將開啟。

根據(jù)Omdia最新研究表示，受益于LCD電視、手提電腦、顯示器面板和智能手機(jī)LCD面板訂單向好，全球顯示面板廠家的總產(chǎn)能利用率從2023年第一季度的66%回升至第二季度的74%。出貨量方面也有同步改善。

國內(nèi)市場顯示出更為強(qiáng)勁的增長韌勁。根據(jù)CODA，2022年國內(nèi)顯示行業(yè)產(chǎn)值近5000億元，在全球市場的占比超過38%，投資結(jié)構(gòu)方面也有了明顯改善，投資方向從LCD向更高技術(shù)含量的高性能OLED、Micro LED及部分上游材料轉(zhuǎn)移，未來國內(nèi)面板市場將向更高附加值的產(chǎn)品逐步迭代，同時(shí)在全球的占比也將進(jìn)一步提高。

全球顯示面板產(chǎn)能有較為明顯的向我國轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)。近年來國內(nèi)面板企業(yè)快速增加第六代柔性O(shè)LED產(chǎn)線，我國OLED市場份額快速提升，根據(jù)DSCC數(shù)據(jù)，2023年國內(nèi)企業(yè)在全球柔性O(shè)LED產(chǎn)能中的占比有望超過50%；在中國面板廠商占據(jù)主導(dǎo)地位的液晶顯示器（LCD）產(chǎn)能中，預(yù)計(jì)到2027年中國企業(yè)份額將提高至70%以上；顯示面板總產(chǎn)能中（包括OLED和LCD），2023年中國面板企業(yè)占據(jù)60%左右的市場份額，預(yù)計(jì)從2024年起將保持在70%左右。

七、掩膜版競爭格局

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，在全球半導(dǎo)體掩模版市場，晶圓廠自行配套的掩模版工廠規(guī)模占比65%，獨(dú)立第三方掩模廠商規(guī)模占比35%，其中獨(dú)立第三方掩模版市場主要被美國Photronics、日本Toppan和日本DNP三家公司所控制，三者共占八成以上的市場規(guī)模，市場集中度較高。此外還有日本HOYA、日本SK電子以及少量臺(tái)灣企業(yè)。

國內(nèi)掩膜版廠商整體處于加速追趕階段，當(dāng)前主要包括中芯國際光罩廠、華潤迪思微（原華潤掩膜，華潤微電子子公司）、中微掩膜、龍圖光罩、清溢光電、路維光電、中國臺(tái)灣光罩等。其中，中芯國際光罩廠及華潤迪思微均為晶圓廠配套工廠，華潤迪思微部分掩膜版對(duì)外銷售。

目前，半導(dǎo)體三方掩膜版廠商產(chǎn)能主要集中在成熟制程領(lǐng)域，海外頭部掩膜版廠商大多已具備EUV掩膜版量產(chǎn)能力，其中Photronics及DNP技術(shù)節(jié)點(diǎn)已達(dá)5nm，Toppan半導(dǎo)體掩膜版技術(shù)節(jié)點(diǎn)達(dá)14nm，中國臺(tái)灣光罩主要產(chǎn)能集中于65nm以上制程，預(yù)計(jì)2023年Q4實(shí)現(xiàn)40nm制程量產(chǎn)，2025年實(shí)現(xiàn)28nm量產(chǎn)。

國內(nèi)掩膜版企業(yè)相對(duì)而且仍有較大發(fā)展空間，當(dāng)前基本均處于350-130nm制程范圍內(nèi)，其中龍圖光罩2022年掩膜版工藝節(jié)點(diǎn)提升至130nm，路維光電已實(shí)現(xiàn)250nm半導(dǎo)體掩膜版量產(chǎn)，并掌握了180/150nm節(jié)點(diǎn)的核心制造技術(shù)。

國內(nèi)廠商主流產(chǎn)品制程以350-130nm為主，國際廠商主流產(chǎn)品制程以100-50nm為主，中高端半導(dǎo)體掩模版產(chǎn)品仍主要依賴進(jìn)口。根據(jù)中國電子協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，目前中國半導(dǎo)體光掩膜版的國產(chǎn)化率約為10%，高端光掩膜版國產(chǎn)化率僅為3%。2023年下半年，國內(nèi)第三方掩模版廠商先后公告130nm-28nm節(jié)點(diǎn)的掩模版研發(fā)和產(chǎn)能規(guī)劃，加速半導(dǎo)體掩模版材料國產(chǎn)替代。

平板顯示掩模版美日韓占?jí)艛嗟匚?，國產(chǎn)化率僅10%左右。全球平板顯示掩模版市場中，美日韓處于壟斷地位，根據(jù)Omdia統(tǒng)計(jì)，2020年全球各大掩膜版廠商平板顯示掩膜版的銷售金額情況前五名分別為福尼克斯Photronics、SKE、HOYA、LG-IT和清溢光電，全球銷售額CR5達(dá)88%，供給集中度高。國內(nèi)平板顯示掩模版起步較晚，主要生產(chǎn)企業(yè)為路維光電和清溢光電。

國內(nèi)企業(yè)已實(shí)現(xiàn)相關(guān)技術(shù)突破，有望率先實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代。清溢光電2022年合肥工廠實(shí)現(xiàn)AMOLED/LTPS用高精度掩模版全面量產(chǎn)，逐步實(shí)現(xiàn)半色調(diào)掩模版（HTM）的客戶認(rèn)證和量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)上游材料自主涂膠的初步量產(chǎn)，部分產(chǎn)品分辨率達(dá)1600ppi并應(yīng)用于VR產(chǎn)品；路維光電2019年建成G11高世代TFT-LCD掩模版產(chǎn)線，首次具備超大尺寸掩模版生產(chǎn)能力，突破國外壟斷，具備G2.5-G11的半色調(diào)掩模版（HTM）生產(chǎn)能力，突破了上游高精度、大尺寸光阻涂布技術(shù)。兩家企業(yè)服務(wù)客戶涵蓋了國內(nèi)的面板生產(chǎn)巨頭企業(yè)，如京東方、華星光電、群創(chuàng)光電、深天馬等，逐步打開國產(chǎn)替代的廣闊空間。

八、掩膜版未來趨勢(shì)

1、邏輯工藝路線和特色工藝路線是半導(dǎo)體發(fā)展的兩大方向

邏輯工藝路線和特色工藝路線是當(dāng)今半導(dǎo)體工藝兩大方向，代表了兩種產(chǎn)品性能提升的方式（線寬縮小與功能集成）。兩者發(fā)展趨勢(shì)如下圖所示：

先進(jìn)邏輯工藝按照摩爾定律的規(guī)律，不斷追求工藝節(jié)點(diǎn)的縮小，從而滿足對(duì)于算力和速度提高的需求，以及功耗降低的需求；特色工藝路線是指以“超越摩爾定律（More than Moore）”為指導(dǎo)，不完全依賴縮小晶體管特征尺寸，而是通過聚焦新材料、新結(jié)構(gòu)、新器件的研發(fā)創(chuàng)新與運(yùn)用，強(qiáng)調(diào)定制化和技術(shù)品類多元性的半導(dǎo)體晶圓制造工藝。特色工藝通過持續(xù)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)與制造工藝，最大化發(fā)揮不同器件的物理特性來提升產(chǎn)品性能及可靠性。

先進(jìn)邏輯工藝與特色工藝并非是相互割裂、非此即彼的關(guān)系，隨著對(duì)半導(dǎo)體性能需求的不斷提升，先進(jìn)邏輯芯片也會(huì)采用優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)或集成其他工藝模塊的特色工藝技術(shù)來提升性能，如應(yīng)用于高性能CPU領(lǐng)域的3D封裝技術(shù)；特色工藝芯片也會(huì)通過適當(dāng)?shù)乜s小晶體管線寬來實(shí)現(xiàn)更高的單位性能和能耗比。

以功率半導(dǎo)體為例，為了提高開關(guān)頻率和功率密度、降低功耗，功率半導(dǎo)體的制程工藝不斷進(jìn)步，從最初的10μm逐步縮小至目前主流的0.5μm~130nm左右；同時(shí)，在器件結(jié)構(gòu)改進(jìn)方面，功率器件經(jīng)歷了平面、溝槽、超級(jí)結(jié)等器件結(jié)構(gòu)的變化，進(jìn)一步提高了器件的功率密度和工作頻率；而在材料方面，新興的第三代半導(dǎo)體功率器件采用了碳化硅、氮化鎵材料，進(jìn)一步提升了器件的開關(guān)特性、降低了功耗，也優(yōu)化了其耐高溫、耐高壓特性。功率半導(dǎo)體在多年的發(fā)展中，將線寬縮小與結(jié)構(gòu)、材料優(yōu)化相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了性能的飛躍。

由于摩爾定律不可避免地趨向物理極限，IC制造成本的不斷飆升使工藝尺寸的縮小變得愈發(fā)艱難。與開支大、折舊多、功能較為單一的邏輯工藝相比，特色工藝有著更強(qiáng)的盈利穩(wěn)定性和功能多樣性。因此，特色工藝路線是未來半導(dǎo)體制造發(fā)展的重要方向之一。

2、最小線寬及精度不斷提升

半導(dǎo)體產(chǎn)品隨著工藝技術(shù)進(jìn)步和性能提升，線寬越來越窄，對(duì)上游掩模版的工藝水平和精度控制能力提出了更高要求。為了解決掩模版制作過程中由于線寬逐步縮小帶來的諸多難題，以O(shè)PC光學(xué)鄰近效應(yīng)修正技術(shù)、PSM相移掩模版技術(shù)、電子束光刻技術(shù)為代表的一系列圖形分辨率增強(qiáng)技術(shù)興起并快速發(fā)展。

3、掩模版定制化要求越來越高

特色工藝半導(dǎo)體主要包括功率半導(dǎo)體（含第三代半導(dǎo)體）、MEMS傳感器、先進(jìn)封裝、電源管理芯片、模擬芯片等工藝平臺(tái)，近年來隨著新能源汽車、光伏發(fā)電、自動(dòng)駕駛、新一代移動(dòng)通信、人工智能等新技術(shù)的不斷成熟，工業(yè)控制、汽車電子等半導(dǎo)體主要下游制造行業(yè)的產(chǎn)業(yè)升級(jí)進(jìn)程加快，特色工藝半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展迅速。

特色工藝不完全依賴縮小晶體管特征尺寸，而是聚焦于新材料、新結(jié)構(gòu)、新器件的研發(fā)創(chuàng)新與運(yùn)用，強(qiáng)調(diào)定制化和技術(shù)品類多元性。由于下游特色工藝半導(dǎo)體高度定制化，平臺(tái)繁多、種類龐雜、領(lǐng)域眾多，且通常會(huì)集成多種功能，這對(duì)于第三方掩模版廠商的定制化服務(wù)能力提出了更高的要求，掩模版廠商需要有足夠的技術(shù)儲(chǔ)備才能滿足快速發(fā)展的特色工藝半導(dǎo)體的定制化要求。

4、套刻精度控制要求更高

隨著終端產(chǎn)品的功能日趨復(fù)雜，半導(dǎo)體產(chǎn)品的集成度持續(xù)提高，晶圓制造的工藝不斷進(jìn)步。隨著芯片堆疊層數(shù)的增加，半導(dǎo)體器件與集成電路的電路圖也越發(fā)復(fù)雜，晶圓表面需要光刻的圖案由傳統(tǒng)的二維電路圖像發(fā)展成含有多層結(jié)構(gòu)的三維電路圖像，這也導(dǎo)致半導(dǎo)體掩模版的張數(shù)不斷增加，CAM版圖處理的難度進(jìn)一步加大，掩模版的套刻精度控制也更加困難。

九、掩膜版重點(diǎn)企業(yè)介紹

1、國外企業(yè)

（1）福尼克斯Photronics

福尼克斯（Photronics）成立于1969年，是世界上領(lǐng)先的掩膜版制造商之一，也是北美第一大掩膜版制造廠商。公司于1987年在納斯達(dá)克上市，在北美、英國、德國、日本、中國臺(tái)灣、韓國和新加坡都設(shè)有制造和銷售中心。福尼克斯目前在全球范圍內(nèi)擁有十一家工廠，產(chǎn)品均為石英掩膜版，主要用于半導(dǎo)體芯片和顯示面板行業(yè)。

福尼克斯作為獨(dú)立第三方掩膜版廠商，是目前少數(shù)幾家目前可以提供先進(jìn)工藝所需掩膜版的廠商之一，其二元OPC掩膜版已經(jīng)可以支持到14nm到28nm的工藝節(jié)點(diǎn)，而PSM相移技術(shù)的加入，進(jìn)一步提高了圖形曝光分辨率，使其得以突破14nm，可以提供5nm及之后節(jié)點(diǎn)的EUV（Extreme Ultra-Violet，極紫外光刻）掩膜版。

2022年福尼克斯實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入8.25億美元，同比增加24%；IC板塊收入5.93億美元，同比增加29%，其中28nm及以下先進(jìn)制程產(chǎn)品（高端產(chǎn)品）占比相對(duì)較低，仍以28nm以上制程產(chǎn)品為主。下游客戶主要包括聯(lián)華電子、三星等，前五大客戶收入合計(jì)占比超過45%。

（2）Toppan

Toppan（凸版印刷株式會(huì)社）成立于1908年，2022年4月，Toppan與日本私募股權(quán)公司Integral Corporation成立Toppan photomask，獨(dú)立其半導(dǎo)體掩膜版業(yè)務(wù)，并強(qiáng)化半導(dǎo)體掩膜版和FC-BGA基板的研發(fā)和銷售。在技術(shù)方面，Toppan同樣著力于開發(fā)EUV光刻掩膜版，目前已具有量產(chǎn)能力。

Toppan在全球擁有8個(gè)生產(chǎn)基地，是世界上唯一一家在北美、歐洲、亞洲均設(shè)有生產(chǎn)基地的供應(yīng)商。Toppan上海工廠以生產(chǎn)66/55nm制程掩膜版為主，2019年起開始生產(chǎn)28/14nm的先進(jìn)制程掩膜版。Toppan的競爭優(yōu)勢(shì)在于生產(chǎn)和銷售網(wǎng)絡(luò)遍布全球，以應(yīng)對(duì)地緣政治風(fēng)險(xiǎn)，客戶源較穩(wěn)定。

2022財(cái)年，Toppan電子事業(yè)部（包含半導(dǎo)體業(yè)務(wù)和顯示元器件業(yè)務(wù)）共實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入2553億日元，同比增長20.6%，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)營收1591億日元，占比超60%。展望2025年，公司中期計(jì)劃實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入2950億日元，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)占比將進(jìn)一步提升。

（3）DNP

DNP（大日本印刷株式會(huì)社）成立于1876年，涉及以印刷技術(shù)為核心的多個(gè)業(yè)務(wù)領(lǐng)域，是世界上首次采用多電子光束繪制設(shè)備制造掩膜版的企業(yè)，掩膜版產(chǎn)品不僅可用于當(dāng)下最先進(jìn)的EUV光刻，還可用于5nm高端制程。此外DNP還通過與IMEC（比利時(shí)微電子研究中心）合作，推進(jìn)3nm及以下的更高制程產(chǎn)品的工藝研發(fā)。

2022年11月，DNP宣布擬投資200億日元，在位于日本福岡縣北九州市的黑崎工廠新設(shè)產(chǎn)線，用于生產(chǎn)OLED精細(xì)金屬掩膜版。新產(chǎn)線計(jì)劃在2024年上半年投產(chǎn)。擴(kuò)產(chǎn)后，DNP將憑借在智能手機(jī)應(yīng)用掩膜版市占率第一的優(yōu)勢(shì)向平板、筆記本電腦方向擴(kuò)大業(yè)務(wù)量。

2022財(cái)年DNP電子業(yè)務(wù)板塊實(shí)現(xiàn)營收2036億日元，毛利率為22%。在電子業(yè)務(wù)中，引線框架和半導(dǎo)體封裝組件銷售額均有所下滑，只有掩膜版業(yè)務(wù)增長強(qiáng)勁，帶動(dòng)了電子板塊銷售額實(shí)現(xiàn)同比增長。展望2025年，公司預(yù)計(jì)在電子業(yè)務(wù)板塊實(shí)現(xiàn)2300億日元的營業(yè)收入。

2、國內(nèi)掩膜版上市公司

（1）路維光電

高世代掩模版領(lǐng)先廠商，實(shí)現(xiàn)180nm制程量產(chǎn)和半色調(diào)掩模版技術(shù)。公司主營業(yè)務(wù)為掩模版研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品應(yīng)用于平板顯示、半導(dǎo)體、觸控和電路板等行業(yè)。

平板顯示領(lǐng)域：公司2019年建成國內(nèi)首條G11超高世代TFT-LCD掩模版產(chǎn)線，國內(nèi)唯一覆蓋G2.5-G11全世代的掩模版生產(chǎn)企業(yè)，G11世代掩模版全球市占率19.21%，逐步實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代。近年來，公司突破半色調(diào)掩模版（HTM）和上游光阻涂布技術(shù)，打破國外壟斷。

半導(dǎo)體領(lǐng)域：公司堅(jiān)持“以屏帶芯”戰(zhàn)略，已實(shí)現(xiàn)180nm及以上制程節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體掩模版量產(chǎn)，并儲(chǔ)備150nm節(jié)點(diǎn)核心技術(shù)，滿足先進(jìn)半導(dǎo)體封裝、半導(dǎo)體器件、先進(jìn)指紋模組封裝、高精度藍(lán)寶石襯底（PSS）和第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品的掩模版需求。同時(shí)，公司擬投資20億元逐步建設(shè)并量產(chǎn)130-28nm制程節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體掩模版產(chǎn)品，加速高端制程國產(chǎn)替代進(jìn)程。

（2）清溢光電

專注8.5代以下小尺寸高清面板領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)180nm制程掩模版量產(chǎn)。公司是國內(nèi)成立最早、規(guī)模最大的掩模版生產(chǎn)企業(yè)之一，主要從事掩模版的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于平板顯示、半導(dǎo)體芯片、觸控、電路板等行業(yè)。

平板顯示領(lǐng)域：公司專注G8.6世代以下高精度掩模版生產(chǎn)，已實(shí)現(xiàn)8.5代高精度TFT用掩膜版及6代中精度AMOLED/LTPS用掩膜版的量產(chǎn)，初步實(shí)現(xiàn)上游基板涂膠工藝量產(chǎn)和半色調(diào)掩模版（HTM）的多家客戶供貨。正逐步推進(jìn)8.6代高精度TFT用掩膜版和6代高精度AMOLED/LTPS用掩膜版的量產(chǎn)計(jì)劃，同步進(jìn)行6代超高精度AMOLED/LTPS用掩膜版的研發(fā)。

半導(dǎo)體領(lǐng)域：已實(shí)現(xiàn)180nm制程節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體掩模版的客戶認(rèn)證及量產(chǎn)，正在開展130nm-65nm半導(dǎo)體芯片掩膜版的工藝研發(fā)和28nm半導(dǎo)體芯片所需的掩膜版工藝開發(fā)規(guī)劃。公司規(guī)劃在佛山市投資35億元建設(shè)佛山生產(chǎn)基地項(xiàng)目，包括“高精度掩膜版生產(chǎn)基地建設(shè)項(xiàng)目”和“高端半導(dǎo)體掩膜版生產(chǎn)基地建設(shè)項(xiàng)目”。

（3）龍圖光罩

半導(dǎo)體掩模版工藝節(jié)點(diǎn)從1μm逐步提升至130nm，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體、MEMS傳感器、IC封裝、模擬IC等特色工藝半導(dǎo)體領(lǐng)域。公司將跟隨國家半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略，圍繞高端半導(dǎo)體芯片掩模版領(lǐng)域，持續(xù)加大研發(fā)投入，逐步實(shí)現(xiàn)90nm、65nm以及更高節(jié)點(diǎn)掩模版的量產(chǎn)與國產(chǎn)化配套。

（4）中芯國際光罩廠

擁有中國大陸最大及最先進(jìn)的光掩模制造設(shè)施。配備了先進(jìn)的設(shè)備工具，中芯光罩廠運(yùn)用光學(xué)趨近效應(yīng)修正技術(shù)(OPC)，為客戶提供二元鉻版光掩模以及相位移動(dòng)光掩模。5"×5"和6"×6"的光掩模均可用于G-line，I-line，深紫外線DUV及ArF步進(jìn)曝光機(jī)和掃描曝光機(jī)。

（5）中國臺(tái)灣光罩

中國臺(tái)灣光罩成立于1988年，于1995年在中國臺(tái)灣證券交易所上市，股票代碼2338。中國臺(tái)灣光罩的主要產(chǎn)品為半導(dǎo)體芯片掩模版，目前可以采用OPC及PSM技術(shù)量產(chǎn)0.18、0.15、0.11及0.09微米的掩模版產(chǎn)品。

3、掩膜版非上市公司-半導(dǎo)體類

（1）無錫迪思微電子有限公司

迪思微成立于2012年，隸屬華潤微電子代工事業(yè)群，是華潤微電子旗下從事掩模代工業(yè)務(wù)的專業(yè)公司，專注于半導(dǎo)體掩模版的研發(fā)、生產(chǎn)和制作。迪思微可提供0.13μm工藝節(jié)點(diǎn)的掩模產(chǎn)品。

融資進(jìn)展：2022年，由興橙資本、寶鼎投資領(lǐng)投，浦東科投、無錫新投、國調(diào)基金跟投共同完成A輪融資，融資金額為6.2億人民幣；2023年，完成B輪5.2億股權(quán)融資，由中金資本、中信證券投資、珩創(chuàng)投資等機(jī)構(gòu)共同參與。

（2）無錫中微掩模電子有限公司

中微掩模成立于2007年，是一家專業(yè)從事0.13μm及以上水平的高端集成電路掩模生產(chǎn)和技術(shù)開發(fā)的高科技公司，可提供0.35～0.13微米（350nm-130nm）工藝節(jié)點(diǎn)的掩模版產(chǎn)品。

（3）廣州新銳光掩?？萍加邢薰?/strong>

成立于2021年2月，是迄今國內(nèi)獨(dú)立先進(jìn)光掩模生產(chǎn)制造商。核心團(tuán)隊(duì)集中了多名二十年以上光掩模制造經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)專家與管理人才，都曾在國內(nèi)技術(shù)水平光掩模制造領(lǐng)域工作多年。

歷史融資：已完成多輪融資，股東包括：中芯聚源、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、武岳峰科創(chuàng)、粵財(cái)基金、新微資本

（4）寧波冠石科技

為上市公司冠石科技的全資子公司。2023年5月16日，冠石科技與寧波前灣新區(qū)管理委員會(huì)簽署《投資協(xié)議書》。公司擬在寧波前灣新區(qū)投資建設(shè)半導(dǎo)體光掩膜版制造項(xiàng)目，實(shí)施主體為寧波冠石半導(dǎo)體有限公司，項(xiàng)目總投資約20億元，先期投資16億元，擬用地約68.8畝，建設(shè)周期計(jì)劃為60個(gè)月，主要生產(chǎn)45-28nm成熟制程的半導(dǎo)體光掩膜版。

（5）興華芯(紹興)半導(dǎo)體科技有限公司

（6）泉意光罩光電科技(濟(jì)南)有限公司

注冊(cè)資本45億元人民幣，廠區(qū)占地面積13萬平方米。主營業(yè)務(wù)為光罩研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，現(xiàn)有員工400余人。

4、掩膜版非上市公司-平板顯示

（1）合肥光微光電：是上海菲利華石創(chuàng)科技有限公司的全資子公司，集團(tuán)總公司為湖北菲利華。公司充分整合湖北菲利華全球領(lǐng)先的合成石英基板材料優(yōu)勢(shì)、上海菲利華石創(chuàng)國內(nèi)領(lǐng)先的石英玻璃精密加工技術(shù)優(yōu)勢(shì)，以及合肥高新區(qū)在FPD領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)集群優(yōu)勢(shì)，打造國內(nèi)首家具備“FPD及半導(dǎo)體用光掩膜板精加工”能力的專業(yè)公司。

（2）浙江眾凌科技：浙江眾凌科技成立于2020年9月。2021年3月，備案《年產(chǎn)24000條高精密金屬掩模板項(xiàng)目》；2021年3月，申報(bào)《年產(chǎn)24000條高精密金屬掩模板項(xiàng)目》，擬以租賃廠房的方式建設(shè)FMM生產(chǎn)產(chǎn)線；2022年3月，《年產(chǎn)24000條高精密金屬掩模板項(xiàng)目》驗(yàn)收。

（3）深圳市精石光掩膜技術(shù)：生產(chǎn)3-9寸半導(dǎo)體蘇打及石英掩膜基版

（4）深圳市美精微光電：大面積光掩膜版

（5）山東奧萊電子科技：成立于2019年3月。2019年12月，項(xiàng)目奠基，一期產(chǎn)品用于生產(chǎn)應(yīng)用于OLED和WOLED發(fā)光層材料與共通層材料的蒸鍍領(lǐng)域，即CMM產(chǎn)品；2020年7月，備案《年產(chǎn)36000條金屬掩模板生產(chǎn)項(xiàng)目一期工程》；2022年11月，《年產(chǎn)36000條金屬掩模板生產(chǎn)項(xiàng)目一期工程》驗(yàn)收。根據(jù)新聞描述，該公司主要用于生產(chǎn)CMM(OPM)產(chǎn)品，根據(jù)調(diào)查反饋其產(chǎn)能大約為3840張/年（全尺寸）。

（6）立德半導(dǎo)體：原為大富科技，其后更名為立德半導(dǎo)體，全名為安徽立德半導(dǎo)體材料有限公司，成立于2018年5月，其從業(yè)人員在2021年和2022年分別為21人和45人，其產(chǎn)線或已進(jìn)入運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)。2020年7月，備案《高精密半導(dǎo)體引線框架及AMOLED蒸鍍用高精度金屬掩模板（一期）項(xiàng)目》；2020年11月，《高精密半導(dǎo)體引線框架及AMOLED蒸鍍用高精度金屬掩模板（一期）項(xiàng)目》獲批，項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)1億條蝕刻型引線、3000萬條沖壓型引線、700萬件高精度金屬掩膜板。

（7）寰采星：寰采星科技（寧波）成立于2019年3月。國內(nèi)首家AMOLED半導(dǎo)體顯示蒸鍍用精細(xì)金屬掩膜版（FMM）產(chǎn)業(yè)化及工藝技術(shù)綜合解決方案供應(yīng)商。公司創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)來自于全球半導(dǎo)體顯示行業(yè)領(lǐng)軍級(jí)運(yùn)營團(tuán)隊(duì)和全球領(lǐng)先的金屬掩膜版核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)。三期總投資12億元人民幣，建設(shè)11條金屬掩膜版產(chǎn)線，寧波市配套土地80畝，三期滿產(chǎn)可達(dá)年產(chǎn)值35億。

（8）深圳浚漪科技：世界主要的OLED蒸鍍金屬掩膜版廠商之一，現(xiàn)有員工100多人。公司是國家重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)，聯(lián)想控股旗下成員。公司業(yè)務(wù)包括OLED金屬掩膜版研發(fā)生產(chǎn)制造以及配套清潔維修服務(wù)。

（9）安徽浚潁光電：成立于2019年12月。2021年9月，《新型顯示技術(shù)OLED高精密金屬掩膜板研發(fā)制造項(xiàng)目》驗(yàn)收，實(shí)際投資為46000萬余，實(shí)際產(chǎn)能為年產(chǎn)600片金屬掩膜板、年清洗1800片金屬掩膜板和30000片擋板。2022年3月，申報(bào)《新型顯示技術(shù)OLED高精密金屬掩膜板研發(fā)制造項(xiàng)目》擬投資20000萬元進(jìn)行擴(kuò)建并購置安裝OLED高精密金屬掩模版生產(chǎn)線1條，建設(shè)完成后可形成年產(chǎn)36000片OLED高精密金屬掩模版的生產(chǎn)規(guī)模。

（10）和輝光電：與其他單獨(dú)成立公司從事金屬掩模版行業(yè)的企業(yè)不同，作為顯示面板生產(chǎn)企業(yè)，和輝從建立之初就注意到FMM是AMOLED生產(chǎn)的關(guān)鍵原材料，并一直嘗試著將FMM的生產(chǎn)本土化。

（11）廣州仕元光電：精度掩膜版—鉻版光罩的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售

5、掩膜版上游材料

（1）湖南普照信息材料有限公司：高精度光掩膜基版材料（勻膠鉻版）研發(fā)、生產(chǎn)與銷售

（2）長沙韶光芯材科技有限公司：光掩模材料(亦稱光掩?；澹t版，光罩基板)研發(fā)及生產(chǎn)

（3）聚和新材

（4）安徽禾臣新材料有限公司

來源：

1、平安證券，《半導(dǎo)體材料系列（二）掩膜版：光刻藍(lán)本，國產(chǎn)蓄力》，2023-8-18；

2、華安證券，《掩模版：光刻藍(lán)本蓄力國產(chǎn)替代，國內(nèi)成長空間廣闊》，2023-10-21

3、安信證券，《半導(dǎo)體行業(yè)專題報(bào)告：滲透率提升+國產(chǎn)芯片崛起雙重驅(qū)動(dòng)，掩膜版行業(yè)進(jìn)入高速增長通道》，2022-8-26

4、海通國際，《中國半導(dǎo)體：國產(chǎn)半導(dǎo)體掩膜版受益于國內(nèi)晶圓廠新建產(chǎn)能釋放，本土光罩廠積極擴(kuò)產(chǎn)》，2023-12-11

5、深圳市龍圖光罩股份有限公司招股說明書

6、路維光電招股說明書

7、和誠IPO微信公眾號(hào)，《半導(dǎo)體核心材料—光掩膜版淺析》

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