Microchip Technology EV65N25A評(píng)估板基于Microchip的PD70288理想二極管橋 (IDB) 開(kāi)發(fā)。PD70288器件是第三代IEEE? 802.3bt兼容以太網(wǎng)供電 (POE) 用電設(shè)備 (PD) 系列的一部分。PD70288是一款雙有源電橋,帶內(nèi)部MOSFET,總路徑電阻為140mΩ(典型值),采用38引腳、8mm x 8mm QFN封裝。Microchip EV65N25A演示單個(gè)簽名供電設(shè)備 (SSPD) 應(yīng)用。該板使用PD70210AILQ PD前端設(shè)備支持2/4對(duì)上的檢測(cè)、分類和供電相位。連接到4對(duì)PoE輸入時(shí),該板支持高達(dá)90W輸出功率。連接到2對(duì)PoE輸入時(shí),輸出電流應(yīng)限制在1.5A。
數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Microchip Technology EV65N25A 評(píng)估板數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
特性
- PD70288 IEEE 802.3bt 95W理想二極管橋
- 輸入RJ45連接器(電源+數(shù)據(jù))
- 用于數(shù)據(jù)的輸出RJ45連接器
- IDB輸出連接器
- POE PD輸出連接器
- 綠色狀態(tài)指示LED
- 墻式適配器連接
- 隔離變壓器,用于將數(shù)據(jù)發(fā)送到PD應(yīng)用,以實(shí)現(xiàn)完整的PD評(píng)估
- 浪涌合規(guī)性,高達(dá)2kV共模,符合IEC61000-4-5:2014標(biāo)準(zhǔn)
- 工作溫度范圍:0 °C至+40 °C
- 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
框圖
測(cè)試設(shè)置
?基于PD70288理想二極管橋評(píng)估板的技術(shù)解析與應(yīng)用指南?
?一、評(píng)估板核心架構(gòu)解析?
?1. PD70288芯片特性?
- ?雙主動(dòng)橋設(shè)計(jì)?:集成內(nèi)部MOSFET,總路徑電阻典型值140mΩ,支持IEEE 802.3bt標(biāo)準(zhǔn)(90W PoE供電)
- ?封裝與兼容性?:38引腳8mm×8mm QFN封裝,支持單簽名供電設(shè)備(SSPD)應(yīng)用場(chǎng)景
?2. 評(píng)估板功能模塊?
- ?輸入接口?:RJ45連接器(P1)支持2/4對(duì)PoE輸入,最大輸出功率90W(4對(duì))或1.5A限流(2對(duì))
- ?輸出配置?:通過(guò)跳線J1/J2切換輸出至P4(IDB獨(dú)立測(cè)試)或P5(完整PD應(yīng)用)
- ?保護(hù)機(jī)制?:內(nèi)置過(guò)溫警告(OTW)信號(hào),觸發(fā)時(shí)主動(dòng)斷開(kāi)負(fù)載并需重啟PSE恢復(fù)
?二、關(guān)鍵電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)?
?1. 電源路徑管理?
- ?延遲電路?:滿足IEEE802.3標(biāo)準(zhǔn)要求的80ms浪涌延遲,采用MOSFET實(shí)現(xiàn)
- ?隔離設(shè)計(jì)?:可選光耦(U4)隔離OTW信號(hào),支持外部電路聯(lián)動(dòng)保護(hù)
?2. 測(cè)試與診斷接口?
- ?測(cè)試點(diǎn)布局?:
IN1A/IN1B
、IN2A/IN2B
:監(jiān)測(cè)IDB輸入電壓IDB_VPP/VPN_IN
:測(cè)量IDB輸出電壓- 浪涌驗(yàn)證電容:360μF/100V(±20%)容值限制
?三、典型應(yīng)用場(chǎng)景與配置步驟?
?1. 快速啟動(dòng)流程?
- ?跳線設(shè)置?:短接J1.2-J1.3、J2.2-J2.3連接PD70210A前端電路(默認(rèn))
- ?負(fù)載連接?:根據(jù)需求選擇P4(獨(dú)立測(cè)試)或P5(完整PD評(píng)估)
- ?電源輸入?:通過(guò)P1(PoE)或P3(墻式適配器42-57V)供電
- ?數(shù)據(jù)測(cè)試?:P2接口連接PD主機(jī)驗(yàn)證以太網(wǎng)通斷
?2. 性能優(yōu)化建議?
- ?散熱管理?:工作溫度范圍0°C~40°C,需避免封閉環(huán)境長(zhǎng)時(shí)間滿負(fù)荷運(yùn)行
- ?安全警示?:禁止超過(guò)1.5A負(fù)載電流(2對(duì)PoE輸入)
?四、設(shè)計(jì)參考與擴(kuò)展應(yīng)用?
- ?BOM選型?:關(guān)鍵器件如PD70288(QFN-38)、PD70210A(DFN-16)需嚴(yán)格按手冊(cè)規(guī)格采購(gòu)
- ?布局建議?:4層PCB設(shè)計(jì),內(nèi)層1/2為電源與地平面,參考圖7-1至7-5的層疊結(jié)構(gòu)
- ?定制開(kāi)發(fā)?:通過(guò)J3跳線禁用內(nèi)部MOSFET,可對(duì)比傳統(tǒng)二極管橋的功率損耗差異
?附錄:核心參數(shù)速查?
參數(shù) | 最小值 | 最大值 | 單位 |
---|---|---|---|
輸入電壓范圍 | 0 | 57 | V |
輸出電流(2對(duì)PoE) | — | 1.5 | A |
工作溫度 | 0 | 40 | °C |
(注:本文內(nèi)容均基于Microchip EV65N25A評(píng)估板用戶手冊(cè)DS50003732A版本整理)
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