微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）傳感器技術(shù)已廣泛應(yīng)用于汽車、醫(yī)療等領(lǐng)域，但在航空發(fā)動(dòng)機(jī)等極端高溫環(huán)境（ > 500℃ ）中，傳統(tǒng)硅基傳感器因材料限制無(wú)法使用。碳化硅（ SiC ）因其高溫穩(wěn)定性、高集成性成為理想替代材料，但其關(guān)鍵材料參數(shù)（如襯底熱膨脹系數(shù)、薄膜電阻溫度特性）缺乏系統(tǒng)研究，導(dǎo)致傳感器設(shè)計(jì)階段難以評(píng)估溫度效應(yīng)。本研究結(jié)合Xfilm埃利在線四探針?lè)阶鑳x針對(duì)4H-SiC襯底與薄膜電阻器的薄膜電阻電阻率進(jìn)行測(cè)量，通過(guò)實(shí)驗(yàn)建立溫度特性模型，為高溫MEMS傳感器設(shè)計(jì)提供數(shù)據(jù)支撐。

溫度誤差理論分析

/Xfilm

典型壓阻式傳感器簡(jiǎn)化模型

典型MEMS壓阻傳感器由機(jī)械應(yīng)力傳遞模塊和惠斯通電橋組成。溫度影響下，傳感器輸出誤差可分解為靈敏度變化（與壓阻系數(shù)溫度相關(guān)性）和偏置漂移（與熱應(yīng)力、電阻溫度特性相關(guān)）。其中，熱應(yīng)力σ?(T)與材料熱膨脹系數(shù)（CTE）、楊氏模量及泊松比相關(guān)，而偏置漂移β(T)受薄膜電阻率溫度特性影響。忽略壓阻系數(shù)各向異性后，本研究聚焦襯底機(jī)械特性與電阻溫度特性的耦合作用。

4H-SiC 襯底的熱機(jī)械特性

/Xfilm

壓阻式MEMS碳化硅傳感器晶圓結(jié)構(gòu)

頂層為高摻雜n型SiC，刻蝕形成薄膜電阻；第二層為低摻雜p型SiC，與頂層形成p-n結(jié)隔離層；第三層為緩沖層（外延生長(zhǎng)必需）；底層為基板，用于構(gòu)建三維敏感結(jié)構(gòu)或封裝。在高溫環(huán)境中，4H-SiC基板的力學(xué)特性對(duì)其性能至關(guān)重要：

• 楊氏模量與泊松比：隨溫度呈線性變化；
• 熱膨脹系數(shù)（CTE）：在-150°C至500°C范圍內(nèi)呈非線性變化，忽略非線性將導(dǎo)致顯著誤差；
• 熱擴(kuò)散系數(shù)：室溫至500°C范圍內(nèi)隨溫度升高逐漸降低，且溫度越高，降低速率越慢。

薄膜電阻電阻率機(jī)制

/Xfilm

• 制備與測(cè)試

顯微鏡下薄膜電阻照片：(a) 不同長(zhǎng)度的薄膜電阻；(b) 不同寬度的薄膜電阻

室溫下薄膜電阻阻值測(cè)試結(jié)果

采用Ni/Ti/Au金屬體系形成高溫歐姆接觸（接觸電阻率≈10?? Ω·cm2）。電阻尺寸實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證阻值符合當(dāng)電阻厚度固定時(shí)，阻值與長(zhǎng)度成正比，與寬度成反比。室溫電阻率范圍：75–200 Ω·μm（對(duì)應(yīng)摻雜濃度>1×101? cm?3）。

電阻率溫度轉(zhuǎn)折機(jī)制

不同尺寸薄膜電阻的阻值隨溫度變化測(cè)試結(jié)果：(a) 不同長(zhǎng)度；(b) 不同寬度

相同尺寸不同摻雜濃度薄膜電阻在不同溫度下的阻值測(cè)試

測(cè)試發(fā)現(xiàn)電阻率隨溫度呈先降后升趨勢(shì)，轉(zhuǎn)折溫度（Ttrans）由摻雜濃度決定：

• 高電阻率（159.7 Ω·μm）：Ttrans≈ 150°C
• 低電阻率（75.3 Ω·μm）：Ttrans≈ 400°C

• 物理機(jī)制

碳化硅晶體內(nèi)部雜質(zhì)運(yùn)動(dòng)的假設(shè)分析模型

• 低溫段：雜質(zhì)電離主導(dǎo)，載流子濃度↑ → 電阻率↓
• 高溫段：晶格散射主導(dǎo)，電子遷移率↓ → 電阻率↑
  

高摻雜樣品因雜質(zhì)電離飽和延遲，Ttrans更高。

芯片級(jí)驗(yàn)證與誤差分析

/Xfilm

電阻內(nèi)部電壓分布與電流的仿真結(jié)果

通過(guò)COMSOL多物理場(chǎng)仿真分析熱應(yīng)力對(duì)電阻的影響：仿真結(jié)果：襯底熱應(yīng)力使電阻顯著降低，高溫下降幅達(dá)20%；自由膨脹懸臂梁上電阻僅受電阻率變化影響。

電阻隨溫度變化的數(shù)值仿真結(jié)果

電阻測(cè)試結(jié)果與仿真結(jié)果對(duì)比

實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證：封裝芯片在室溫至500℃測(cè)試中，仿真與實(shí)測(cè)趨勢(shì)一致性良好，最大誤差4.53%，誤差主要源于封裝膠熱膨脹系數(shù)差異。本研究基于典型MEMS壓阻式傳感器的溫度誤差模型，分析了4H-SiC基板的機(jī)械特性和薄膜電阻電阻率，建立了溫度函數(shù)模型，用于解析高溫條件下傳感器的溫度效應(yīng)。所有測(cè)試數(shù)據(jù)集成于包含4H-SiC基板和薄膜電阻的物理芯片中，器件仿真結(jié)果與測(cè)試結(jié)果高度一致（最大平均誤差僅4.53%），驗(yàn)證了數(shù)據(jù)的正確性與有效性。

Xfilm埃利在線四探針?lè)阶鑳x

/Xfilm

film埃利在線方阻測(cè)試儀是專為光伏工藝監(jiān)控設(shè)計(jì)的在線四探針?lè)阶鑳x，可以對(duì)最大230mm×230mm的樣品進(jìn)行快速、自動(dòng)的掃描，獲得樣品不同位置的方阻/電阻率分布信息。

• 最大樣品滿足230mm×230mm
• 測(cè)量范圍：1mΩ~100MΩ
• 測(cè)量點(diǎn)數(shù)支持5點(diǎn)、9點(diǎn)測(cè)量，同時(shí)測(cè)試5點(diǎn)滿足≤5秒，同時(shí)測(cè)試9點(diǎn)滿足≤10秒
• 測(cè)量精度：保證同種型號(hào)測(cè)量的精準(zhǔn)度不同測(cè)試儀器間測(cè)試誤差在±1%

本研究實(shí)驗(yàn)關(guān)鍵電阻參數(shù)通過(guò)Xfilm埃利在線四探針?lè)阶鑳x驗(yàn)證，未來(lái)可進(jìn)一步將溫度參數(shù)整合到全SiC傳感器系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，建立更完善的高溫誤差分析模型，推動(dòng) MEMS 技術(shù)在高溫領(lǐng)域的深度應(yīng)用。

原文參考：《Temperature Characteristics of 4H-SiC Substrate and Thin-Film Resistor Applied in MEMS Piezoresistive Sensors》

*特別聲明：本公眾號(hào)所發(fā)布的原創(chuàng)及轉(zhuǎn)載文章，僅用于學(xué)術(shù)分享和傳遞行業(yè)相關(guān)信息。未經(jīng)授權(quán)，不得抄襲、篡改、引用、轉(zhuǎn)載等侵犯本公眾號(hào)相關(guān)權(quán)益的行為。內(nèi)容僅供參考，如涉及版權(quán)問(wèn)題，敬請(qǐng)聯(lián)系，我們將在第一時(shí)間核實(shí)并處理。