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韓國KAIST為f-VLED研發(fā)出一種低成本的生產(chǎn)方法

廣明源 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:工程師譚軍 ? 2018-07-04 15:05 ? 次閱讀
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據(jù)外媒報道,韓國KAIST研究團隊為柔性垂直藍色薄膜MicroLED(f-VLED)開發(fā)了一種低成本的生產(chǎn)方法。由材料科學和工程系的李教授 Keon Jae Lee帶領的研究團隊開發(fā)了一種用于在塑料上制造數(shù)千個藍色氮化鎵(GaN)Micro LED(厚度<2μm)陣列的一次性轉(zhuǎn)移方法。

藍色GaN f-VLED實現(xiàn)了比橫向Micro LED高三倍的光功率密度(大約30 mW / mm2)。此外,該團隊還能夠減少設備熱量的產(chǎn)生,從而使投影設備的使用壽命延長了大約100,000小時。

這種藍色f-VLED可配合可穿戴設備適形地連接到皮膚種,甚至是植入大腦。此外,該研發(fā)團隊表示可以通過無線傳輸?shù)碾娔転樵揗icro LED穩(wěn)定供電。

由于其非常低的功耗、更快的響應速度以及設計靈活性,預計Micro LED將取代AMOLED顯示器。然而,要擴展到更大的顯示器和電視,這種制造技術將需要能夠傳輸數(shù)百萬個紅色、藍色和綠色Micro LEDs。

Lee教授指出:“對于未來的Micro LED而言,薄膜轉(zhuǎn)移、高效器件和互連的創(chuàng)新技術都是非常必要的。我們計劃在今年年底之前展示智能手表尺寸的全彩色LED顯示屏?!?/p>

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:韓國KAIST研發(fā)用于f-VLED的低成本轉(zhuǎn)移方法

文章出處:【微信號:gmyokwx,微信公眾號:廣明源】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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