MSPM0G350x 微控制器 （MCU） 是 MSP 高度集成、超低功耗 32 位 MCU 系列的一部分，基于增強(qiáng)型 Arm Cortex-M0+ 32 位核心平臺，工作頻率高達(dá) 80 MHz。這些成本優(yōu)化的 MCU 提供高性能模擬外設(shè)集成，支持 -40°C 至 125°C 的擴(kuò)展溫度范圍，工作電壓范圍為 1.62 V 至 3.6 V。
*附件：mspm0g3507.pdf

MSPM0G350x 器件提供高達(dá) 128KB 的嵌入式閃存，帶有內(nèi)置糾錯(cuò)碼 （ECC），以及高達(dá) 32KB 的 SRAM，具有硬件奇偶校驗(yàn)選項(xiàng)。這些MCU還集成了一個(gè)存儲器保護(hù)單元、7通道DMA、數(shù)學(xué)加速器和各種高性能模擬外設(shè)，例如兩個(gè)12位4-Msps ADC、可配置的內(nèi)部共享基準(zhǔn)電壓源、一個(gè)12位1-Msps DAC、三個(gè)帶內(nèi)置基準(zhǔn)DAC的高速比較器、兩個(gè)具有可編程增益的零漂移零交叉運(yùn)算放大器和一個(gè)通用放大器。這些器件還提供智能數(shù)字外設(shè)，例如兩個(gè) 16 位高級控制定時(shí)器、五個(gè)通用定時(shí)器（其中 1 個(gè)用于 QEI 接口的 16 位通用定時(shí)器、兩個(gè)用于待機(jī)模式的 16 位通用定時(shí)器和一個(gè) 32 位通用定時(shí)器）、兩個(gè)窗口看門狗定時(shí)器以及一個(gè)具有警報(bào)和日歷模式的 RTC。這些器件提供數(shù)據(jù)完整性和加密外設(shè)（AES、CRC、TRNG）和增強(qiáng)的通信接口（四個(gè)UART、兩個(gè)I2C、兩個(gè)SPI、CAN 2.0/FD）。

TI MSPM0 系列低功耗 MCU 由具有不同程度模擬和數(shù)字集成的器件組成，使客戶能夠找到滿足其項(xiàng)目需求的 MCU。MSPM0 MCU 平臺將 Arm Cortex-M0+ 平臺與整體超低功耗系統(tǒng)架構(gòu)相結(jié)合，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠在降低能耗的同時(shí)提高性能。

特性

• 核心
  • Arm 32 位 Cortex-M0+ CPU，帶內(nèi)存保護(hù)單元，頻率高達(dá) 80 MHz
• 作特性
  • 擴(kuò)展溫度：–40°C 至 125°C
  • 寬電源電壓范圍：1.62 V 至 3.6 V
• 記憶
  • 高達(dá) 128KB 的閃存，帶糾錯(cuò)碼 （ECC）
  • 高達(dá) 32KB 的 SRAM，具有硬件奇偶校驗(yàn)
• 高性能模擬外設(shè)
  • 兩個(gè)同步采樣 12 位 4 Msps 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 （ADC），具有多達(dá) 17 個(gè)外部通道
    • 14 位有效分辨率，250 ksps，硬件平均
  • 一個(gè)12位1MSPS數(shù)模轉(zhuǎn)換器，帶集成輸出緩沖器（DAC）
  • 兩個(gè)零漂移零交叉斬波運(yùn)算放大器 （OPA）
    • 0.5μV/°C 漂移，帶斬波
    • 集成可編程增益級，高達(dá) 32 倍
  • 一個(gè)通用放大器 （GPAMP）
  • 三個(gè)高速比較器（COMP），帶8位基準(zhǔn)DAC
    • 高速模式下的傳播延遲為 32 ns
    • 支持低至 0.7 μA 的低功耗模式作
  • ADC、OPA、COMP 和 DAC 之間的可編程模擬連接
  • 可配置的1.4V或2.5V內(nèi)部共享基準(zhǔn)電壓源（VREF）
  • 集成溫度傳感器
  • 集成供應(yīng)監(jiān)視器
• 優(yōu)化的低功耗模式
  • 運(yùn)行：96 μA/MHz （CoreMark）
  • 睡眠：4 MHz 時(shí)為 467 μA
  • STOP：32 kHz 時(shí)為 46 μA
  • 待機(jī)：1.5 μA，帶 RTC 和 SRAM 保持
  • 關(guān)斷：80 nA，具有IO喚醒功能
• 智能數(shù)字外設(shè)
  • 7通道DMA控制器
  • 數(shù)學(xué)加速器支持 DIV、SQRT、MAC 和 TRIG 計(jì)算
  • 七個(gè)定時(shí)器支持多達(dá) 22 個(gè) PWM 通道
    • 一個(gè) 16 位通用定時(shí)器
    • 一個(gè) 16 位通用定時(shí)器支持 QEI
    • 兩個(gè) 16 位通用定時(shí)器支持在待機(jī)模式下的低功耗作
    • 一個(gè) 32 位高分辨率通用定時(shí)器
    • 兩個(gè)帶死區(qū)的 16 位高級定時(shí)器，支持多達(dá) 12 個(gè) PWM 通道
  • 兩個(gè)窗口看門狗定時(shí)器
  • 帶鬧鐘和日歷模式的 RTC
• 增強(qiáng)的通信接口
  • 四個(gè)UART接口;一個(gè)支持 LIN、IrDA、DALI、智能卡、曼徹斯特，三個(gè)支持待機(jī)模式下的低功耗作
  • 兩個(gè) I 2C 接口支持高達(dá) FM+ （1 Mbit/s）、SMBus/PMBus 和 STOP 模式喚醒
  • 兩個(gè) SPI，一個(gè) SPI 支持高達(dá) 32 Mbits/s 的速度
  • 一個(gè)控制器局域網(wǎng) （CAN） 接口支持 CAN 2.0 A 或 B 和 CAN-FD
• 時(shí)鐘系統(tǒng)
  • 內(nèi)部 4 至 32 MHz 振蕩器，精度高達(dá) ±1.2% （SYSOSC）
  • 鎖相環(huán) （PLL），頻率高達(dá) 80 MHz
  • 內(nèi)部 32kHz 低頻振蕩器 （LFOSC），精度為 ±3%
  • 外部 4 至 48 MHz 晶體振蕩器 （HFXT）
  • 外部32kHz晶體振蕩器（LFXT）
  • 外部時(shí)鐘輸入
• 數(shù)據(jù)完整性和加密
  • 循環(huán)冗余檢查器（CRC-16、CRC-32）
  • 真隨機(jī)數(shù)生成器 （TRNG）
  • 使用 128 或 256 位密鑰進(jìn)行 AES 加密
• 靈活的 I/O 功能
  • 多達(dá) 60 個(gè) GPIO
    • 兩個(gè) 5V 容差 IO
    • 兩個(gè)具有 20 mA 驅(qū)動強(qiáng)度的高驅(qū)動 IO
• 開發(fā)支持
  • 2引腳串行線調(diào)試（SWD）
• 選擇方案
  • 64 引腳 LQFP
  • 48 引腳 LQFP、VQFN
  • 32 引腳 VQFN
  • 28 引腳 VSSOP

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?

MSPM0G3507/3506/3505是德州儀器（TI）推出的基于? Arm? Cortex?-M0+ ?內(nèi)核的混合信號微控制器，主打?高集成度?與?超低功耗?特性，支持?CAN-FD接口?，適用于工業(yè)自動化、電機(jī)控制、智能計(jì)量等場景。關(guān)鍵特性包括：

• ?內(nèi)核?：32位Cortex-M0+ CPU，頻率高達(dá)80MHz，集成內(nèi)存保護(hù)單元（MPU）。
• ?存儲?：128KB/64KB/32KB閃存（帶ECC），32KB/16KB SRAM（帶硬件奇偶校驗(yàn)）。
• ?模擬外設(shè)?：
  • 雙通道12位ADC（4Msps，17外部通道），硬件平均提升至14位分辨率。
  • 12位DAC（1Msps）、零漂移運(yùn)算放大器（OPA）、通用放大器（GPAMP）及高速比較器（COMP）。
• ?低功耗模式?：支持RUN/SLEEP/STOP/STANDBY/SHUTDOWN模式，最低功耗80nA（SHUTDOWN）。
• ?通信接口?：4×UART、2×I2C、2×SPI（最高32Mbps）、?CAN-FD?（支持2.0 A/B和FD協(xié)議）。

?2. 關(guān)鍵參數(shù)?

• ?工作條件?：電壓1.62V–3.6V，溫度范圍-40°C至125°C。
• ?封裝選項(xiàng)?：64/48引腳LQFP、48/32引腳VQFN、28引腳VSSOP。
• ?安全特性?：AES加密（128/256位）、CRC校驗(yàn)、真隨機(jī)數(shù)生成器（TRNG）。

?3. 應(yīng)用場景?

• ?電機(jī)控制?、家電、醫(yī)療設(shè)備、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、通信模塊等。
• ?開發(fā)支持?：提供LP-MSPM0G3507 LaunchPad開發(fā)套件及MSP SDK軟件工具鏈。

?4. 文檔結(jié)構(gòu)?

• ?功能框圖?：展示CPU子系統(tǒng)、時(shí)鐘模塊、模擬/數(shù)字外設(shè)互聯(lián)（如ADC與OPA可編程連接）。
• ?引腳配置?：支持多路復(fù)用功能，含5V耐受I/O和高驅(qū)動I/O（20mA）。
• ?電氣特性?：包含ADC/DAC線性度、OPA增益誤差（0.5μV/°C漂移）、電源時(shí)序等參數(shù)。