集微網(wǎng)消息，7月5日，耐威科技發(fā)布公告，耐威科技與青島市即墨區(qū)人民政府（以下簡(jiǎn)稱“青島即墨”）、青島城市建設(shè)投資（集團(tuán)）有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“青島城投”）在 2018 年國(guó)際集成電路產(chǎn)業(yè)投資（青島）峰會(huì)上簽署《合作框架協(xié)議書》。

據(jù)悉，耐威科技將聚能晶源項(xiàng)目落地于青島市即墨區(qū)，該項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)掌握了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）從材料生長(zhǎng)到器件設(shè)計(jì)、制造的完整高端工藝和豐富經(jīng)驗(yàn)，擁有該亟待爆發(fā)行業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力，致力于為面向新一代功率與微波系統(tǒng)應(yīng)用，成為面對(duì)低成本，高頻大功率應(yīng)用的 8 寸硅基氮化鎵（GaN）晶圓材料供應(yīng)商，助力青島占領(lǐng)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展制高點(diǎn)。

青島城投擬通過(guò)青島海絲民合半導(dǎo)體投資中心（有限合伙）出資參與聚能晶源項(xiàng)目。青島即墨為青島市即墨區(qū)的行政主管單位。具體合作內(nèi)容如下：

（1）為幫助和盡快形成產(chǎn)能，占領(lǐng)國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)份額，青島即墨同意與聚能晶源另行簽署正式項(xiàng)目合作協(xié)議，為聚能晶源提供一系列項(xiàng)目支持，如設(shè)備補(bǔ)貼、裝修補(bǔ)貼、辦公場(chǎng)所與廠方支持、稅收獎(jiǎng)勵(lì)等。

（2）為支持聚能晶源吸納骨干尖端人才，各方互相協(xié)助使得聚能晶源為本項(xiàng)目引進(jìn)的優(yōu)秀人才切實(shí)享受到青島市、區(qū)等各項(xiàng)人才優(yōu)惠政策。

（3）聚能晶源預(yù)計(jì)本項(xiàng)目投資總額不少于約 2 億元人民幣：2018 年年底前投資總額不低于 5000 萬(wàn)元人民幣，2020 年底前投資總額不低于 1.5 億元人民幣。

（4）聚能晶源未來(lái)產(chǎn)品線將覆蓋功率與微波器件應(yīng)用，打造世界級(jí)氮化鎵（GaN）材料公司，項(xiàng)目主要產(chǎn)品有面向功率器件應(yīng)用的氮化鎵（GaN）外延片，以及面向微波器件應(yīng)用的氮化鎵（GaN）外延片等。

耐威科技表示，此次公司與青島即墨、青島城投就控股子公司聚能晶源相關(guān)項(xiàng)目的投資、落地情況達(dá)成緊密合作，有利于公司加快第三代半導(dǎo)體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設(shè)計(jì)、開發(fā)、生產(chǎn)進(jìn)度，有利于公司把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇，盡快拓展相關(guān)材料在國(guó)防裝備、航空電子、5G 通信、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的推廣應(yīng)用，有利于公司以傳感為核心所進(jìn)行的“材料-芯片-器件-系統(tǒng)-應(yīng)用”的全面布局，提高公司的綜合競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力，將對(duì)公司的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展產(chǎn)生積極影響。

據(jù)耐威科技2018年5月24日公告披露，公司擬與袁理先生、青島海絲民合半導(dǎo)體投資中心（有限合伙）、青島民芯投資中心（有限合伙）共同投資設(shè)立控股子公司青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司及控股子公司聚能晶源。

其中公司擬使用自有資金1,050萬(wàn)元（分期投入）投資聚能創(chuàng)芯，持有其35%的股權(quán)；公司擬使用自有資金2,000萬(wàn)元（分期投入）投資聚能晶源，持有其40%的股權(quán)。

耐威科技表示，聚能晶源主要從事半導(dǎo)體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設(shè)計(jì)、開發(fā)、生產(chǎn)，目的在于依托專業(yè)團(tuán)隊(duì)優(yōu)勢(shì)，聯(lián)合產(chǎn)業(yè)資源，積極布局并把握寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料（即第三代半導(dǎo)體材料）產(chǎn)業(yè)的發(fā)展機(jī)遇，聚焦相關(guān)材料在航空電子、5G 通信、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用，完善并豐富公司產(chǎn)業(yè)鏈。

資料顯示，第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石等，因其禁帶寬度（Eg）大于或等于 2.3 電子伏特（eV），又被成為寬禁帶半導(dǎo)體材料，與第一、二代相比，第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子速率等優(yōu)點(diǎn)，可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。