7月17日上午消息,三星今晨宣布,成功開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片,基于10nm級(jí)(10~20nm)工藝。據(jù)悉,該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容8Gb(1GB),8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗(yàn)證。
其它基本規(guī)格還有,內(nèi)存速度(針腳帶寬)最高6400Mbps,是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍。三星稱,每秒可以傳送51.2GB數(shù)據(jù)(比如高端手機(jī)常見(jiàn)的64bit bus),相當(dāng)于14部1080P電影(每部3.7GB)。要是PC的128bit BUS,每秒破100GB無(wú)壓力。
與此同時(shí),功耗比LPDDR4X降低高達(dá)30%,主要是得益于動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)電壓、避免無(wú)效消耗、深度睡眠等技術(shù)加入。
三星的8Gb LPDDR5規(guī)格彈性較高,1.1V工作電壓下可達(dá)6400Mbps,1.05V下可達(dá)5500Mbps,供手機(jī)、車載平臺(tái)自行選擇。
資料顯示,三星在2014年首先成功量產(chǎn)8Gb LPDDR4內(nèi)存芯片,之后,就開(kāi)始推進(jìn)向LPDDR5新標(biāo)準(zhǔn)的過(guò)渡。
新的8Gb LPDDR5內(nèi)存芯片是三星高端DRAM產(chǎn)品線的一部分,后者已經(jīng)包括10nm級(jí)的16Gb GDDR6顯存芯片(2017年12月量產(chǎn))和16Gb DDR5內(nèi)存芯片(今年2月份開(kāi)發(fā)完成)。
LPDDR5內(nèi)存芯片將用于移動(dòng)設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等,三星稱,5G和AI將是其主力服務(wù)的場(chǎng)景。
三星將在位于韓國(guó)平澤市的工廠量產(chǎn)LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15891瀏覽量
182863 -
內(nèi)存芯片
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
128瀏覽量
22932 -
LPDDR
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
46瀏覽量
6759
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
三星電機(jī)發(fā)布全球首款 0402 inch X7S 100V 22nF 汽車級(jí)MLCC
三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)
全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn) 三星Exynos 2600
曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單
美光科技出貨全球首款基于1γ制程節(jié)點(diǎn)的LPDDR5X內(nèi)存 突破性封裝技術(shù)
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率
LPDDR5X:面向高性能與能效的增強(qiáng)型移動(dòng)內(nèi)存
LPDDR5X速率刷新記錄,LPDDR5-Ultra-Pro DRAM來(lái)了
三星推出抗量子芯片 正在準(zhǔn)備發(fā)貨
三星Galaxy S25系列搭載美光LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0
三星電機(jī)推出全球首款超小型高容量MLCC
三星電子1c nm內(nèi)存開(kāi)發(fā)良率里程碑推遲
三星LPDDR5X榮獲CES 2025創(chuàng)新獎(jiǎng)
季豐電子開(kāi)發(fā)出LPDDR5的SER測(cè)試方案并在中子輻射下完成SER實(shí)驗(yàn)

三星成功開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片,功耗降低30%
評(píng)論