前言
在電力電子領(lǐng)域,高電壓、大電流場(chǎng)景對(duì)功率器件的集成度、可靠性與散熱性能提出了嚴(yán)苛要求。PIM(功率集成模塊)通過“多器件高密度封裝”的高集成設(shè)計(jì),將分立的功率半導(dǎo)體、輔助電路與散熱結(jié)構(gòu)整合為單一功能單元,成為解決傳統(tǒng)分立方案體積大、效率低、可靠性差等痛點(diǎn)的核心器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)驅(qū)動(dòng)、新能源、交通電氣化等領(lǐng)域。
一定義
PIM(Power Integrated Module):功率集成模塊,核心是將電力轉(zhuǎn)換所需的關(guān)鍵器件——如 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、續(xù)流二極管、整流橋、制動(dòng)單元等功率器件,以及柵極驅(qū)動(dòng)電路、RC吸收電路、溫度檢測(cè)元件(如NTC熱敏電阻)等——通過高密度封裝技術(shù)集成在單個(gè)外殼內(nèi),形成完整的“功率轉(zhuǎn)換單元”。主要用于高效處理高電壓和高電流,提供基本的功率轉(zhuǎn)換功能,可以減少系統(tǒng)的體積和復(fù)雜性,提高可靠性和效率。
特別值得注意的是,PIM(功率集成模塊)與IPM(Intelligent Power Module,智能功率模塊)兩者極易混淆,在電力電子領(lǐng)域中,雖均為功率集成器件,但在“集成度”和“智能性”上存在較大差異:
特性 | PIM(功率集成模塊) | IPM(智能功率模塊) |
核心集成內(nèi)容 | 功率器件+基礎(chǔ)輔助電路的集成 | 功率器件+驅(qū)動(dòng)及完整保護(hù)電路的集成 |
集成度 | 高 | 非常高 |
設(shè)計(jì)難度 | 用戶需自行設(shè)計(jì)外部驅(qū)動(dòng)板和保護(hù)電路 | 用戶只需提供控制信號(hào)和電源,設(shè)計(jì)極其簡(jiǎn)化 |
靈活性 | 相對(duì)較高,用戶可自定義驅(qū)動(dòng)參數(shù) | 相對(duì)較低,保護(hù)閾值等由模塊內(nèi)部設(shè)定 |
適用場(chǎng)景 | 適用于高功率轉(zhuǎn)換、靈活調(diào)整參數(shù)的場(chǎng)景 | 適用追求高可靠性,高要求高復(fù)雜設(shè)計(jì)的場(chǎng)景 |
可以簡(jiǎn)單理解為,IPM就是更“智能”、更“完整”的PIM——即IPM是在PIM的基礎(chǔ)上額外集成了故障檢測(cè)與主動(dòng)保護(hù)功能,更適合對(duì)可靠性要求苛刻、追求快速量產(chǎn)的場(chǎng)景;而PIM則以“靈活性”為核心,適合需要根據(jù)實(shí)際需求定制控制策略的中高端工業(yè)應(yīng)用。
二工作原理與內(nèi)部結(jié)構(gòu)
PIM模塊的核心思想是“化零為整”。傳統(tǒng)的功率電路需要工程師手動(dòng)在電路板上或散熱器上組裝大量的分立元件,如IGBT/晶閘管、二極管、保護(hù)電路等,工序繁雜,成本高且效率低。PIM模塊則將一個(gè)完整功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)所需的核心部件預(yù)先集成封裝好。
1.PIM模塊一個(gè)典型的拓?fù)涫荂IB(Converter-Inverter-Brake)結(jié)構(gòu):
整流橋(轉(zhuǎn)換器):將輸入的三相交流電通過二極管整流橋轉(zhuǎn)換為直流電,存入直流母線電容,關(guān)鍵元件是超快恢復(fù)二極管,減少整流過程中的反向恢復(fù)損耗,提升效率。
逆變橋:在柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)(PWM)控制下,將直流母線的直流電逆變成頻率和電壓可調(diào)的三相交流電,以驅(qū)動(dòng)電機(jī),關(guān)鍵元件是溝槽場(chǎng)截止型 IGBT,開關(guān)損耗低,耐高壓特性優(yōu)(支持600V~1700V)。
制動(dòng)單元(斬波器):當(dāng)電機(jī)快速減速(如電梯制動(dòng)、機(jī)床急停)時(shí),電機(jī)變?yōu)椤鞍l(fā)電機(jī)”,向直流母線反饋過剩能量,導(dǎo)致母線電壓升高,而制動(dòng)單元通過“能耗電阻”消耗多余能量,防止電壓超過器件耐壓值。關(guān)鍵元件為IGBT(作為制動(dòng)開關(guān))+續(xù)流二極管,快速響應(yīng)母線電壓變化。
結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖
2.內(nèi)部元件與封裝工藝:
功率器件:采用溝槽場(chǎng)截止IGBT與超快恢復(fù)二極管,開關(guān)損耗低、熱穩(wěn)定性好,適配高頻開關(guān)場(chǎng)景(如10kHz~20kHz逆變器等)。
基板技術(shù):使用直接鍵合銅(Direct Bonded Copper,DBC)基板——將銅箔直接鍵合在陶瓷絕緣層(如Al?O?、AlN)上,絕緣性強(qiáng)(擊穿電壓>10kV/mm)、導(dǎo)熱效率高(比傳統(tǒng)PCB高5~10倍),可快速將內(nèi)部熱量傳導(dǎo)至外殼與散熱器。
溫度檢測(cè):集成負(fù)溫度系數(shù)(NTC)熱敏電阻,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)模塊內(nèi)部結(jié)溫(Tj),為外部控制電路提供過溫保護(hù)依據(jù)。
封裝材料:采用耐高溫環(huán)氧樹脂或金屬外殼,防護(hù)等級(jí)可達(dá)IP20,適應(yīng)工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)粉塵、濕度等惡劣環(huán)境。
三主要優(yōu)勢(shì)與價(jià)值
采用PIM模塊能為電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來多方面的提升:
1.提升系統(tǒng)集成度,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)與量產(chǎn):通過將多個(gè)分立元件和內(nèi)部電路連線集成在模塊內(nèi)部,極大簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì)和PCB布局。無需手動(dòng)焊接、調(diào)試大量分立元件,減少組裝工序,提升生產(chǎn)效率,同時(shí)可避免人工接線誤差導(dǎo)致的故障(如IGBT柵極虛焊);模塊引腳與散熱接口標(biāo)準(zhǔn)化(如螺栓固定、壓接式引腳),后續(xù)維護(hù)時(shí)可直接替換,無需重新調(diào)試電路,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和量產(chǎn)難度。
2.優(yōu)化散熱性能,提升功率密度:一體化的封裝和先進(jìn)的散熱設(shè)計(jì)(如使用DBC基板+耐高溫外殼)使模塊具有更低的熱阻。這意味著在相同輸出功率下,模塊的溫升更低,壽命更長(zhǎng);或在相同體積下,能夠?qū)崿F(xiàn)更高地功率輸出,使設(shè)備更緊湊,提升功率密度。
3.降低成本與損耗及EMI輻射,提升系統(tǒng)可靠性:對(duì)設(shè)備制造商而言,采購(gòu)一個(gè)PIM模塊取代了采購(gòu)和組裝幾十個(gè)分立元件的繁瑣工序,提高了效率的同時(shí),也降低了成本。PIM模塊高集成度,減少布線損耗,內(nèi)部元件間連線短,寄生電感與電阻小,開關(guān)損耗降低,同時(shí)減少EMI輻射(輻射強(qiáng)度降低10~15dBμV/m);內(nèi)部連線采用超聲波焊接或激光焊接,避免分立方案中PCB銅箔氧化導(dǎo)致的接觸電阻增大,模塊壽命增加,系統(tǒng)可靠性高。
四
典型應(yīng)用場(chǎng)景
PIM模塊的高效和緊湊特性使其在眾多領(lǐng)域大放異彩:
工業(yè)驅(qū)動(dòng)與自動(dòng)化:用于變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)電機(jī)控制等,是PIM模塊最經(jīng)典的應(yīng)用領(lǐng)域之一。
新能源發(fā)電:在太陽能逆變器、風(fēng)電變流器中,PIM模塊有助于實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。
不間斷電源(UPS):為UPS提供高可靠性的整流和逆變功能,確保關(guān)鍵設(shè)備的持續(xù)供電。
交通電氣化:應(yīng)用于電動(dòng)汽車的輔助逆變器、電池充電器、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)等。
家電與消費(fèi)電子:高端變頻空調(diào)、冰箱等家電的壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)也常采用PIM模塊。
五
產(chǎn)品實(shí)例
域發(fā)揮價(jià)值
下面簡(jiǎn)單介紹兩款金蘭功率半導(dǎo)體的PIM模塊產(chǎn)品:JLPI75B120RN3E7SN和JLPI35B120RN2E7SN,兩者都是具有高功率和熱循環(huán)能力(均為銅基板+耐高溫環(huán)氧樹脂外殼)的,帶有NCE Gen.7溝槽場(chǎng)截止IGBT和發(fā)射極控制二極管,內(nèi)置NTC溫度傳感器的功率半導(dǎo)體模塊。
1.JLPI75B120RN3E7SN:采用LN3封裝(重量300g)

一些基礎(chǔ)電氣特性如下
參數(shù)類別 | 具體參數(shù) |
基本耐壓與電流 | 集電極-發(fā)射極電壓 V_CES=1200V |
逆變IGBT IC:75A(Tc=80℃)、150A(Tc=25℃) | |
斬波IGBT IC:50A(Tc=80℃)、100A(Tc=25℃) | |
最大脈沖電流 ICM=225A(tp=1s) | |
IGBT特性 | 飽和電壓VCE (sat):1.65~2.5V(IC=75A,VGE=15V,Tj=25℃) |
柵極閾值電壓VGE(th)=5V~7V | |
漏電流ICES=10μA(VGE=0V,VCE=1200V) | |
開關(guān)特性(Tj=25℃) | 開通延遲td(on)=90ns |
上升時(shí)間tr=61ns | |
關(guān)斷延遲td(off)=304ns | |
開關(guān)損耗:Eon=4.17mJ,Eoff=2.1mJ | |
二極管特性 | 逆變器二極管:VRRM=1200V,IF=75A,Qr=1.24μc |
整流器二極管:VRRM=1600V,IF=35A,VF=0.9V(Tj=150℃) |
2.JLPI35B120RN2E7SN:采用LN2封裝(重量180g)
一些基礎(chǔ)電氣特性如下
參數(shù)類別 | 具體參數(shù) |
基本耐壓與電流 | 集電極-發(fā)射極電壓 V_CES=1200V |
額定電流 IC:35A(Tc=80℃)、70A(Tc=25℃) | |
最大脈沖電流 ICM=105A(tp=1s) | |
IGBT特性 | 飽和電壓VCE (sat):1.5~2.1V(IC=35A,VGE=15V,Tj=25℃) |
柵極閾值電壓VGE(th)=5.5~7.0V | |
漏電流ICES=10μA(VGE=0V,VCE=1200V) | |
開關(guān)特性(Tj=25℃) | 開通延遲td(on)=71ns |
上升時(shí)間tr=53ns | |
關(guān)斷延遲td(off)=261ns | |
開關(guān)損耗:Eon=2.34mJ,Eoff=1.44mJ | |
二極管特性 | 逆變器二極管:VRRM=1200V,IF=35A,VF=1.80~2.70V |
整流器二極管:VRRM=1600V,IF=75A,VF=0.9V(Tj=150℃) |
六總結(jié)
PIM功率集成模塊通過其高集成度、結(jié)構(gòu)緊湊和性能優(yōu)化等特點(diǎn),有效解決了傳統(tǒng)分立功率器件方案在體積、效率和可靠性方面的挑戰(zhàn),已成為現(xiàn)代高效、高功率密度電力電子設(shè)備不可或缺的核心部件之一。其不僅簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)與量產(chǎn)流程,更在效率、可靠性、功率密度上實(shí)現(xiàn)突破,支撐工業(yè)自動(dòng)化、新能源、交通電氣化等領(lǐng)域的技術(shù)升級(jí)。
未來,PIM 的發(fā)展將聚焦三大方向:更高的集成度,集成傳感器(如溫度、電流)和自適應(yīng)算法,實(shí)現(xiàn)故障診斷、能效優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù),向IPM方向發(fā)展,更智能化;寬禁帶材料應(yīng)用,集成采用SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等第三代半導(dǎo)體材料的器件,提升耐溫(>200℃)與開關(guān)頻率(>50kHz),適配高壓平臺(tái);更先進(jìn)的封裝技術(shù),采用銀燒結(jié)技術(shù)替代傳統(tǒng)焊料,用粗銅線鍵合替代鋁電,提升性能;進(jìn)行結(jié)構(gòu)創(chuàng)新,如采用環(huán)氧樹脂壓鑄模技術(shù),進(jìn)一步壓縮模塊體積,降低熱阻。
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