功率半導(dǎo)體器件（Power Electronic Device）又稱為電力電子器件和功率電子器件，是指可直接用于處理電能的主電路中，實現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件，其作用主要分為功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)、線路保護和整流等。

功率半導(dǎo)體大致可分為功率半導(dǎo)體分立器件（Power Discrete，包括功率模塊）和功率半導(dǎo)體集成電路（Power IC）兩大類，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的結(jié)構(gòu)關(guān)系如圖1所示。其中，功率半導(dǎo)體分立器件是指被規(guī)定完成某種基本功能，并且本身在功能上不能再細分的半導(dǎo)體器件。

1957年美國通用電氣公司（GE）研制出世界上第一只工業(yè)用普通晶閘管（Thyristor），標(biāo)志了功率半導(dǎo)體分立器件的誕生。功率半導(dǎo)體分立器件的發(fā)展經(jīng)歷了以晶閘管為核心的第一階段、以MOSFET和IGBT為代表的第二階段，現(xiàn)在正在進入以寬禁帶半導(dǎo)體器件為核心的新發(fā)展階段。

功率半導(dǎo)體分立器件包括以下幾類：

功率二極管：功率二極管是最簡單的功率器件之一，具有快速恢復(fù)、低開關(guān)損耗和高電壓能力等特點，通常用于整流、反向保護、限流等應(yīng)用。

功率晶體管：功率晶體管也稱為MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），是一種可以控制電流流通的器件。它具有低開關(guān)損耗、高開關(guān)速度、低輸入電流、可靠性高等特點，常用于電源開關(guān)、電機控制、照明等領(lǐng)域。

IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）：IGBT是一種結(jié)合了雙極性晶體管和MOSFET的特點，具有高電壓和高電流承受能力，低開關(guān)損耗和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點，通常用于高壓、高頻電源開關(guān)、電機驅(qū)動、變頻器等領(lǐng)域。

可控硅（SCR）：可控硅是一種可以控制電流流通的器件，具有可靠性高、適用范圍廣、控制電路簡單等特點，常用于電源開關(guān)、電機控制、交流電源調(diào)節(jié)等領(lǐng)域。

晶閘管（GTO）：晶閘管是一種可控硅的升級版，可以在開關(guān)過程中控制電流，具有高電流承受能力和低開關(guān)損耗等特點，通常用于大功率、高頻的電源開關(guān)和變頻器等領(lǐng)域。

這些功率半導(dǎo)體分立器件在不同的應(yīng)用領(lǐng)域具有不同的優(yōu)勢和特點，選擇合適的器件可以滿足不同的功率控制需求。