編者按：

自ChatGPT、DeepSeek等大型AI模型應(yīng)用爆發(fā)以來，市場(chǎng)對(duì)AI服務(wù)器的需求激增，其配套電源的發(fā)展前景已成為行業(yè)共識(shí)。目前，I服務(wù)器電源企業(yè)的出貨規(guī)模仍有限，AI服務(wù)器電源廠商差距尚未拉開，整體處于同一起跑線。

面對(duì)AI服務(wù)器電源向“三高”——高功率密度、高效率、高可靠性發(fā)展的趨勢(shì)，AI服務(wù)器電源產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)——無論是AI服務(wù)器電源企業(yè)、磁性元器件廠商，還是上游的磁芯與線材供應(yīng)商都一致認(rèn)為：挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存，AI服務(wù)器電源行業(yè)正迎來價(jià)值提升的重要窗口。

為此，《磁性元件與電源》雜志特邀AI服務(wù)器電源專家、企業(yè)高級(jí)研發(fā)工程師，以及磁性元器件、磁芯、線材等領(lǐng)域的代表技術(shù)人員，共同探討AI服務(wù)器電源對(duì)磁性元器件與材料提出的新要求、整機(jī)與器件企業(yè)的選型標(biāo)準(zhǔn)、當(dāng)前材料的匹配能力，以及AI服務(wù)器電源產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的布局現(xiàn)狀。

對(duì)話導(dǎo)覽：

AI服務(wù)器電源變化及應(yīng)用現(xiàn)狀

AI服務(wù)器電源對(duì)磁元件的要求

AI服務(wù)器電源對(duì)磁性材料、線材的要求

AI服務(wù)器電源產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)布局情況及規(guī)劃

一、AI服務(wù)器電源變化及應(yīng)用現(xiàn)狀

1、與傳統(tǒng)的服務(wù)器電源相比， AI 服務(wù)器電源發(fā)生了哪些變化？對(duì)磁性元件的技術(shù)要求發(fā)生了哪些變化？

杭州鉑科電子 丁毅：AI服務(wù)器電源變化：
一效率顯著提升：傳統(tǒng)服務(wù)器電源最高效率為鈦金級(jí)別的96%，而AI服務(wù)器電源雖然采用紅寶石標(biāo)準(zhǔn)（96.5%），但實(shí)際設(shè)計(jì)目標(biāo)已提高至97.5%，能效表現(xiàn)更加優(yōu)異。

二功率段大幅上移：傳統(tǒng)服務(wù)器電源功率一般在4千瓦以內(nèi)，而AI服務(wù)器電源的主流功率已提升至5.5千瓦，未來還將進(jìn)一步擴(kuò)展至8千瓦和12千瓦，功率需求成倍增長(zhǎng)。

三輸出電壓發(fā)生重要變化：傳統(tǒng)服務(wù)器輸出電壓為12伏，而AI服務(wù)器電源主流輸出電壓已提升至48伏至54伏，更高的電壓可有效降低電流，從而減少傳輸損耗。

四為適應(yīng)新的電源架構(gòu)，AI服務(wù)器電源模塊的尺寸也相應(yīng)調(diào)整：原先的服務(wù)器電源長(zhǎng)度大約為265毫米，而新一代AI服務(wù)器電源普遍增至約600毫米，AI服務(wù)器電源常見規(guī)格在500多毫米到600多毫米之間，以滿足高功率、高效率和高電壓輸出帶來的結(jié)構(gòu)與散熱要求。

磁元件技術(shù)要求變化：

隨著碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體的應(yīng)用，AI服務(wù)器電源開關(guān)頻率顯著提升，變壓器工作頻率從以往的100 kHz以內(nèi)普遍提高到100 kHz以上，對(duì)磁元件的高頻損耗提出了更嚴(yán)苛的要求。

為降低損耗，磁性材料持續(xù)迭代。以金屬磁粉芯為例，第三代產(chǎn)品在50 kHz、100 mT條件下的損耗已降至約100 kW/m3，較早期產(chǎn)品降低一半。

繞組線徑也隨頻率增加而細(xì)化，從0.1 mm逐步轉(zhuǎn)向0.07 mm，未來將進(jìn)一步采用0.05 mm甚至更細(xì)的線材以應(yīng)對(duì)更高頻率。多股絞線設(shè)計(jì)愈加重要，因頻率升高后交流損耗占比顯著增大，成為主要損耗來源。

高頻化也帶來更復(fù)雜的EMC挑戰(zhàn)。為抑制干擾，共模電感等EMC元件需具備更強(qiáng)抗干擾能力。傳統(tǒng)鐵氧體因磁導(dǎo)率偏低、損耗較大，納米晶材料因高磁導(dǎo)率和寬頻阻抗特性逐漸受到青睞。此外，輸出端輻射抑制需求上升，需在開關(guān)管、電容等關(guān)鍵位置增加磁珠或濾波器，以滿足更嚴(yán)格的EMC標(biāo)準(zhǔn)。

博蘭得 劉建： AI服務(wù)器電源發(fā)生的變化主要有如下幾個(gè)：

一是功率等級(jí)的提升，以前的傳統(tǒng)的服務(wù)器量一般最高到3.5 kW，現(xiàn)在的 AI 服務(wù)器電源功率等級(jí)5.5kW, 8kW甚至12kW。

二是對(duì)AI服務(wù)器電源功率密度的要求越來越高，以前的功率密度一般不超過50W/ In3，但現(xiàn)在廠商規(guī)劃的AI服務(wù)器電源功率密度需要增加到120W/ In3甚至到180W/ In3。

三是對(duì)AI服務(wù)器電源的動(dòng)態(tài)性能要求高，因?yàn)锳I 的 GPU 電流變化率非常大，傳統(tǒng)服務(wù)器電源的負(fù)載動(dòng)態(tài)的電流斜率為1-2A/微秒，AI服務(wù)器電源要求 3 -5 A/微秒甚至更高，而且動(dòng)態(tài)電壓范圍一般要求±4%或者更低（傳統(tǒng)服務(wù)器電源一般是±5%）。

四是對(duì)AI服務(wù)器電源效率要求越來越高，目前傳統(tǒng)服務(wù)器電源效率要求最高為96%，AI服務(wù)器電源效率最高能要求能達(dá)到97.5%~98%。

五是供電架構(gòu)的變化，未來800V HVDC架構(gòu)可能會(huì)取代目前的48V架構(gòu)。

EMC及電源行業(yè)專家 杜佐兵：目前，AI服務(wù)器電源在拓?fù)浼軜?gòu)層面已較為成熟，但電磁干擾（EMI）問題仍需系統(tǒng)研究。傳統(tǒng)服務(wù)器電源長(zhǎng)度多為185或265mm，輸出電壓12V；AI服務(wù)器電源長(zhǎng)度增至640mm以上，輸出電壓提升至48V，功率超過3.3kW，并需滿足動(dòng)態(tài)負(fù)載要求。

當(dāng)前AC-DC/DC-DC方案多采用全橋GaN LLC拓?fù)?，?duì)磁性材料要求高頻低損耗。該方案在IC層面并不復(fù)雜，難點(diǎn)在于兼顧可靠性、體積與效率。其中EMI是主要挑戰(zhàn)，尤其是傳導(dǎo)發(fā)射。由于AI服務(wù)器電源模塊化程度高、結(jié)構(gòu)緊湊，近場(chǎng)耦合效應(yīng)突出，傳導(dǎo)干擾通過線纜傳播，成為當(dāng)前研發(fā)的核心難點(diǎn)。

宏豐光城 王晉：關(guān)鍵變化：

功率提升：AI服務(wù)器電源（尤其是GPU/TPU集群）功耗顯著增加，單機(jī)柜功率可達(dá)數(shù)十kW，電源需支持更高功率密度和動(dòng)態(tài)負(fù)載。

效率要求更高：PUE（電源使用效率）成為核心指標(biāo)，需滿足鈦金/鉑金級(jí)（96%+）效率標(biāo)準(zhǔn)。

智能化管理：支持實(shí)時(shí)負(fù)載調(diào)整、故障預(yù)測(cè)等AI優(yōu)化功能。

技術(shù)要求變化：

2、目前AI服務(wù)器電源主流功率段是多少？一般采用什么拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)？使用的磁性元件種類、數(shù)量分別是多少？
杭州鉑科電子 丁毅：主流拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：CCM（電流連續(xù)模式）PFC 加 LLC 諧振變換器。隨著功率密度和效率要求提高，前端 PFC 部分正從 CCM 向 TCM（臨界導(dǎo)通模式）演進(jìn)，LLC 級(jí)拓?fù)浔３植蛔儭?/p>

拓?fù)淝袚Q直接改變磁性器件選材：CCM PFC 電感歷來使用鐵鎳類金屬磁粉芯，而 TCM 工況下電流過零、磁通擺幅小，可改用成本低、損耗匹配度高的鐵氧體磁芯，因此未來鐵氧體用量將隨之增加。
磁性元器件的種類并未改變，仍包含共模電感、PFC 電感、LLC 諧振電感與變壓器，以及 DC-DC 級(jí)的輸出電感，AI 服務(wù)器電源整體架構(gòu)保持一致。功率提升通常不增加器件種類，但可能通過交錯(cuò)并聯(lián)方式增大單體數(shù)量：例如AI 服務(wù)器電源 3 kW方案采用單 PFC 電感，而 5.5 kW 方案則常用雙路交錯(cuò)，兩只 PFC 電感并聯(lián)運(yùn)行。

服務(wù)器CPU_CRPS 電源 圖/杭州鉑科電子

博蘭得 劉建： 目前AI服務(wù)器電源主流功率段為3.5 kW～12 kW，單相輸入，PFC一般采用bridgeless interleaved CRM PFC或者 CCM PFC；DCDC一般采用LLC拓?fù)?，視功率采用單個(gè)LLC或者interleaved LLC 或者three phase LLC。我們的15 kW機(jī)型為三相輸入，采用了Vienna PFC+三路并聯(lián)LLC的拓?fù)洹?/p>

以我們的AI 服務(wù)器電源15kW為例，磁性元件方面，前級(jí)PFC使用了3顆HF高飽和磁通磁芯；LLC的變壓器和諧振電感為3顆定制的鐵氧體磁芯；EMI級(jí)使用了2顆非晶磁環(huán)。

EMC及電源行業(yè)專家 杜佐兵：AI 服務(wù)器電源的功率覆蓋范圍與通用服務(wù)器基本一致：AI 服務(wù)器電源單模塊從3KW到 5.5 kW 均有部署，整機(jī)柜或基站級(jí)方案可堆疊至 264 kW 以上；預(yù)期在下一代的堆疊功率將從444KW到720KW。所謂“AI”僅體現(xiàn)在算法調(diào)度與負(fù)載瞬變更劇烈，對(duì)電源動(dòng)態(tài)響應(yīng)提出更高要求，對(duì)AI服務(wù)器電源及系統(tǒng)可靠性（電磁兼容）帶來挑戰(zhàn)。

主流拓?fù)?/p>

前端 AC-DC：無橋 PFC（Totem-Pole PFC）→ 全橋LLC 諧振隔離

負(fù)載點(diǎn)：LLC 后再經(jīng)多相 buck-boost（或純多相 buck）直降到 0.8–1.8 V 大電流母線

磁性器件選型

EMI 濾波
?- 共模/差模電感：納米晶（或非晶、微晶）磁芯，溫度穩(wěn)定性好，飽和密度高?- 高頻扼流磁環(huán)：鎳鋅鐵氧體，高頻阻抗大，EMC 優(yōu)勢(shì)顯著

功率變換
?- LLC 變壓器/諧振電感：HE4/5;PC95 錳鋅鐵氧體，高溫（>100 °C）損耗低?- 多相 buck 電感：HE5;PC95/PC50 材質(zhì)，100–300 kHz 下平衡損耗與成本；

AI服務(wù)器電源正向低壓、大電流、小體積方向發(fā)展，功率密度提升使EMI敏感度顯著增加，對(duì)數(shù)字控制環(huán)路的抗擾度要求更高。前端供電架構(gòu)向高壓800V母線演進(jìn)，為高效降至48V以下，多采用基于諧振軟開關(guān)的IRC拓?fù)?，結(jié)合多電平與磁集成技術(shù)壓縮磁件體積，磁集成已成為實(shí)現(xiàn)高功率密度AI電源的關(guān)鍵支點(diǎn)。

宏豐光城 王晉：

主流功率段：?jiǎn)坞娫茨K功率集中在3kW-15kW，整機(jī)柜電源系統(tǒng)可達(dá)30kW-100kW+。

拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：PFC級(jí)：圖騰柱無橋PFC（高頻GaN方案為主）。

DC-DC級(jí)：LLC諧振變換器（高頻高效）、交錯(cuò)并聯(lián)拓?fù)洌ň餍枨螅?/p>

功率器件及數(shù)量（以10kW電源為例）：SiC MOSFET：PFC級(jí)4-8顆（1200V/650V），DC-DC級(jí)2-4顆。

GaN HEMT：用于高頻輔助電源（如48V轉(zhuǎn)12V），數(shù)量4-6顆。

Si MOS：逐步被替代，僅保留部分低壓側(cè)應(yīng)用。

磁性器件：高頻、高功率電感增勢(shì)很快，一片電源用8~16顆。

組合式電感 圖/宏豐光城

二、AI服務(wù)器電源對(duì)磁元件的要求

1、AI 服務(wù)器電源對(duì)磁元件的核心需求是什么？

杭州鉑科電子 丁毅：一是把損耗壓到最低，以支撐整機(jī) 97% 以上的高效率；二是在同等功率下把體積做到最小，把功率密度繼續(xù)往上抬。

以臺(tái)達(dá) 5.5 kW 模塊為例，當(dāng)前功率密度約 56 W/in3，后續(xù) 8 kW、12 kW 產(chǎn)品必須沖到 100 W/in3 左右。單純追求100 W/in3 的密度已有廠商實(shí)現(xiàn)，但同時(shí)滿足高效率、低損耗、良好 EMC 與熱性能，才是磁性器件真正的挑戰(zhàn)。

EMC 的關(guān)鍵指標(biāo)就是滿足 CISPR 32/EN 55032 Class A 限值，但“過線”只是底線。真正的難點(diǎn)在于：效率、功率密度、EMC 和安規(guī)四項(xiàng)必須同時(shí)達(dá)標(biāo)。

效率想高，就要降開關(guān)頻率、增大體積、選昂貴器件；功率密度想高，又必須把頻率拉高、縮小體積，兩者直接沖突。頻率一高，EMC 的傳導(dǎo)和輻射余量迅速被壓縮，濾波器件不得不加，體積和損耗又反向增加。

材料、拓?fù)?、布局相互牽制：磁芯材料要同時(shí)實(shí)現(xiàn)高頻低損和高飽和磁通密度；PCB 上干擾源與敏感電路被迫擠在同一空間，走線、屏蔽、接地稍有失當(dāng)，Class A 也會(huì)余量不足。

AI 服務(wù)器電源唯一相對(duì)寬松的是成本，但“效率+密度+EMC+安規(guī)”四維同步做到極致，仍是磁性器件和系統(tǒng)工程師必須攻克的矛盾平衡點(diǎn)。

博蘭得 劉建：磁性元件的核心指標(biāo)是損耗必須極低，涵蓋磁芯損耗、繞組銅損及全電路開關(guān)損耗，以滿足未來更高開關(guān)頻率的運(yùn)行需求。

AI 服務(wù)器電源散熱方式從風(fēng)冷轉(zhuǎn)向液冷乃至浸沒冷卻，對(duì)磁件散熱設(shè)計(jì)提出新要求。AI 服務(wù)器電源功率密度提升需借助磁集成技術(shù)優(yōu)化磁芯體積與數(shù)量。AI 服務(wù)器電源效率目標(biāo)向98%以上邁進(jìn)，需探索單級(jí)AC-DC等新拓?fù)洌@對(duì)磁性元件的高頻低損耗性能提出了更高挑戰(zhàn)。

水冷型服務(wù)器電源 圖/博蘭得

EMC及電源行業(yè)專家 杜佐兵：磁性材料的選擇呈“前級(jí)非晶/納米晶+后級(jí)鐵氧體”格局。前端高壓大電流用納米晶或扁平銅帶鐵氧體，μr＜10 k即可；后端低壓大電流靠十余層疊片鐵氧體，供應(yīng)商已筑配方工藝壁壘。

就當(dāng)前AI 服務(wù)器電源成本與性價(jià)比而言，磁性器件本身無需因 GaN 而做顛覆性改動(dòng)。主流鐵氧體（如 PC95/PC50 系列）仍工作在100 kHz 上下，不超過 150 kHz，頻率跨度未顯著超出傳統(tǒng)范疇，因此磁材迭代節(jié)奏相對(duì)溫和。

目前AI服務(wù)器電源的主流開關(guān)頻率集中在 100 kHz 附近，大多數(shù)方案仍把 90–120 kHz 作為設(shè)計(jì)基準(zhǔn)；向上試探到 200–300 kHz 僅處于“趨勢(shì)”階段，并未規(guī)?；涞?。

繼續(xù)往 500 kHz 乃至 1 MHz 提升時(shí)，磁性材料與功率器件的溫升會(huì)迅速觸及極限——鐵氧體陡增、繞組交流損耗倍增，熱管理難度呈指數(shù)級(jí)上升，因此被業(yè)內(nèi)視為“極限頻率”。

只有在“空載”“輕載”或特殊低功率演示環(huán)境（俗稱“欠債工況”）下，才會(huì)短時(shí)跑到 1 MHz 以展示小體積優(yōu)勢(shì)；一旦進(jìn)入滿載、器件功耗疊加的真實(shí)場(chǎng)景，熱預(yù)算立即吃緊，故主流廠商仍把 200 kHz 視為可量產(chǎn)的上限。

頻率抬高后，磁性元件不僅要面對(duì)鐵氧體與銅損的雙重壓力，還需保證直流疊加下電感量不驟降、插入 EMI 濾波器的衰減特性不惡化。

更棘手的是，高頻近場(chǎng)耦合路徑呈多極化，系統(tǒng)級(jí)干擾往往與磁芯本身無關(guān)，而是布局、繞組結(jié)構(gòu)與回流路徑耦合共振所致，這已成為 200 kHz 以上方案必須同步解決的系統(tǒng)級(jí)難題。

宏豐光城 王晉：

三、AI服務(wù)器電源對(duì)磁性材料、線材的要求

1、您希望上游材料企業(yè)哪些方面提供配合，以支持下一步研發(fā)計(jì)劃？

宏豐光城 王晉：材料創(chuàng)新： 提供高頻低損磁粉（如定制化Fe-SiCr顆粒）。開發(fā)高導(dǎo)熱絕緣材料（導(dǎo)熱系數(shù)＞5W/mK）。

工藝支持：薄帶材精密軋制（厚度＜10μm）。3D打印磁性元件快速原型服務(wù)。

數(shù)據(jù)共享：材料高溫/高頻特性數(shù)據(jù)庫(kù)開放。聯(lián)合仿真平臺(tái)（如ANSYS Maxwell模型協(xié)作）。

2、AI服務(wù)器電源企業(yè)正追求高功率密度、高效率以及液冷散熱的普及。這直接傳導(dǎo)至對(duì)磁性元件的需求：高頻、低損耗、耐高溫、高導(dǎo)熱、抗腐蝕。作為產(chǎn)業(yè)鏈的上游基石，首先想請(qǐng)問，您如何看待整機(jī)廠和磁元件廠提出的這些需求？貴司的主力材料是什么？

國(guó)石 商燕彬：當(dāng)前，AI 服務(wù)器電源整機(jī)廠和磁元件廠對(duì)“高頻低損耗”材料的訴求已成為行業(yè)共識(shí)。終端客戶將這一指標(biāo)視為基本門檻，供應(yīng)商別無選擇，只能跟進(jìn)；技術(shù)若不能同步升級(jí)，將被市場(chǎng)直接淘汰。

面向500 kHz～2 MHz乃至更高頻段，國(guó)石目前已形成三代主力材料平臺(tái)并進(jìn)入量產(chǎn)或試制階段：

（1）500 kHz頻段

對(duì)標(biāo)TDK PC50系列，國(guó)石對(duì)應(yīng)牌號(hào)為GP50。100 ℃、500kHz、50 mT條件下，功率損耗≤80 kW/m3，已穩(wěn)定批量供貨。

（2）500 kHz～1 MHz頻段

100 ℃、500kHz、50 mT：損耗仍保持≤80 kW/m3； 1 MHz、30 mT、100 ℃：損耗≤50 kW/m3，同樣處于量產(chǎn)狀態(tài)。

（3）1 MHz～2 MHz頻段

100 ℃、2MHz、30 mT：企業(yè)內(nèi)控指標(biāo)≤220 kW/m3，實(shí)測(cè)典型值約180 kW/m3，較行業(yè)通用限值低約10%，已進(jìn)入小批量交付。

（4）2 MHz～3 MHz頻段

新一代材料正在小批量試制，目標(biāo)損耗水平繼續(xù)下探，預(yù)計(jì)2025年Q4完成可靠性驗(yàn)證并導(dǎo)入量產(chǎn)。

綜上，國(guó)石在500 kHz～2 MHz區(qū)間已具備可量產(chǎn)、損耗優(yōu)于行業(yè)均值10%左右的完整材料解決方案，3 MHz平臺(tái)正加速推進(jìn)。

大潤(rùn) 程平：大潤(rùn)推出了高溫膜包線及膜包壓方線。該系列產(chǎn)品專為高頻、高溫環(huán)境設(shè)計(jì)，其工作頻率可穩(wěn)定覆蓋1-3 MHz范圍，在此高頻下的損耗較傳統(tǒng)線材顯著降低20%-30%。

這一性能突破源于材料與工藝的協(xié)同創(chuàng)新，我們采用PI等特種工程塑料薄膜作為絕緣層，賦予了線材極佳的耐高溫性、高絕緣強(qiáng)度及優(yōu)異的導(dǎo)熱性能。

同時(shí)，通過對(duì)導(dǎo)體進(jìn)行精密的壓方成型工藝，極大優(yōu)化了趨膚效應(yīng)，提升了槽滿率，從而在降低交流電阻的同時(shí)確保了高效散熱，滿足了AI服務(wù)器電源對(duì)磁性元件低損耗、高可靠性的嚴(yán)苛要求。

膜包壓方線 圖/大潤(rùn)科技

3、高頻低損耗與高飽和磁通密度（Bs）往往是一對(duì)矛盾。在AI服務(wù)器電源這種既要求高頻又可能面臨大電流沖擊的應(yīng)用中，貴公司是如何通過配方、摻雜或新工藝來優(yōu)化這一矛盾，提升材料的綜合性能指標(biāo)的？

國(guó)石 商燕彬：高頻低損耗與高飽和磁通密度天然對(duì)立：晶粒細(xì)化可降低渦流與剩余損耗，但同時(shí)致密度下降，飽和磁通密度隨之降低。

為此，國(guó)石在低溫?zé)Y(jié)條件下仍追求高密度，并通過低鋅配方（氧化鋅摩爾分?jǐn)?shù)由約10%降至5%左右）提高居里溫度，從而提升飽和磁通密度，再以精細(xì)晶粒控制兼顧高頻損耗，實(shí)現(xiàn)兩者均衡。

這里的低鋅配方即將氧化鋅含量由常規(guī)95、96、97材的約10摩爾百分比降至5摩爾百分比左右；該含量可用摩爾百分比或重量百分比表示，二者可換算。

工藝上仍采用鐘罩爐燒結(jié)，在較低溫度下實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的高密度工藝（高溫致密化），并嚴(yán)格控制晶粒尺寸與微觀結(jié)構(gòu)。

高頻材料平均晶粒已控制在5 μm左右，常規(guī)95、96、97材為15–20 μm；公司正將常規(guī)材料晶粒降至約10 μm，使其在300–400 kHz頻段仍可用，以擴(kuò)展高頻應(yīng)用范圍。

降低晶粒尺寸的關(guān)鍵在于同時(shí)壓低燒結(jié)峰值溫度并精確調(diào)控爐內(nèi)氣氛：一是將最高燒結(jié)溫度設(shè)定為比常規(guī)溫度更低的水平，抑制晶粒長(zhǎng)大；二是通過控制氧分壓等氣氛參數(shù)，調(diào)節(jié)氧化錳、氧化鐵在不同溫區(qū)的晶粒生長(zhǎng)速率，實(shí)現(xiàn)晶粒細(xì)化。

組合型集成磁芯 圖/國(guó)石磁業(yè)

當(dāng)前用于AI服務(wù)器電源的96、96A、97材以“寬溫-低損耗”為核心指標(biāo)：

損耗曲線在140-160℃仍保持平坦，97材160℃總功耗<450kW/m3（100kHz、200mT）；

100℃飽和磁通密度B?提升至約430mT，較常規(guī)410mT提高20mT；

通過提高燒結(jié)密度與晶粒細(xì)化協(xié)同實(shí)現(xiàn)，滿足高溫、大功率環(huán)境下的效率與體積要求。

四、AI 服務(wù)器電源產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)布局情況及規(guī)劃

1、貴司在2024年及2025年在AI服務(wù)器電源的業(yè)務(wù)情況如何？行業(yè)整體情況如何？
杭州鉑科電子 丁毅：2024年杭州鉑科電子整體銷售額接近6億元，其中“傳統(tǒng)服務(wù)器電源”與“儲(chǔ)能”各占一半，各約 2.5–3 億元；AI 服務(wù)器電源僅占服務(wù)器板塊的不到10 %。從2024年起加大對(duì)AI服務(wù)器電源的各方面資源投入，2025年研發(fā)資源一半以上向 AI 電源傾斜，預(yù)計(jì)當(dāng)年 AI 服務(wù)器電源營(yíng)收同比翻數(shù)倍，但絕對(duì)金額仍顯著低于傳統(tǒng)服務(wù)器板塊。
就全行業(yè)來看，目前AI 服務(wù)器電源穩(wěn)定放量的仍只有臺(tái)達(dá)，麥格米特雖有出貨但規(guī)模不大，長(zhǎng)城、歐陸通等剛起步，除臺(tái)達(dá)外各家差距尚未拉開，整體仍處同一起跑線。
2、貴司下一步在AI賽道的關(guān)鍵投資或研發(fā)計(jì)劃？

杭州鉑科電子 丁毅：杭州鉑科電子過去兩年把重心放在儲(chǔ)能，如今該業(yè)務(wù)已步入穩(wěn)定爬坡階段；從今年起，公司明確將AI服務(wù)器電源列為下一戰(zhàn)略重點(diǎn)，超過一半的研發(fā)資源向AI 服務(wù)器電源傾斜。

AI 服務(wù)器電源研發(fā)方向集中在四條主線：一是繼續(xù)迭代5.5 kW、8 kW至12 kW的風(fēng)冷平臺(tái)，提升AI 服務(wù)器電源功率密度與效率；二是開發(fā)更多的水冷/液冷AI服務(wù)器電源平臺(tái)，滿足機(jī)柜級(jí)高密度散熱需求；三是搭建800 V DC輸入新平臺(tái)，適配未來數(shù)據(jù)中心高壓直流架構(gòu)。四是整合算力+儲(chǔ)能兩大產(chǎn)品平臺(tái)，為整個(gè)AI 服務(wù)器電源供電系統(tǒng)賦能；

所有AI 服務(wù)器電源新項(xiàng)目均圍繞高頻、低損耗磁元件與EMC協(xié)同設(shè)計(jì)展開，以保證高效、高密、Class A同時(shí)達(dá)標(biāo)。

博蘭得 劉建：公司下一步在AI服務(wù)器電源賽道的關(guān)鍵研發(fā)聚焦48 V→12 V板載DC-DC降壓模塊，該模塊被視為AI服務(wù)器電源的核心，功率密度目標(biāo)數(shù)百至上千W/In3，采用氮化鎵方案，工作頻率提升至800 kHz–1 MHz或更高。

宏豐光城 王晉：關(guān)鍵技術(shù)投入：

液冷方案：開發(fā)液冷磁性元件密封工藝（如陶瓷基板焊接）。

數(shù)字化電源：智能磁性元件（集成溫度/電流傳感）。

研發(fā)方向：2025年推出MHz級(jí)平面變壓器（效率＞98%）。與芯片廠合作開發(fā)“磁-芯”共封裝方案。

國(guó)石 商燕彬：國(guó)石在AI服務(wù)器電源賽道下一步的研發(fā)投入鎖定兩條主線：

一是繼續(xù)往下一代高頻材料迭代，500 kHz-1 MHz平臺(tái)已批量供貨，1-2 MHz方案小批量驗(yàn)證中，3 MHz等級(jí)剛進(jìn)入小批量試制，全部面向GaN MOS普及帶來的更高開關(guān)頻率需求；

二是把“寬溫+高Bs+低損耗”做成綜合平臺(tái)，在保持97材160 ℃寬溫能力的同時(shí)，把100 ℃飽和磁通密度再抬升一個(gè)臺(tái)階。

實(shí)現(xiàn)路徑以微觀結(jié)構(gòu)調(diào)控為核心：高頻材料晶粒繼續(xù)釘扎在5 μm，寬溫材料由15-20 μm壓縮到≤10 μm，靠低溫快燒+高氧梯度燒結(jié)提高致密化，用細(xì)化晶粒尺寸來降低渦流損耗，同步提高產(chǎn)品密度來提升Bs；配方端同步微調(diào)，保證晶界耐溫與電阻率不下降。

兩條線均靠工藝迭代而非全新體系，先高頻后寬溫，分階段投入。

大潤(rùn) 程平：展望AI服務(wù)器電源賽道，我司下一步將聚焦三大方向進(jìn)行戰(zhàn)略性研發(fā)投入：

首先，在材料加工工藝上持續(xù)突破，重點(diǎn)研究超低損耗導(dǎo)體與下一代高導(dǎo)熱絕緣材料融合加工，將產(chǎn)品工作頻率上限與導(dǎo)熱效率提升至新的行業(yè)標(biāo)桿。

其次，加大對(duì)精密絕緣超導(dǎo)微細(xì)線制造工藝的投入，以納米級(jí)工藝控制保障產(chǎn)品一致性與可靠性，滿足AI 服務(wù)器電源客戶大規(guī)模部署需求。

最后，我們將強(qiáng)化與AI 服務(wù)器電源頭部客戶及科研機(jī)構(gòu)的協(xié)同創(chuàng)新，共建AI 服務(wù)器電源行業(yè)前沿聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，從源頭參與下一代AI 服務(wù)器電源架構(gòu)的研發(fā)，確保技術(shù)路線始終引領(lǐng)市場(chǎng)趨勢(shì)，為AI算力基礎(chǔ)設(shè)施提供核心材料支撐。

結(jié)語

通過以上的討論可以看出，AI服務(wù)器電源帶來的高功率、高效率需求，實(shí)實(shí)在在地推動(dòng)了電源技術(shù)的更新?lián)Q代。這對(duì)中間的磁性元器件和上游的磁性材料提出了更明確的要求：需要在更高的頻率下實(shí)現(xiàn)更低的損耗，并更好地解決散熱問題。

目前，AI服務(wù)器電源整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈都看到了這個(gè)趨勢(shì)，雖然大家起步相差不大，但都明白，只有整機(jī)廠、器件廠和材料廠之間更緊密地配合，共同解決AI 服務(wù)器電源高頻與低損耗等技術(shù)難題，才能跟上AI服務(wù)器電源發(fā)展的步伐。這個(gè)過程，對(duì)整個(gè)AI 服務(wù)器電源行業(yè)來說，既是必須應(yīng)對(duì)的挑戰(zhàn)，也是一個(gè)持續(xù)發(fā)展和提升的機(jī)會(huì)。

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審核編輯 黃宇