Microchip Technology DSC12X2/3/4標準時鐘振蕩器采用硅MEMS技術(shù)來降低近端噪聲，并提供出色的抖動性能。該振蕩器可在寬電源電壓和溫度范圍內(nèi)提供穩(wěn)定性。這些MEMS振蕩器無需石英或SAW技術(shù)。這大大提高了可靠性并加快了產(chǎn)品開發(fā)速度。該器件符合各種通信、存儲和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的嚴格時鐘性能標準。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Microchip Technology DSC12X2，3，4標準時鐘振蕩器數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

超低RMS相位抖動：<650fs（典型值）
高穩(wěn)定性：±20ppm、±25ppm、±50ppm
寬工作溫度范圍
- 汽車溫度范圍：–40°C至+125°C（僅DSC12x3 LVDS）
- 擴展工業(yè)溫度范圍：-40°C至+105°C
- 工業(yè)溫度范圍：-40°C至+85°C
- 商用溫度范圍：-20°C至+70°C
支持LVPECL、LVDS或HCSL差分輸出
符合PCIe Gen1-5標準的輸出
寬頻率范圍：2.5MHz至450MHz
小尺寸的行業(yè)標準占位
- 2.5mm x 2.0mm
- 3.2mm x 2.5mm
- 5.0mm x 3.2mm
- 7.0mm x 5.0mm
出色的抗沖擊和抗振動性
- 符合MIL-STD-883標準
可靠性高
- MTF比石英振蕩器高20倍
電源電壓范圍：2.25V至3.63V
待機、頻率選擇和輸出使能功能
無鉛，符合RoHS指令

框圖

Microchip DSC12X2/3/4高性能差分MEMS振蕩器技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述與核心特性

Microchip DSC12X2/3/4系列是基于硅MEMS技術(shù)的高性能振蕩器，代表了時鐘源技術(shù)的重大進步。相比傳統(tǒng)石英振蕩器，該系列產(chǎn)品具有多項顯著優(yōu)勢：

?超低相位抖動?：典型值<650 fs RMS，滿足高速串行通信的嚴格要求
?卓越頻率穩(wěn)定性?：提供±20 ppm、±25 ppm和±50 ppm三種精度等級
?寬溫度范圍?：
- 汽車級：-40°C至+125°C（僅DSC12x3 LVDS型號）
- 擴展工業(yè)級：-40°C至+105°C
- 標準工業(yè)級：-40°C至+85°C
- 商業(yè)級：-20°C至+70°C
?多重輸出協(xié)議支持?：LVPECL(DSC12x2)、LVDS(DSC12x3)、HCSL(DSC12x4)
?PCIe全兼容?：支持Gen1至Gen5所有版本標準

二、關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新

1. MEMS諧振器技術(shù)

該系列采用最新一代硅MEMS技術(shù)，消除了對石英或SAW器件的依賴，具有：

降低近端噪聲
在寬電源電壓和溫度范圍內(nèi)保持優(yōu)異的抖動和穩(wěn)定性
可靠性比石英振蕩器高20倍(MTF指標)
顯著縮短產(chǎn)品開發(fā)周期

2. 智能控制功能

通過引腳1或2的多功能控制接口，可實現(xiàn)：

?待機模式?(STDBY低電平)：完全斷電
?輸出使能?(OE低電平)：三態(tài)輸出
?頻率選擇?(FS高/低電平)：支持雙頻切換

三、電氣特性詳解

1. 基本參數(shù)

?供電范圍?：2.25V至3.63V
?頻率范圍?：2.5 MHz至450 MHz
?啟動時間?：5.5-6 ms（從90% VDD到有效時鐘輸出）
?老化率?：
- 第一年@25°C：±5 ppm
- 后續(xù)每年：±1 ppm

2. 協(xié)議特定性能

LVPECL(DSC12x2)：

輸出擺幅：800 mV(典型，單端)
上升/下降時間：200/250 ps(20%-80%)
周期抖動：2.0 ps(典型@156.25MHz)

LVDS(DSC12x3)：

輸出偏移電壓：1.15-1.35V
輸出擺幅：350 mV(典型，單端)
集成相位噪聲：0.65 psRMS(12kHz-20MHz)

HCSL(DSC12x4)：

輸出擺幅：675 mV(典型)
需33Ω串聯(lián)電阻抑制振鈴
PCIe Gen5抖動：0.043 psRMS(32 GHz)

四、典型應(yīng)用設(shè)計指南

1. 電路設(shè)計要點

?電源濾波?：必須使用0.1μF去耦電容
?終端匹配?：
- LVPECL：采用戴維南終端(3.3V操作時100Ω+82Ω組合)
- LVDS：標準100Ω差分終端
- HCSL：33Ω串聯(lián)電阻+50Ω終端

2. PCB布局建議

采用推薦的6層板布局
關(guān)鍵信號線長度匹配
密集放置電源旁路電容
通過地孔連接至內(nèi)層地平面

3. 熱管理考慮

最大結(jié)溫：+150°C
存儲溫度范圍：-55°C至+150°C
焊接峰值溫度：255°C-260°C(40秒內(nèi))

五、應(yīng)用場景分析

?高速網(wǎng)絡(luò)設(shè)備?：
- 100G以太網(wǎng)PHY時鐘
- 存儲區(qū)域網(wǎng)絡(luò)(SAN)時序控制
- 無源光網(wǎng)絡(luò)(PON)OLT/ONU同步
?視頻與顯示系統(tǒng)?：
- HD/SD-SDI視頻時鐘生成
- DisplayPort鏈路時鐘
- 視頻墻同步控制
?PCIe系統(tǒng)?：
- 根復(fù)合體參考時鐘
- 交換機時鐘分配
- NVMe存儲控制器時序

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