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?DRV8231 有刷直流電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-10-14 11:02 ? 次閱讀
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DRV8231器件是一個集成電機(jī)驅(qū)動器,具有N溝道H橋、電荷泵電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。電荷泵通過支持 N 溝道 MOSFET 半橋和 100% 占空比驅(qū)動來提高效率。

該DRV8231通過比較模擬輸入VREF和ISEN引腳上的電流檢測分流電阻兩端的電壓來實(shí)現(xiàn)電流調(diào)節(jié)功能。限制電流的能力可以顯著降低電機(jī)啟動和失速條件下的大電流。
*附件:drv8231.pdf

低功耗睡眠模式通過關(guān)閉大部分內(nèi)部電路來實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗。內(nèi)部保護(hù)功能包括電源欠壓鎖定、輸出過流和器件過熱。

該DRV8231是引腳對引腳、可擴(kuò)展 R 的器件系列的一部分 DS(開) 以及電源電壓選項,以最小的設(shè)計更改支持各種負(fù)載和電源軌。有關(guān)該系列中設(shè)備的信息,請參見第 5 節(jié)。在 ti.com 上查看有刷電機(jī)驅(qū)動器的完整產(chǎn)品組合。

特性

  • N 溝道 H 橋有刷直流電機(jī)驅(qū)動器
  • 4.5V 至 33V 工作電源電壓范圍
  • 引腳到引腳,R DS(開) 、電壓和電流檢測/調(diào)節(jié)變體(外部分流電阻器和集成電流鏡)
    • DRV8870:6.5V 至 45V,565mΩ,分流器
    • DRV8251:4.5V 至 48V,450mΩ,分流
    • DRV8251A:4.5V 至 48V,450mΩ,鏡像
    • DRV8231:4.5V 至 33V,600mΩ,分流器
    • DRV8231A:4.5V 至 33V,600mΩ,鏡像
  • 高輸出電流能力:3.7A 峰值
  • PWM控制接口
  • 支持 1.8V、3.3V 和 5V 邏輯輸入
  • 集成電流調(diào)節(jié)
  • 低功耗睡眠模式
    • <1μA(V時) 虛擬機(jī) = 24伏,T J = 25°C
  • 小封裝和占地面積
    • 帶 PowerPAD? 的 8 引腳 WSON,2.0 × 2.0 mm
    • 帶 PowerPAD? 的 8 引腳 HSOP,4.9 × 6.0 mm
  • 集成保護(hù)功能
    • VM 欠壓鎖定 (UVLO)
    • 自動重試過流保護(hù) (OCP)
    • 熱關(guān)斷 (TSD)

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png

?1. 產(chǎn)品概述?

DRV8231是德州儀器(TI)推出的集成電流調(diào)節(jié)功能的3.7A有刷直流電機(jī)驅(qū)動器,核心特性包括:

  • ?寬電壓范圍?:4.5V至33V工作電壓,兼容12V/24V系統(tǒng)。
  • ?高集成度?:內(nèi)置N溝道H橋驅(qū)動,支持3.7A峰值電流,集成電荷泵(支持100%占空比)。
  • ?電流調(diào)節(jié)?:通過外部檢流電阻(DRV8231)或內(nèi)部電流鏡像(DRV8231A)實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)限流。
  • ?低功耗?:睡眠模式電流<1μA(典型值)。

?2. 關(guān)鍵特性?

  • ?驅(qū)動能力?:3.7A峰值輸出電流,600mΩ RDS(on)(高/低側(cè)MOSFET)。
  • ?控制接口?:支持1.8V/3.3V/5V邏輯輸入,PWM頻率最高200kHz。
  • ?保護(hù)功能?:
    • 電源欠壓鎖定(UVLO)
    • 自動重試過流保護(hù)(OCP)
    • 熱關(guān)斷(TSD,170°C典型值)
  • ?封裝選項?:8引腳HSOP(4.9×6.0mm)或WSON(2.0×2.0mm)帶散熱焊盤。

?3. 應(yīng)用場景?

  • ?家電?:洗衣機(jī)、咖啡機(jī)、吸塵器
  • ?醫(yī)療設(shè)備?:呼吸機(jī)、手術(shù)器械
  • ?工業(yè)?:ATM機(jī)、電動病床、健身器材
  • ?繼電器驅(qū)動?:單/雙線圈鎖存繼電器

?4. 功能模塊?

  • ?H橋控制?:支持正向、反向、制動(低側(cè)慢衰減)和滑行(高阻)模式。
  • ?電流調(diào)節(jié)?:通過VREF引腳設(shè)置限流閾值(ITRIP = 10×VREF/RSENSE)。
  • ?保護(hù)機(jī)制?:
    • OCP響應(yīng)時間1.5μs,自動重試周期3ms。
    • TSD滯后40°C,防止頻繁觸發(fā)。

?5. 設(shè)計要點(diǎn)?

  • ?自舉電容?:推薦0.1μF陶瓷電容(VM額定電壓)。
  • ?布局建議?:
    • 功率回路最小化,散熱焊盤連接多層地平面。
    • 檢流電阻(RSENSE)需選用低電感、高功率規(guī)格。
  • ?熱管理?:
    • HSOP封裝RθJA低至42.8°C/W(4層板設(shè)計)。
    • 瞬態(tài)熱阻抗ZθJA隨脈沖時間縮短顯著降低。

?6. 典型應(yīng)用電路?

  • ?電機(jī)驅(qū)動?:VM接12V-24V,ISEN引腳接0.1-0.5Ω檢流電阻。
  • ?繼電器驅(qū)動?:OUTx直接驅(qū)動線圈,利用體二極管續(xù)流。
  • ?堵轉(zhuǎn)檢測?:通過電流檢測放大器監(jiān)控ISEN電壓。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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