AI的計算、數(shù)據(jù)傳輸與存儲已經(jīng)成為當(dāng)下數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器端最為關(guān)注的問題之一。在有限的空間和成本內(nèi)如何實現(xiàn)更高的收益，如何讓存儲方案給計算單元提供充足的數(shù)據(jù)支持，加速數(shù)據(jù)交換，節(jié)省電力和散熱成本都值得探討，其中就包括閃存技術(shù)如何扮演起關(guān)鍵角色。

閃存技術(shù)最初被廣泛應(yīng)用在消費級產(chǎn)品中，旨在縮小存儲方案占用空間、提升性能。隨著閃存技術(shù)的不斷升級，這項技術(shù)已經(jīng)從成為消費級產(chǎn)品存儲主力，并緊接著在網(wǎng)絡(luò)、云計算的企業(yè)級存儲中提供高速的數(shù)據(jù)存取支持。

如今數(shù)據(jù)存儲正在邁向AI時代，通過大量創(chuàng)新型的存儲方案創(chuàng)造更多可能性。例如，為了使用GPU處理這些數(shù)據(jù)并進(jìn)行AI訓(xùn)練和推理，高性能、大容量、低功耗的閃存設(shè)備必不可少。例如鎧俠第八代BiCS Flash已經(jīng)在企業(yè)級產(chǎn)品中被廣泛使用，其TLC產(chǎn)品表現(xiàn)在業(yè)內(nèi)受到好評，已經(jīng)出現(xiàn)在諸多消費級SSD和企業(yè)級SSD中，同時也運用在鎧俠數(shù)據(jù)中心級CD9P系列和企業(yè)級CM9系列中。

第八代BiCS Flash的QLC產(chǎn)品在近期憑借著鎧俠LC9系列的245.76TB NVMe SSD成功出圈，已經(jīng)開始幫助部分企業(yè)實現(xiàn)PB級數(shù)據(jù)管理，加速基礎(chǔ)設(shè)施現(xiàn)代化，以支持生成式AI和機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用。

這是一項艱巨的工程。在狹小的空間內(nèi)構(gòu)建一塊245.76TB的SSD，需要應(yīng)用到2Tb的第八代BiCS Flash QLC，在單個存儲芯片封裝內(nèi)實現(xiàn)32層堆疊，并進(jìn)而構(gòu)建出245.76TB的容量。與此同時，第八代BiCS Flash QLC還與創(chuàng)新型的CBA技術(shù)結(jié)合，以獲得更高的傳輸速率，足以確保LC9系列滿足AI基礎(chǔ)設(shè)施的需求。

與此同時，第八代BiCS Flash的TLC和QLC也已經(jīng)在UFS 4.0、UFS 4.1產(chǎn)品中展開應(yīng)用。其中，UFS 4.1是JEDEC于今年初發(fā)布的最新一代移動存儲標(biāo)準(zhǔn)，它在UFS 4.0的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化性能、能效和可靠性，在速度上接近NVMe SSD，通過多項新機(jī)制提升了系統(tǒng)響應(yīng)速度、數(shù)據(jù)安全性和能效表現(xiàn)，是2025年旗艦級移動設(shè)備、車規(guī)級系統(tǒng)的理想選擇之一。

在不久的將來，鎧俠還將推出第九代BiCS Flash和第十代BiCS Flash產(chǎn)品，兩代產(chǎn)品繼續(xù)使用突破性的CBA技術(shù)。

其中，第十代BiCS Flash使用最新的NAND閃存接口標(biāo)準(zhǔn)Toggle DDR6.0以及SCA協(xié)議，并將NAND接口速度提升至4.8Gb/s，輸入和輸出功耗進(jìn)一步降低，從而獲得更好的效能表現(xiàn)。同時，第十代BiCS Flash還將存儲層數(shù)增至332層，并優(yōu)化晶圓平面布局以提高平面密度，使位密度進(jìn)一步提升。

從UFS到SSD產(chǎn)品，鎧俠BiCS Flash已經(jīng)在廣闊領(lǐng)域中證明了高效、可靠以及經(jīng)濟(jì)性。鎧俠將堅持圍繞更高的性能、更大的容量、更低的能耗、優(yōu)化的成本四個維度打造創(chuàng)新存儲解決方案，給未來存儲提供更多的可能性。