GaN-MOSFET 的結(jié)構(gòu)設(shè)計中,p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案,分別適用于不同的應(yīng)用場景,核心差異體現(xiàn)在結(jié)構(gòu)設(shè)計、性能特點和適用范圍上。
發(fā)表于 10-14 15:28
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的性能、可靠性與成本,而封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計作為封裝技術(shù)落地的 “第一道關(guān)卡”,對設(shè)計軟件的依賴性極強。在此背景下,江蘇拓能半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡稱 “江蘇拓能”)自主研發(fā)的 “半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計軟件 V1.0”(簡稱:半
發(fā)表于 09-11 11:06
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)出發(fā),深入探討PCB多層板的層疊結(jié)構(gòu)設(shè)計的先決條件。 一、Core和PP的簡要介紹 Core是PCB多層板的核心組成部分,它的兩個表層都鋪有銅箔,可作為信號層、電源層、地層等導(dǎo)電層。Core的上、下表層之間填充的是固態(tài)材料,具有良好的機械強度和電氣性能。而PP則是一種半固態(tài)的樹脂
發(fā)表于 06-06 15:37
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在微孔霧化驅(qū)動集成芯片的推廣實踐中,我們發(fā)現(xiàn)除了硬件和軟件的迭代升級,結(jié)構(gòu)設(shè)計方面有一個值得顯著關(guān)注的點:微孔設(shè)備的霧化性能(頻率,霧化量和功耗)會受到陶瓷片表面壓力的直接影響。我們強烈建議,在初步
發(fā)表于 05-29 10:42
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像系統(tǒng),特別是照明系統(tǒng)更為常見。這類系統(tǒng)往往只需要一個單片透鏡,工藝簡單可以模壓成形。在對該類透鏡初始結(jié)構(gòu)設(shè)計時利用 OCAD 程序也非常簡單。只要在數(shù)據(jù)表格中的“表面面型”欄內(nèi)選擇“菲涅爾面”,接著
發(fā)表于 05-19 08:49
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發(fā)表于 03-24 18:40
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發(fā)表于 03-21 18:31
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發(fā)表于 03-19 18:50
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發(fā)表于 03-19 18:30
、電源屏蔽、EMI 耦合、開關(guān)電源模塊外圍電路的EMC與防護(hù)設(shè)計等方面的細(xì)節(jié),有助于電子設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計效果優(yōu)化。 ? 1 開關(guān)電源 開關(guān)電源引起電磁干擾問題的原因是很復(fù)雜的。針對開關(guān)電源的EMC 問題,在設(shè)計時應(yīng)采用以下主要措施: 1.1 軟開關(guān)
發(fā)表于 02-17 10:20
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BP(back propagation)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)是一種按照誤差逆向傳播算法訓(xùn)練的多層前饋神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),其網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)設(shè)計原則主要基于以下幾個方面: 一、層次結(jié)構(gòu) 輸入層 :接收外部輸入信號,不進(jìn)行任何計算
發(fā)表于 02-12 16:41
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在現(xiàn)代電子制造領(lǐng)域,高密度互連(HDI)技術(shù)已成為推動電子產(chǎn)品向更小型化、更高性能發(fā)展的關(guān)鍵因素。HDI技術(shù)的核心在于其獨特的疊構(gòu)設(shè)計,這不僅極大地提升了電路板的空間利用率,還顯著增強了電氣性能和信號完整性。
發(fā)表于 10-28 14:18
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永磁發(fā)電機是一種利用永磁體產(chǎn)生磁場的發(fā)電機,它具有結(jié)構(gòu)簡單、體積小、重量輕、效率高、維護(hù)方便等優(yōu)點。永磁發(fā)電機的主要結(jié)構(gòu)設(shè)計包括以下幾個方面: 定子部分 定子是發(fā)電機的核心部件之一,它主要由定子鐵芯
發(fā)表于 10-25 10:40
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