STMicroelectronics EV-VN9E30F評(píng)估板簡(jiǎn)化了ST VIPower M0-9 SPI技術(shù)與現(xiàn)有系統(tǒng)的集成。STMicroelectronics EV-VN9E30F預(yù)裝有VN9E30F高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。它包括設(shè)備數(shù)據(jù)表中建議的必要電氣組件。這樣,用戶即可連接負(fù)載、電源和微控制器,無(wú)需額外的設(shè)計(jì)工作。VN9E30F采用STMicroelectronics VIPower技術(shù),設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)接地的電阻或電感負(fù)載。它具有VCC 引腳瞬態(tài)電壓保護(hù)功能,并支持通過(guò)SPI總線進(jìn)行編程、控制和診斷。
數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:STMicroelectronics EV-VN9E30F 評(píng)估板數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
特性
- 一般器件特性
- 診斷功能
- 數(shù)字比例式負(fù)載電流檢測(cè)
- 同步診斷過(guò)載和接地短路至GND、輸出短路至V
CC和關(guān)斷狀態(tài)開(kāi)路負(fù)載 - 可編程外殼過(guò)熱警告
- 保護(hù)特性
- 兩級(jí)負(fù)載電流限制
- 快速熱瞬態(tài)的自限制
- 欠壓關(guān)斷
- 過(guò)壓鉗位
- 閉鎖或可編程時(shí)間限制自動(dòng)重啟(功率限制和過(guò)熱關(guān)斷)
- 負(fù)載突降保護(hù)
- 接地失效保護(hù)
- 通過(guò)自啟動(dòng)實(shí)現(xiàn)反向電池保護(hù)
連接
STMicroelectronics EV-VN9E30F評(píng)估板技術(shù)解析與應(yīng)用指南?
?一、核心器件特性分析?
- ?VN9E30F高邊驅(qū)動(dòng)器性能參數(shù)?
- ?極低導(dǎo)通阻抗?:RDS(on)典型值30mΩ,支持35A電流限制(ILIMH),適用于汽車?yán)鋯?dòng)(LV124標(biāo)準(zhǔn)兼容)等高浪涌場(chǎng)景。
- ?集成化設(shè)計(jì)?:內(nèi)置10位ADC(0.1% FSR精度)實(shí)現(xiàn)數(shù)字電流檢測(cè),SPI總線支持24位全診斷反饋,集成PWM引擎可獨(dú)立配置相位/頻率。
- ?多重保護(hù)機(jī)制?:包括兩級(jí)電流限制、過(guò)壓鉗位、反向電池保護(hù)、負(fù)載突降保護(hù)及熱關(guān)斷(可配置為鎖存或自動(dòng)重啟模式)。
- ?熱管理關(guān)鍵數(shù)據(jù)?
- 結(jié)到環(huán)境熱阻RthJA最大55°C/W(FR4雙面板,70mm×70mm尺寸),需結(jié)合散熱設(shè)計(jì)確保高溫工況穩(wěn)定性。
?二、評(píng)估板設(shè)計(jì)亮點(diǎn)?
- ?快速原型開(kāi)發(fā)支持?
板載最小化電路組件(符合datasheet推薦),直接集成: - ?失效安全設(shè)計(jì)?
“Limp Home”模式在數(shù)字電源失效時(shí),可通過(guò)OTP寄存器預(yù)配置輸出狀態(tài)(關(guān)閉或跟隨直接輸入),提升系統(tǒng)魯棒性。
?三、典型應(yīng)用場(chǎng)景與設(shè)計(jì)建議?
- ?汽車電子負(fù)載驅(qū)動(dòng)?
- ?電阻性負(fù)載?:如車燈控制,利用Bulb/LED模式編程優(yōu)化驅(qū)動(dòng)。
- ?感性負(fù)載?:繼電器/電機(jī)驅(qū)動(dòng)時(shí),需通過(guò)SPI配置PWM相位抑制EMI。
- ?關(guān)鍵設(shè)計(jì)考量?
- ?PCB布局?:建議采用35μm銅厚雙面板,增加熱過(guò)孔(直徑0.3mm)以降低RthJA。
- ?電流檢測(cè)校準(zhǔn)?:利用ADC修剪位調(diào)整參考電流,提升采樣精度。
?四、調(diào)試與優(yōu)化技巧?
- ?診斷功能應(yīng)用?
通過(guò)SPI讀取同步診斷數(shù)據(jù),可區(qū)分輸出對(duì)地短路(OFF態(tài)開(kāi)路檢測(cè))與對(duì)VCC短路。 - ?熱保護(hù)策略?
若選擇自動(dòng)重啟模式,需通過(guò)寄存器設(shè)置功率限制時(shí)間窗口,避免頻繁熱振蕩。
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