近期，沙特阿卜杜拉國王科技大學(KAUST)研究團隊研發(fā)出納米級氮化鋁鎵（AlGaN）發(fā)光裝置。

研究人員以漸變折射率分布限制結構層（GRINSCH）裝置，制作出納米級GRINSCH二極體，研究人員期望未來能應用在納米高效能UVLED裝置，像是激光、光感測器、調幅器以及積體光學相關裝置上。

現(xiàn)有AlGaN發(fā)光裝置，被視為是取代現(xiàn)有UV氣體激光和含有有毒物質的UV燈的UV燈源。不過由于裝置中的UV激光二極體，電壓至少要25伏特才能操作，加上電洞注入層效率不佳，導致串聯(lián)電阻高，導致性能受限。其中原因和AlGaN鋁層的P型半導體涂層以及缺少有效的散熱管道等有關。

納米級AlGaN和原先AlGaN磊晶薄膜層相比，由于表面積對體積比高，形成有效的應力松弛，能直接在包括金屬等基質上延展。金屬和以矽或藍寶石包復的金屬基質，能在高電流操作過程，提供更好的散熱管道。

另外，納米級P型半導體因為加入了鎂，活化能需求低，因此電阻也相對較小。經(jīng)過研究團隊實驗證實，GRINSCH二極體在電子和光學表現(xiàn)上出色，所需電壓和串聯(lián)電阻也比原先的二極體要低。