MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中的參數(shù)理解
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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尖峰電壓和系統(tǒng) EMC 的抑制為目標(biāo)。實(shí)際應(yīng)用中，選擇緩沖吸收電路參數(shù)時(shí)，為防止 SiC-MOSFET開關(guān)在開通瞬間由于吸收電容器上能量過(guò)多、需通過(guò)自身放電進(jìn)而影響模塊使用壽命，需要對(duì) RC 緩沖吸收
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接下來(lái)接著看 12N50 數(shù)據(jù)手冊(cè)上面這個(gè)參數(shù)是 MOSFET 的熱阻，RBJC 表示 MOS 管結(jié)溫到表面的 熱阻，這里我們知道 RBJC=0.75。熱阻的計(jì)算公式：RBJC = T
發(fā)表于 04-22 13:29
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MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè)，試試這樣看！
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發(fā)表于 02-26 14:41
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