chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評論與回復
      VIP于 到期 續(xù)費
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學習在線課程
      • 觀看技術視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動

      完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      MOSFET數(shù)據(jù)手冊中的參數(shù)理解

      TI視頻 ? 作者：工程師郭婷 ? 2018-08-16 01:54 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • MOSFET
        +關注

        關注

        150

        文章

        9076

        瀏覽量

        225864
      • ti
        ti
        +關注

        關注

        114

        文章

        8046

        瀏覽量

        216909
      • 晶體管
        +關注

        關注

        77

        文章

        10091

        瀏覽量

        144711
      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評論

        相關推薦
        熱點推薦

        MOSFET關鍵參數(shù)選型依據(jù)

        電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET關鍵參數(shù)選型依據(jù).pdf》資料免費下載
        發(fā)表于 07-10 14:25 ?2次下載

        SiC MOSFET模塊并聯(lián)應用中的動態(tài)均流問題

        在電力電子領域，當多個SiC MOSFET模塊并聯(lián)時，受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響，會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題，制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MOSFET模塊并聯(lián)應用
        的頭像 發(fā)表于 05-30 14:33 ?1633次閱讀
        SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>模塊并聯(lián)應用<b class='flag-5'>中</b>的動態(tài)均流問題

        SiC MOSFET 開關模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設計

        尖峰電壓和系統(tǒng) EMC 的抑制為目標。實際應用中，選擇緩沖吸收電路參數(shù)時，為防止 SiC-MOSFET開關在開通瞬間由于吸收電容器上能量過多、需通過自身放電進而影響模塊使用壽命，需要對 RC 緩沖吸收
        發(fā)表于 04-23 11:25

        MOSFET 數(shù)據(jù)手冊，試試這樣看！

        MOS管數(shù)據(jù)手冊上的相關參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊一般會包含哪些
        發(fā)表于 04-11 11:04

        麥科信光隔離探頭在碳化硅（SiC）MOSFET動態(tài)測試中的應用

        ，測試過程中對測量系統(tǒng)的寄生參數(shù)提出了更高要求，寄生電感、電容等因素可能影響測試精度，需加以優(yōu)化和控制。 測試實例 被測器件：CREE C3M0075120K SiC MOSFET 測試點位：SiC
        發(fā)表于 04-08 16:00

        MOSFET開關損耗計算

        Power MOSFET 設計電源時，大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐壓、最大導通電流能力及導通電阻等三項參數(shù)做出初步?jīng)Q定。但實際上，在不同的應用電路中，Power MOSFET
        發(fā)表于 03-24 15:03

        MOSFET開關損耗和主導參數(shù)

        本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導作用并更加深入理解MOSFET。
        發(fā)表于 02-26 14:41

        SiC MOSFET的參數(shù)特性

        碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應用中表現(xiàn)出色。本文將詳細探討SiC MOSFET的主要參數(shù)特
        的頭像 發(fā)表于 02-02 13:48 ?1933次閱讀

        MOSFET參數(shù)解讀

        SGT-MOSFET各項參數(shù)解讀
        發(fā)表于 12-30 14:15 ?1次下載

        ADS54J60的JESD204B接口L參數(shù)怎么去理解？

        最近在看ADS54J60芯片的數(shù)據(jù)手冊，手冊第41頁 table10第3行的L參數(shù)是8，但是該芯片兩個converter各包含四個line，請問我該怎么
        發(fā)表于 12-19 07:00

        數(shù)據(jù)手冊中的一些參數(shù)的數(shù)值有時畫一條橫線或者空著不填是什么意思？

        數(shù)據(jù)手冊中的一些參數(shù)的數(shù)值有時畫一條橫線或者空著不填是什么意思？ 如上表， tCS的最大值是15ns，最小值和典型值都是空著的，是不是最小值和典型值我可以隨便?。ù笥?小于15就行
        發(fā)表于 12-16 07:45

        DAC81408的建立時間為12uS，如何理解數(shù)據(jù)手冊中的12uS建立時間這個參數(shù)呢？

        中建立時間曲線，±20V輸出，如果按照數(shù)據(jù)手冊中4V/uS爬升速率計算，0到20V跳變時間為5uS，從以上兩圖頁可以看出，信號在5uS內(nèi)達到設定值20V，該時間也小于建立時間典型值12
        發(fā)表于 12-09 08:33

        求助，關于DAC8811的滿量程增益誤差理解問題

        DAC8811的滿量程增益誤差參數(shù)表中判據(jù)為±4mV，手冊開頭中：滿量程電流：2 mA ± 20%VREF=10V。這2個感覺不太明白，不知道怎么去理解，既然滿量程電流的誤差為±2
        發(fā)表于 12-02 06:29

        LMX2594如何對手冊中配置的ramping樣例8GHz到10GHz進行理解？

        關于手冊中相關參數(shù)的計算不是看的很明白，手冊中的參數(shù) 與TICSPRO
        發(fā)表于 11-11 07:28