關(guān)于DDR內(nèi)存電源的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹
DDR?內(nèi)存通過(guò)同時(shí)對(duì)時(shí)鐘兩個(gè)沿的數(shù)據(jù)計(jì)時(shí)提高了系統(tǒng)速度，帶來(lái)更高的數(shù)據(jù)傳輸速度。由于是高頻運(yùn)行，要求使用端接電阻器來(lái)降低電壓反射。通過(guò)將一端同一半電源電壓的電壓連接，可以最小化端接的損耗。這種電源需要能夠輸出或者汲取電流，同時(shí)還必須具有高交叉頻率，來(lái)最小化電容器要求。如果升高的功耗在可接受范圍以內(nèi)，則端接電源的線性穩(wěn)壓器方法可以節(jié)省成本和減小體積。
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