文章來源：學習那些事

原文作者：小陳婆婆

本文介紹了功率半導體晶圓級封裝的發(fā)展。

在功率半導體封裝領域，晶圓級芯片規(guī)模封裝技術正引領著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方向演進。

本文分述如下：

晶圓級MOSFET封裝革命

晶圓級封裝發(fā)展趨勢

1. 晶圓級MOSFET封裝革命

相較于傳統(tǒng)分立功率封裝，晶圓級MOSFET通過封裝形態(tài)的革新實現(xiàn)了體積占比的根本性轉變——從早期DPAK封裝中約75%的環(huán)氧模塑化合物（EMC）占比，逐步演進至WLCSP中EMC完全消失、硅及互連金屬占比超80%的極致緊湊結構。這一轉變不僅體現(xiàn)在體積指標上，更深刻影響了器件的電氣性能與可靠性設計。

例如，Vishay與Fairchild推出的晶圓級肖特基二極管及垂直MOSFET產品，通過扇入型布局實現(xiàn)了芯片級封裝，而EMC在扇出型封裝中則轉型為重布線層（RDL）基底材料，通過晶圓級環(huán)氧樹脂成型技術構建出具備更大間距的收縮芯片封裝結構，既保留了EMC對器件機械魯棒性的增強作用，又適配了多樣化取放設備的安裝需求。

面對高電流能力需求與芯片收縮趨勢的雙重挑戰(zhàn)，晶圓級功率封裝的載流能力提升策略呈現(xiàn)出多維度創(chuàng)新特征。在熱管理層面，行業(yè)形成了PCB級強化散熱與封裝級多方向散熱的協(xié)同路徑。以金屬框架集成工藝為例，F(xiàn)airchild的MOSFET BGA與Vishay的PolarPAK通過預刻蝕腔金屬晶圓與芯片的鍵合，實現(xiàn)了熱擴散路徑的立體化重構，有效提升了器件在復雜熱環(huán)境下的穩(wěn)定性。這種設計思路在最新研究中進一步延伸至復合金屬基板與納米導熱材料的融合應用，通過微通道散熱結構的精準構建，將熱阻降低至傳統(tǒng)方案的30%以下。

在電氣性能優(yōu)化方面，垂直金屬氧化物晶圓級MOSFET通過超薄硅基板（如7μm級）與厚銅漏極（50μm級）的工藝組合，實現(xiàn)了Rds(on)電阻的顯著降低與熱性能的同步提升。

Fairchild的晶圓級UMOSFET結構便是典型代表，其通過硅基板減薄與銅鍍層工藝的協(xié)同，在保證機械強度的同時，將漏極電阻壓縮至傳統(tǒng)結構的1/5。值得關注的是，行業(yè)正探索漏極位置重構的新路徑——將漏極、源極、柵極集成于芯片同側的橫向布局，雖在高壓應用中存在局限，但在低功率場景下展現(xiàn)出表面安裝兼容性與電氣性能的雙重優(yōu)勢。

對于VDMOS WLCSP，溝槽區(qū)域TSV直連技術的突破，實現(xiàn)了背漏極至前側的直接電氣連接，在保持低Rds(on)特性的同時，進一步簡化了封裝工藝流程。

當前，該領域的前沿探索正聚焦于三維集成技術與新型材料的深度融合。例如，基于硅通孔（TSV）的3D WLCSP結構已實現(xiàn)多芯片垂直互連，在功率模塊中展現(xiàn)出更高的功率密度與熱管理效率；而碳納米管、石墨烯等新型導熱材料的引入，則為封裝級散熱設計提供了更優(yōu)的解決方案。

2. 晶圓級封裝發(fā)展趨勢

功率IC封裝的發(fā)展趨勢

在功率IC封裝領域，5~100V電壓范圍的解決方案正通過單片集成技術實現(xiàn)電感負載范圍的拓展與功能集成度的躍升，典型如晶圓級片上電源系統(tǒng)將高壓側/低壓側電源開關與IC驅動器集成，配合無傳感器定位、自適應運動控制等數(shù)字功能，形成高集成度的電源轉換架構。對于100~700V高壓場景，下一代LDMOS結構已突破硅基幾何極限，通過優(yōu)化摻雜分布與場板設計提升擊穿電壓，推動AC-DC單片功率變換能力升級，同時多晶粒集成極限持續(xù)突破，支撐高功率密度模塊開發(fā)。

隨著芯片尺寸向亞毫米級收縮，封裝占用面積雖呈下降趨勢，但熱管理挑戰(zhàn)愈發(fā)凸顯——WLCSP與PCB級散熱器的機械兼容性問題導致板級封裝可靠性降低，傳統(tǒng)空氣冷卻已難以滿足高功率密度需求。

當前前沿探索聚焦于晶圓級微通道冷卻技術，通過在芯片有源側/背面構建微米級流道，配合高導熱流體實現(xiàn)高效熱擴散，可完全替代散熱器并消除風扇噪聲，該方案在數(shù)據(jù)中心電源模塊中已實現(xiàn)熱阻降低40%的實測效果。

晶圓級無源器件的發(fā)展趨勢

晶圓級無源器件的發(fā)展正突破低功率限制，通過新型材料與工藝創(chuàng)新向中高功率延伸。例如，采用氮化鋁基板的晶圓級電感器在MHz級高頻下可承載數(shù)安培電流，其自諧振頻率可達100MHz以上，遠超傳統(tǒng)封裝級電感器性能；而集成電阻器與電容器的BCDMOS工藝已實現(xiàn)寄生參數(shù)壓縮至傳統(tǒng)方案的1/3，在降壓轉換器中顯著降低開關損耗。

晶圓級堆疊/3D功率芯片SiP

三維集成與堆疊技術成為功率SiP的核心演進方向。晶圓對晶圓鍵合配合TSV互連可實現(xiàn)雙晶圓堆疊，如將MOSFET與驅動IC垂直集成于無源晶圓上方，通過TSV連接公共源極/漏極，使高邊/低邊芯片間距縮短至50μm以內，寄生電阻降低60%以上。

該結構在LCD背光逆變器中已驗證，半橋拓撲的開關延遲壓縮至2ns以下。當前研究正探索混合鍵合與硅通孔微凸點技術，以實現(xiàn)更高密度的3D堆疊，同時解決熱應力匹配問題。

綜上，功率晶圓級封裝正沿著高集成度、高頻化、三維化的路徑演進。扇入型WLCSP仍是主流，但扇出型技術通過RDL重布線與EMC成型工藝逐步成熟，在汽車功率模塊中已實現(xiàn)批量應用。VDMOSFET漏極前移技術持續(xù)普及，配合TSV直連與復合金屬基板，推動全表面貼裝兼容性提升。未來，隨著碳化硅、氮化鎵等寬禁帶材料與晶圓級封裝的深度融合，以及AI驅動的熱管理算法優(yōu)化，功率器件將向更高功率密度、更低損耗的智能集成方向加速突破，在新能源汽車、智能電網等領域發(fā)揮關鍵作用。