據(jù)麥姆斯咨詢介紹，5G的角逐似乎正在不斷加速，尤其是在美國(guó)，AT&T和Verizon等主要電信運(yùn)營(yíng)商宣布將在2018年底之前推出5G服務(wù)。先進(jìn)的LTE（LTE-A）已經(jīng)迅速升級(jí)擴(kuò)展到當(dāng)前的基站（BS）。LTE-PRO（亦即4.5G）的現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)正在全面展開，下載速度已經(jīng)達(dá)到1 Gbps。固定無線接入（FWA）技術(shù)也已經(jīng)通過了大量的現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)，展示了毫米波（mmWave）頻譜的早期成功應(yīng)用。

5G發(fā)展時(shí)間表數(shù)據(jù)來源：《5G對(duì)射頻（RF）前端產(chǎn)業(yè)的影響》對(duì)5G的嚴(yán)格要求不僅體現(xiàn)在宏觀上帶來基站密度致密化，還要求在器件級(jí)別上實(shí)現(xiàn)功率密度的增強(qiáng)。據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，GaN（氮化鎵）將在未來幾十年內(nèi)以20%的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）顯著地滲透兩個(gè)主要市場(chǎng)——國(guó)防和無線通信。雖然許多其它化合物半導(dǎo)體和工藝也將在5G發(fā)展中發(fā)揮重要作用，但很明顯地，GaN將以其功率/效率水平和高頻性能，在高性能無線解決方案中發(fā)揮關(guān)鍵作用。先進(jìn)調(diào)制方案考慮因素隨著蜂窩技術(shù)的發(fā)展，所使用的調(diào)制方案通常是由具有高峰值平均功率比（PAPR，峰值功率與信號(hào)的平均功率之比）的非恒定包絡(luò)來定義的。如下圖所示，PAPR從3G（W-CDMA）的大約2:1急劇增長(zhǎng)到了4G（LTE / OFDM）的7:1。并且，雖然OFDM等先進(jìn)調(diào)制方案在有限的網(wǎng)絡(luò)資源下實(shí)現(xiàn)了非常高的速度，但是頻譜效率的提高，是以功率放大器（PA）的能量效率下降為代價(jià)的。

移動(dòng)通訊信號(hào)PAPR的發(fā)展為了避免信號(hào)失真，必須對(duì)高PAPR波形進(jìn)行線性放大。如果信號(hào)通過非線性PA，則會(huì)發(fā)生帶內(nèi)失真，進(jìn)而增加誤碼率（BER）和帶外輻射，從而導(dǎo)致相鄰信道干擾。因此，這些高功率放大器往往需要在線性和效率之間進(jìn)行權(quán)衡。

數(shù)據(jù)傳輸速度 vs. 載波單元（Component Carrier）數(shù)據(jù)來源：《5G對(duì)手機(jī)射頻前端模組和連接性的影響》

載波聚合考慮因素除了存在不斷增長(zhǎng)的PAPR設(shè)計(jì)約束，還需要運(yùn)行在比傳統(tǒng)PA更寬的帶寬上。移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商（MNO）已經(jīng)面臨著實(shí)現(xiàn)更高數(shù)據(jù)速率的需求，但嚴(yán)重受限于低于20 MHz的帶寬。載波聚合便是為了在頻譜稀疏的運(yùn)行區(qū)間大幅增加有效帶寬。載波聚合將同一頻帶內(nèi)（帶內(nèi)）或不同頻帶內(nèi)（帶間）的無線信道組合起來，以提高無線數(shù)據(jù)速率，并降低延遲。LTE-A允許載波單元具有高達(dá)20MHz的帶寬，最多支持5個(gè)這樣的帶寬，可以組成高達(dá)100MHz的帶寬進(jìn)行聚合。過去，移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商還可以使用覆蓋單個(gè)20 MHz頻段的系統(tǒng)，但未來必須大幅提升網(wǎng)絡(luò)容量，才能支持即將到來的移動(dòng)流量暴漲?，F(xiàn)在的技術(shù)需要最高支持20倍的帶寬，來處理這些多頻帶和多載波系統(tǒng)。支持這些先進(jìn)的調(diào)制方案需要面對(duì)多方面的問題，目前已經(jīng)開發(fā)出了多個(gè)已知的解決方案。有些包括數(shù)字預(yù)失真（DPD）以提高線性度，Doherty和包絡(luò)跟蹤（ET）技術(shù)以獲得更高效率。GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）憑借其固有的高擊穿電壓、高功率密度、大帶寬和高效率，已成為基站PA的有力候選技術(shù)。對(duì)于約翰遜品質(zhì)因數(shù)（FoM）（衡量高頻功率晶體管應(yīng)用的半導(dǎo)體適用性），GaN器件比硅（Si）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）和磷化銦（InP）要高出幾個(gè)數(shù)量級(jí)。相比現(xiàn)有的硅LDMOS和GaAs解決方案，GaN器件能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡(luò)所需要的功率和效能。而且，GaN的寬帶性能也是實(shí)現(xiàn)多頻帶載波聚合等重要新技術(shù)的關(guān)鍵因素之一。由于LDMOS無法再支持更高的頻率，GaAs也不再是高功率應(yīng)用的最優(yōu)方案，預(yù)計(jì)未來大部分6GHz以下宏網(wǎng)絡(luò)單元應(yīng)用都將采用GaN器件。GaN基站應(yīng)用

2015~2025年電信基站主要趨勢(shì)數(shù)據(jù)來源：《RF GaN市場(chǎng)應(yīng)用、技術(shù)及襯底-2018版》

根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)ABI Research的研究數(shù)字，2014年基站RF功率器件市場(chǎng)規(guī)模為11億美元，其中GaN占比11%，而橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)（LDMOS）占比88%。2017年，GaN市場(chǎng)份額預(yù)估增長(zhǎng)到了25%，并且預(yù)計(jì)將繼續(xù)保持增長(zhǎng)。如下圖所示，蜂窩基站GaN市場(chǎng)占整個(gè)RF功率市場(chǎng)的最大份額將超過50%。對(duì)于5G基站PA的一些要求可能包括3~6GHz和24GHz~40GHz的運(yùn)行頻率，RF功率在0.2W~30W之間。憑借其良好的傳播特性，早期的5G網(wǎng)絡(luò)可能會(huì)采用低于6 GHz的頻段。

GaN預(yù)計(jì)到2025年將主導(dǎo)RF功率器件市場(chǎng)，搶占基于硅LDMOS技術(shù)的基站PA市場(chǎng)如前所述，GaN-on-SiC HEMT是基站PA的主要候選技術(shù)，因?yàn)樗鼈兡軌蛟诒裙?LDMOS晶體管更大的帶寬、更高頻率下，在Doherty配置中實(shí)現(xiàn)更高的功率附加效率（PAE）。GaN HEMT技術(shù)也可以非常堅(jiān)固耐用，在高功率負(fù)載嚴(yán)重不匹配的情況下運(yùn)行，并且性能降低最小。這種固有的高工作電壓和輸出阻抗帶來了低損耗、寬帶匹配和大輸出功率。此外，其更大的安全運(yùn)行區(qū)（SAO），可減輕由于功率波動(dòng)引起的任何熱場(chǎng)或電場(chǎng)擊穿問題，從而最大限度地減少對(duì)基站設(shè)備的維護(hù)需要。GaN MMIC的低噪聲系數(shù)性能結(jié)合其高功率密度，使它們成為發(fā)射器鏈中PA基板和接收器鏈中低噪聲放大器（LNA）的潛在理想選擇。

已有幾種現(xiàn)有GaN 低噪聲放大器實(shí)施方案能實(shí)現(xiàn)低噪聲要求，同時(shí)可承受高入射功率而不會(huì)造成損壞。GaN毫米波應(yīng)用毫米波（mmWave）頻譜是實(shí)現(xiàn)5G的關(guān)鍵；其大量可用帶寬是支持高數(shù)據(jù)速率應(yīng)用（如4K/8K視頻流）以及增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)和虛擬現(xiàn)實(shí)（AR/VR）應(yīng)用的有力選擇。小型基站是利用毫米波頻帶的理想選擇，因?yàn)樗鼈兛梢栽诔鞘协h(huán)境中緊密排布，減輕高頻信號(hào)的有損傳播特性。為了實(shí)際目的，這些小型基站必須易于安裝在高尺寸、重量以及功率受限的結(jié)構(gòu)上。

有關(guān)尺寸問題，事實(shí)上隨著晶體管和天線尺寸在更高頻率下的逐漸減小，某種程度上已經(jīng)解決。不過，更小尺寸的組件，通常具有較差的熱管理特性，因?yàn)檩^大的表面積能夠更好地在設(shè)備上分散熱量。SiC襯底具有相對(duì)較高的熱導(dǎo)率（~120 W/MK），因此可以更容易地將熱從晶體管轉(zhuǎn)移到散熱器。對(duì)于成本較低的小型基站應(yīng)用，化學(xué)氣相沉積（CVD）金剛石（~1800 W/MK）比SiC具有更大的熱導(dǎo)率。GaN PA已經(jīng)用于尖端衛(wèi)星通信中的Ka波段轉(zhuǎn)發(fā)器。

即將到來的高吞吐量衛(wèi)星（HTS）和低地球軌道（LEO）中小型衛(wèi)星需要外形尺寸更小的元件，以便在功率極其受限的環(huán)境中實(shí)現(xiàn)高度集成。該技術(shù)可以用于24 GHz以上的5G毫米波段。當(dāng)前0.2um、0.15um和0.1um的GaN工藝可使截止頻率進(jìn)入W波段，功率密度約為2W/mm。GaN PA在較低頻率下表現(xiàn)出的高功率密度、寬運(yùn)行帶寬、良好的PAE和線性度，以及低噪聲性能，在毫米波頻率下也具有相同的性能表現(xiàn)。AlGaN / GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)特別適用于高頻性能，與基于AlGaAs / GaAs的器件不同，AlGaN / GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的大自發(fā)和壓電極化效應(yīng)，可產(chǎn)生電子通道而不需要任何調(diào)制摻雜。GaN用于大規(guī)模MIMO當(dāng)前的基站技術(shù)涉及具有多達(dá)8個(gè)天線的MIMO配置，以通過簡(jiǎn)單的波束形成算法來控制信號(hào)，但是大規(guī)模MIMO可能需要利用數(shù)百個(gè)天線來實(shí)現(xiàn)5G所需要的數(shù)據(jù)速率和頻譜效率。

大規(guī)模MIMO中使用的耗電量大的有源電子掃描陣列（AESA），需要單獨(dú)的PA來驅(qū)動(dòng)每個(gè)天線元件，這將帶來顯著的尺寸、重量、功率密度和成本（SWaP-C）挑戰(zhàn)。這將始終涉及能夠滿足64個(gè)元件和超出MIMO陣列的功率、線性、熱管理和尺寸要求，且在每個(gè)發(fā)射/接收（T/R）模塊上偏差最小的射頻PA。由于GaN芯片每年在功率密度和封裝方面都會(huì)取得飛躍，到了大規(guī)模MIMO系統(tǒng)在商業(yè)上可行的時(shí)候，GaN很可能成為一種自然選擇。結(jié)語GaN襯底已經(jīng)在軍用雷達(dá)中使用了數(shù)十年，但是這類應(yīng)用的機(jī)密性，在某種程度上阻礙了它在商業(yè)領(lǐng)域的成長(zhǎng)和成熟。GaN器件發(fā)源于美國(guó)國(guó)防部，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于新一代航天和地面雷達(dá)系統(tǒng)。GaN的高功率性能提高了雷達(dá)的探測(cè)距離和分辨率，設(shè)計(jì)人員對(duì)該新技術(shù)的應(yīng)用也已經(jīng)日趨成熟。然而，與軍事相關(guān)的技術(shù)總是非常敏感。隨著國(guó)防應(yīng)用領(lǐng)域日益青睞GaN器件，非軍事應(yīng)用領(lǐng)域或?qū)⑹艿接绊?，尤其是針?duì)該技術(shù)的市場(chǎng)并購(gòu)行為。

如果涉及軍事應(yīng)用，政府勢(shì)必橫加干預(yù)，例如FGC Investment Fund對(duì)Aixtron的并購(gòu)，以及英飛凌（Infineon）對(duì)Wolfspeed的并購(gòu)。盡管如此，恰如Yole及其他調(diào)研機(jī)構(gòu)的預(yù)測(cè)，對(duì)這種寬帶隙材料的需求正在發(fā)生轉(zhuǎn)變，這將從根本上消除軍事和集成設(shè)備制造商（IDM）對(duì)獨(dú)立代工廠和設(shè)計(jì)公司的排他性。此外，蜂窩通信技術(shù)及行業(yè)的發(fā)展，為GaN的應(yīng)用提供了非常有前景的利基市場(chǎng)。商業(yè)領(lǐng)域的這種需求，很可能會(huì)推動(dòng)GaN基器件的制造，并最終降低GaN基器件的批量?jī)r(jià)格。隨著蜂窩基站利用載波聚合等先進(jìn)的調(diào)制方案和技術(shù)，商用GaN PA的早期應(yīng)用可能會(huì)下降。 但在此之后，隨著毫米波應(yīng)用尤其是大規(guī)模MIMO的興起，GaN的市場(chǎng)前景依然強(qiáng)勁，因?yàn)楹芸赡軟]有其它候選技術(shù)，能夠滿足大規(guī)模有源電子掃描陣列所需的功率密度要求。