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M95P08-x:面向超低功耗應用的8Mbit SPI頁面EEPROM

科技觀察員 ? 2025-10-24 09:41 ? 次閱讀
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STMicroelectronics M95P08-x超低功耗串行SPI頁面EEPROM采用先進的專有NVM技術。M95P08-x具有字節(jié)靈活性、頁面可更改性、高頁面循環(huán)性性能,以及等同于EEPROM技術的超低功耗。這些8-MbSPI頁面EEPROM器件組織為2048可編程頁面,每個頁面512字節(jié),可通過SPI總線訪問,具有高性能雙路和四路SPI輸出。該器件提供兩個額外的(識別)512字節(jié)頁面:一個包含識別數據,并根據要求包含UID;第二個可用于存儲敏感的 應用參數(可永久鎖定為只讀模式)。附加狀態(tài)、配置和易失性寄存器設置所需的設備配置,而安全寄存器則提供有關設備狀態(tài)的信息。

數據手冊:*附件:STMicroelectronics M95P08-x超低功耗串行SPI頁面 EEPROM數據手冊.pdf

M95P08-I的工作電源電壓范圍為1.6至3.6 V,環(huán)境溫度范圍為-40°C至+85°C。M95P08-E的擴展溫度范圍為-40°C至+105°C,支持高達80MHz的時鐘頻率。STMicroelectronics M95P08-x頁面 EEPROM具有高達512字節(jié)的字節(jié)和頁寫入指令。寫入指令包括自定時自動擦除和編程操作,從而實現靈活的數據字節(jié)管理。也接受頁面/塊/扇區(qū)/芯片擦除命令,并將存儲器設置為擦除狀態(tài)。存儲器可通過512字節(jié)頁面進行快速編程,還可使用帶有緩沖器負載指令的頁面程序進一步優(yōu)化,以隱藏SPI通信延遲。

特性

  • 接口
    • 支持串行外設接口 (SPI) 和雙路/四路輸出
    • 1.6V至3.6V寬范圍
    • 溫度范圍
      • 工業(yè)溫度范圍:-40°C至+85°C
      • 擴展溫度范圍:-40°C至+105°C
    • 閱讀
      • 單輸出讀?。?0MHz
      • 單路/雙路/四路輸出(帶一個空字節(jié))的快速讀取:80MHz
  • 存儲器
    • 8MB頁面EEPROM
      • 64Kb區(qū),4Kb扇區(qū)
      • 頁面尺寸:512字節(jié)
      • 2x識別頁面
    • 在整個溫度范圍內500k次寫入循環(huán)
    • 數據保留
      • 100年
      • 50萬次后10年
  • 超低功耗
    • 深度掉電模式下典型值為0.6μA
    • 待機模式下典型值為16μA
    • 10MHz時讀取單電流典型值為800μA
    • 頁面寫入典型值:1.5mA
    • 電流峰值控制<3mA
  • 高寫入/擦除性能
    • 快速寫入/編程/擦除時間
      • 512字節(jié)的字節(jié)和頁面寫入(包括自動擦除和編程)典型值:2ms
      • 頁面程序:1.2ms(典型值)(512字節(jié))
      • 頁面擦除典型值:1.1ms
      • 扇區(qū)擦除典型值:1.3ms
      • 塊擦除典型值:4ms
      • 芯片擦除典型值:4ms
    • 頁面程序,帶緩沖負載
  • ECC,實現高內存可靠性(DEC、TED)
  • 用于噪聲過濾的施密特觸發(fā)器輸入
  • 輸出緩沖器可編程強度
  • ISO26262工作狀態(tài)標志
  • 軟件重置
  • 按塊進行寫保護,提供頂部/底部選項
  • 應要求提供唯一ID
  • 電子標識
  • 支持串行閃存可發(fā)現參數 (SFDP) 模式
  • JEDEC標準制造商標識
  • 增強型ESD保護HBM(人體模型)
  • ECOPACK2型2mm x 3mm DFN8、SO8N或WLCSP8封裝
  • 無鹵,符合RoHS指令

框圖

1.png

M95P08-x:面向超低功耗應用的8Mbit SPI頁面EEPROM

概述

STMicroelectronics推出的 M95P08-IM95P08-E 是一款基于先進非易失性存儲器(NVM)技術的 8Mbit SPI頁面EEPROM 。該器件不僅具備傳統(tǒng)EEPROM的字節(jié)級靈活性與頁可改寫性,還融合了Flash存儲器的高密度與高耐久性特性,特別適用于對功耗和可靠性有嚴苛要求的嵌入式系統(tǒng)。

主要特性

超低功耗設計

  • 深功耗下降模式 :典型功耗僅 0.6 μA
  • 待機模式 :典型功耗 16 μA
  • 讀取功耗 :在10 MHz頻率下,單輸出讀取電流僅為 800 μA
  • 寫入功耗 :頁面寫入電流典型值為 1.5 mA

高性能存儲結構

  • 容量 :8 Mbit(1 MB),組織為 2048頁 × 512字節(jié)
  • 塊與扇區(qū)
    • 16個64 KB塊
    • 256個4 KB扇區(qū)
  • 額外識別頁 :提供兩個512字節(jié)的識別頁,支持存儲設備ID、UID或用戶參數

快速操作性能

  • 頁面寫入(含自動擦除) :典型 2 ms
  • 頁面編程 :典型 1.2 ms
  • 頁面擦除 :典型 1.1 ms
  • 扇區(qū)/塊/芯片擦除 :均支持,時間在 1.3 ms 至 4 ms 之間

高可靠性

  • 寫入耐久性 :全溫度范圍內 500,000 次寫循環(huán)
  • 數據保存期限100 年 (在500k次循環(huán)后仍可保持10年)
  • ECC糾錯 :支持雙比特糾錯(DEC)與三比特錯誤檢測(TED)

接口與通信

SPI接口與多輸出模式

  • 支持標準SPI模式(CPOL=0/CPHA=0 或 CPOL=1/CPHA=1)
  • 支持 單線、雙線和四線輸出讀取 ,最高時鐘頻率達 80 MHz
  • 四線模式下,DQ0–DQ3 可同時輸出4位數據,大幅提升讀取吞吐量

引腳復用設計

引腳功能說明
S片選低電平有效
D-DQ0數據輸入 / 輸出0雙/四線輸出時為DQ0
Q-DQ1數據輸出1雙/四線輸出時為DQ1
W-DQ2寫保護 / 輸出2四線輸出時為DQ2
HOLD-DQ3保持 / 輸出3四線輸出時為DQ3

數據保護機制

硬件與軟件保護

  • 塊保護位(BP2–BP0)頂/底控制位(TB) 可配置保護區(qū)域
  • 寫保護引腳(W) 可鎖定狀態(tài)寄存器,防止誤寫
  • 深功耗下降模式 下,所有編程與擦除指令被忽略

狀態(tài)與安全寄存器

  • 狀態(tài)寄存器 :包含WIP(寫入中)、WEL(寫使能)等關鍵狀態(tài)位
  • 安全寄存器 :提供ECC錯誤標志、操作狀態(tài)標志等,支持系統(tǒng)級診斷

典型應用場景

封裝選項

M95P08系列提供多種封裝形式,包括:

  • SO8N (8引腳小外形封裝)
  • DFN8 (2×3 mm 超薄雙扁平無引線封裝)
  • WLCSP8 (晶圓級芯片尺寸封裝)

所有封裝均符合 ECOPACK2 環(huán)保標準,無鹵素且符合RoHS指令。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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