前言：

2025年，存儲(chǔ)市場(chǎng)持續(xù)“高燒”——

- 國(guó)際大廠停產(chǎn)DDR3/4，減產(chǎn)LPDDR4/4X，漲價(jià)50%只是起步

- 國(guó)產(chǎn)料號(hào)月更、周更，同一料號(hào)不同Die，顆粒參數(shù)“開(kāi)盲盒”

- 更大的坑是：對(duì)于嵌入式產(chǎn)品而言，內(nèi)存顆粒的微小差異都可能引發(fā)硬件兼容性問(wèn)題，從而給系統(tǒng)穩(wěn)定性帶來(lái)了挑戰(zhàn)。

別慌！眺望電子基于RK3588核心板，梳理出一套完整的【DDR顆粒五步壓力驗(yàn)證法】，從環(huán)境搭建到多場(chǎng)景測(cè)試，全部腳本化，10分鐘上手教你判斷內(nèi)存顆粒是否“抗造”，為產(chǎn)品穩(wěn)定保駕護(hù)航！

整套方案可開(kāi)源提供，拿來(lái)即用！

一、工具&環(huán)境準(zhǔn)備

眺望電子開(kāi)源SDK中自帶完整測(cè)試工具集，直接定位至 /rockchip-test 目錄，無(wú)需交叉編譯，開(kāi)箱即用，效率拉滿。

在開(kāi)始測(cè)試前，先通過(guò)指令確認(rèn)當(dāng)前DDR顆粒的實(shí)際容量，確保與設(shè)計(jì)需求一致：

root@rkxxxx:/# cat /proc/meminfo

指令返回 MemTotal: 7908456 kB（約 7.5G），可快速判斷顆粒容量是否符合預(yù)期。

二、定頻拷機(jī)（固定頻率壓力驗(yàn)證）

模擬 DDR 在固定高頻下的長(zhǎng)期高負(fù)載場(chǎng)景，驗(yàn)證顆粒在穩(wěn)定頻率下的抗壓能力，步驟如下：

2.1啟動(dòng)GPU，模擬真實(shí)高負(fù)載應(yīng)用

通過(guò)啟動(dòng) glmark2 讓系統(tǒng)保持高負(fù)載狀態(tài)，

root@rkxxxx:/# /rockchip-test/gpu/test_stress_glmark2.sh>/dev/null&

2.2鎖定 DDR 測(cè)試頻率

根據(jù)測(cè)試需求選擇目標(biāo)頻率（支持528000000 1068000000 1560000000 2112000000），以 1056MHz 為例：

root@rkxxxx:/# /rockchip-test/ddr/ddr_freq_scaling.sh 1056000000

執(zhí)行后通過(guò)以下指令確認(rèn)頻率是否鎖定成功：

root@rkxxxx:/# cat /sys/class/devfreq/dmc/cur_freq

2.3獲取可用測(cè)試內(nèi)存大小

先通過(guò)指令查看系統(tǒng)內(nèi)存可用情況：

root@rkxxxx:/# free -m

取返回結(jié)果中的 available 值（示例為 7172MB），按 90% 比例計(jì)算實(shí)際可用測(cè)試內(nèi)存：7172MB×0.9≈6454MB

2.4兩款拷機(jī)工具任選，12小時(shí)高壓測(cè)試

（1）stressapptest：精準(zhǔn)錯(cuò)誤反饋

stressapptest 測(cè)試的內(nèi)存空間為6454MB，運(yùn)行時(shí)間12小時(shí)(43200秒)，執(zhí)行命令如下：

root@rkxxxx:/# stressapptest -s43200-i4-C4-W --stop_on_errors -M6454

拷機(jī)結(jié)束，確認(rèn)機(jī)器是否正常，glmark2是否正常運(yùn)行，stressapptest 結(jié)果是 PASS 還是 FAIL。

測(cè)試中：每 10 秒打印 1 條日志，顯示剩余測(cè)試時(shí)間；

測(cè)試后：通過(guò)結(jié)果判斷穩(wěn)定性 ——

通過(guò)：打印 “Status: PASS - please verify no corrected errors”；

失敗：打印 “Status: FAIL - test discovered HW problems”。

（2）memtester：持續(xù)運(yùn)行即穩(wěn)定

做 memtester 測(cè)試的內(nèi)存空間為6454MB，執(zhí)行命令如下：

root@rkxxxx:/# memtester 6454m

拷機(jī)結(jié)束，確認(rèn)機(jī)器是否正常，glmark2是否正常運(yùn)行，memtester 是否在正常運(yùn)行。SDK固件自帶的memtester 程序和DDR 測(cè)試資源文件目錄里的 memtester 程序都進(jìn)行過(guò)修改。

無(wú)錯(cuò)誤則持續(xù)打印循環(huán)測(cè)試日志（如 “Loop 1: Stuck Address : setting 13”）；

memtester 運(yùn)行過(guò)程如果有發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤，會(huì)自動(dòng)停止測(cè)試并退出，退出時(shí)打印如下 log：

FAILURE:0xffffffff !=0xffffbfff at offset0x03b7d9e4.EXIT_FAIL_OTHERTEST

三、變頻拷機(jī)（動(dòng)態(tài)頻率切換驗(yàn)證）

模擬 DDR 在不同頻率間動(dòng)態(tài)切換的場(chǎng)景（如系統(tǒng)負(fù)載波動(dòng)時(shí)的頻率調(diào)整），驗(yàn)證顆粒的動(dòng)態(tài)適配能力：

3.1開(kāi)啟glmark2，啟動(dòng) GPU 負(fù)載

root@rkxxxx:/# /rockchip-test/gpu/test_stress_glmark2.sh>/dev/null&

3.2后臺(tái)執(zhí)行memtester

如果可用于做 memtester 測(cè)試的內(nèi)存空間為6454MB，執(zhí)行命令如下：

root@rkxxxx:/# memtester 6454m > /data/memtester_log.txt &

3.3執(zhí)行測(cè)試腳本

root@rkxxxx:/# /rockchip-test/ddr/ddr_freq_scaling.sh

Note: 變頻測(cè)試測(cè)試過(guò)程，由于是強(qiáng)制變頻，機(jī)器可能會(huì)出現(xiàn)由于帶寬不足等原因所致的屏幕閃爍等現(xiàn)象，屬正?，F(xiàn)象，無(wú)需中斷測(cè)試。

3.4確認(rèn)拷機(jī)結(jié)果，拷機(jī)時(shí)間12小時(shí)以上

確認(rèn)glmark2是否正常運(yùn)行，機(jī)器是否正常

確認(rèn)變頻腳本運(yùn)行是否正常運(yùn)行，變頻 log 是否在正常打印

cnt:2315, ddr freq: success change to528000000Hzcnt:2316, ddr freq: success change to528000000Hzcnt:2317, ddr freq: success change to1332000000Hz

四、自動(dòng)重啟拷機(jī)（系統(tǒng)可靠性驗(yàn)證）

模擬產(chǎn)品長(zhǎng)期運(yùn)行中的意外重啟場(chǎng)景，驗(yàn)證 DDR 在重啟過(guò)程中的穩(wěn)定性。

執(zhí)行自動(dòng)重啟測(cè)試腳本：

root@rkxxxx:/# /rockchip-test/auto_reboot/auto_reboot.sh

拷機(jī)12小時(shí)以上，確認(rèn)設(shè)備是否正常，可以通過(guò)以下命令停止測(cè)試：

root@rkxxxx:/# echo off > /userdata/rockchip-test/reboot_cnt

五、休眠喚醒拷機(jī)（電源管理驗(yàn)證）

針對(duì)嵌入式設(shè)備常見(jiàn)的休眠喚醒場(chǎng)景，驗(yàn)證 DDR 在低功耗與正常工作模式切換時(shí)的穩(wěn)定性：

執(zhí)行休眠喚醒測(cè)試腳本：

root@rkxxxx:/# /rockchip-test/suspend_resume/suspend_resume.sh

拷機(jī)12小時(shí)以上，確認(rèn)設(shè)備是否正常

結(jié)語(yǔ)

DDR漲價(jià)不可怕，可怕的是隱患在后續(xù)使用才爆發(fā)。把這套「五步壓力驗(yàn)證」加進(jìn)你的品控流程，讓內(nèi)存顆粒更迭不再是“黑盒”。

從固定頻率高壓測(cè)試到動(dòng)態(tài)變頻驗(yàn)證，從系統(tǒng)重啟到休眠喚醒，這套基于 RK3588 的 DDR 顆粒驗(yàn)證流程覆蓋了嵌入式產(chǎn)品的核心應(yīng)用場(chǎng)景。在存儲(chǔ)市場(chǎng)波動(dòng)的當(dāng)下，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試提前規(guī)避顆粒差異風(fēng)險(xiǎn)，才能讓產(chǎn)品開(kāi)發(fā)更穩(wěn)、落地更快！

工程師Tips

1. 不同批次顆粒務(wù)必‘每批抽檢’，哪怕Part Number一樣。

2. 高頻1560 M/2112 M對(duì)PCB阻抗最敏感，建議優(yōu)先跑低頻率做初篩。

3. stressapptest支持多線程，能把帶寬吃到95%以上，比純memtester更接近真實(shí)場(chǎng)景。