STMicroelectronics STL120N10F8100V N溝道增強模式STripFET MOSFET采用ST的STripFET F8技術(shù)，具有增強型溝槽柵極結(jié)構(gòu)。它確保極低的導(dǎo)通電阻，同時降低內(nèi)部電容和柵極電荷，從而實現(xiàn)更快、更高效的開關(guān)。STMicroelectronics STL120N10F8是開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：STMicroelectronics STL120N10F8 100V N溝道STripFET MOSFET數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• MSL1級
• 工作溫度：175°C
• 100%經(jīng)雪崩測試

示意圖

STL120N10F8功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、器件核心特性概覽?

STL120N10F8是一款采用STripFET F8技術(shù)的N溝道增強型功率MOSFET，具有以下突出特性：

• ?耐壓與電流能力?：漏源電壓（VDS）100V，連續(xù)導(dǎo)通電流（ID）達125A（TC=25℃）
• ?超低導(dǎo)通損耗?：靜態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(on)）最大僅4.6mΩ（VGS=10V, ID=60A）
• ?高頻開關(guān)優(yōu)化?：柵極電荷（Qg）典型值56nC，內(nèi)部電容（Ciss/Coss/Crss）顯著降低，適用于高效率開關(guān)場景
• ?封裝與散熱?：PowerFLAT 5x6封裝，熱阻（RthJC）低至1.0℃/W，支持175℃結(jié)溫運行

?典型應(yīng)用場景?：

• 開關(guān)電源（SMPS）及同步整流
• 電機驅(qū)動與逆變器
• 工業(yè)級DC-DC轉(zhuǎn)換器

?二、關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計與選型依據(jù)?

?1. 極限參數(shù)與安全邊界?

?2. 動態(tài)特性與開關(guān)性能?

• ?柵極驅(qū)動要求?：
  • 閾值電壓（VGS(th)）典型值2V（ID=250μA），建議驅(qū)動電壓≥10V以充分導(dǎo)通
  • 柵極電阻（RG）內(nèi)部典型值1.9Ω，外部需串聯(lián)電阻抑制米勒振蕩
• ?開關(guān)速度?：
  • 開啟延遲（td(on)）17ns，上升時間（tr）16ns（VDD=50V, ID=60A）
  • 關(guān)斷延遲（td(off)）41ns，下降時間（tf）17ns，適合100kHz-500kHz開關(guān)頻率

?3. 熱管理設(shè)計?

• ?熱阻模型?：
  • 結(jié)到環(huán)境熱阻（RthJA）24℃/W（基于2s2p FR-4板）
  • 最大功耗（PTOT）150W（TC=25℃），實際功耗需滿足：
    ?PD(max) = (TJ(max) - TA) / RthJA?
    例如：環(huán)境溫度TA=50℃時，允許功耗約(175-50)/24≈5.2W
• ?散熱對策?：
  • 采用大面積銅箔+熱過孔降低RthJA
  • 持續(xù)大電流場景需外接散熱器，通過結(jié)-殼熱阻（RthJC=1.0℃/W）傳遞熱量

?三、實測曲線解讀與設(shè)計驗證?

? 1. 輸出特性（圖5） ?

• VGS=10V時，VDS=2V即可承載60A電流，說明飽和壓降低
• 高結(jié)溫（175℃）下導(dǎo)通電阻僅上升約1.8倍（圖13），優(yōu)于傳統(tǒng)MOSFET

? 2. 柵極電荷特性（圖8） ?

• VDS=50V時，Qg=56nC，驅(qū)動電流需滿足：
  ?**Ig = Qg / tr**?
  例如：tr=16ns時，驅(qū)動峰值電流需≥3.5A

? 3. 體二極管行為（表6） ?

• 正向壓降（VSD）典型值1.2V（ISD=60A）
• 反向恢復(fù)時間（trr）67ns，需注意續(xù)流過程中的開關(guān)損耗

?四、PCB布局與封裝注意事項?

1. ?焊盤設(shè)計?：
   • 嚴(yán)格按照圖18推薦焊盤尺寸，確保散熱與機械穩(wěn)定性
2. ?柵極路徑?：
   • 驅(qū)動回路盡量短，避免寄生電感導(dǎo)致震蕩
3. ?功率路徑?：
   • 使用厚銅箔（≥2oz）降低導(dǎo)通壓降，并聯(lián)多過孔分擔(dān)電流

?五、常見設(shè)計誤區(qū)與規(guī)避方案?

?六、選型替代與迭代建議?

• ?與同類器件對比?：
  STripFET F8技術(shù)使RDS(on)比上一代降低30%，同時Qg減少20%
• ?升級路徑?：
  若需更高耐壓（如150V），可評估STL140N15F7；若追求更低導(dǎo)通電阻，可考慮STL110N8F8（2.2mΩ）