備戰(zhàn)下一代顯卡，三星搶先量產(chǎn)16Gb的GDDR6內(nèi)存芯片
如之前預(yù)告的那樣，在三星開(kāi)始量產(chǎn)基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久，16Gb 的 GDDR6 內(nèi)存芯片現(xiàn)在也已經(jīng)拍馬趕到了。早些時(shí)候官方公布了開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)這款零件的消息，據(jù)介紹該款同樣基于 10nm 制程打造的產(chǎn)品「將會(huì)在先期上市的下一代顯卡、顯示系統(tǒng)中扮演至關(guān)重要的角色」。
具體來(lái)說(shuō)，它的數(shù)據(jù)傳輸速度能達(dá)到 72 GB/s，幾乎兩倍于 8Gb GDDR5 RAM 芯片的表現(xiàn)。與此同時(shí)功耗則下降了約 35%，而且制造生產(chǎn)率上漲了 30%，在同樣時(shí)間內(nèi)生產(chǎn)線將有望產(chǎn)出更多的芯片。這最后一點(diǎn)在如今顯卡被比特幣狂潮越推越貴的大環(huán)境下，應(yīng)該是廣大消費(fèi)者最樂(lè)于見(jiàn)到的變化了吧？
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15896瀏覽量
183225 -
顯卡
+關(guān)注
關(guān)注
17文章
2523瀏覽量
71717 -
內(nèi)存芯片
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
131瀏覽量
23037 -
GDDR6
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
52瀏覽量
11625
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
三星力爭(zhēng)2030年量產(chǎn)1nm芯片，引入“fork sheet”新結(jié)構(gòu)
在半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)部門(mén)正全力沖刺，計(jì)劃在2030年前推出1nm工藝，這一技術(shù)被譽(yù)為“夢(mèng)想半導(dǎo)體”工藝，每個(gè)計(jì)算單元大小僅相當(dāng)于五個(gè)原子。此舉目標(biāo)明確，直指與臺(tái)積電展開(kāi)全面技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)，鞏固自身在下一代半導(dǎo)
FT 5000 Smart Transceiver：下一代智能網(wǎng)絡(luò)芯片的卓越之選
FT 5000 Smart Transceiver：下一代智能網(wǎng)絡(luò)芯片的卓越之選 在智能網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域，芯片技術(shù)的發(fā)展日新月異。今天，我們要深入探討一款具有里程碑意義的產(chǎn)品——FT 5000
R480-X8面向下一代AI集群的高密度算力模塊：技術(shù)架構(gòu)與應(yīng)用分析
基于開(kāi)放計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)（OCP OAI/OAM）設(shè)計(jì)的高密度AI加速器組，通過(guò)模塊化集成，在單一節(jié)點(diǎn)內(nèi)聚合高達(dá)1 PFLOPS（FP16）與2 POPS（INT8）的峰值算力。其配備大容量GDDR6
Microchip推出下一代Switchtec Gen 6 PCIe交換芯片
隨著人工智能（AI）工作負(fù)載和高性能計(jì)算（HPC）應(yīng)用對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度與低延遲的需求持續(xù)激增，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）宣布推出下一代Switchtec Gen 6 PCIe交換芯片。
三星正式啟動(dòng)DDR4模組停產(chǎn)倒計(jì)時(shí)，PC廠商加速轉(zhuǎn)向DDR5，供應(yīng)鏈掀搶貨潮
三星近期已向全球 OEM 客戶(hù)發(fā)出正式函件，明確旗下 DDR4 模組將于 2025 年底進(jìn)入產(chǎn)品壽命結(jié)束（EOL）階段，最后訂購(gòu)日期定于 6 月上旬，最后出貨日期則為 12 月 10 日。此次停產(chǎn)
Telechips與Arm合作開(kāi)發(fā)下一代IVI芯片Dolphin7
Telechips宣布，將在與 Arm的戰(zhàn)略合作框架下，正式開(kāi)發(fā)下一代車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)（IVI）系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）“Dolphin7”。
四維圖新加速打造基于地平線征程6B的下一代輔助駕駛系統(tǒng)
近日，四維圖新基于地平線征程6B芯片研發(fā)的下一代輔助駕駛系統(tǒng)方案，已順利完成底層平臺(tái)開(kāi)發(fā)，伴隨工程化落地進(jìn)程加速，該方案已正式進(jìn)入到客戶(hù)行泊一體量產(chǎn)項(xiàng)目的聯(lián)合研發(fā)階段，并預(yù)計(jì)在2026
三星最新消息：三星將在美國(guó)工廠為蘋(píng)果生產(chǎn)芯片 三星和海力士不會(huì)被征收100%關(guān)稅
給大家?guī)?lái)三星的最新消息： 三星將在美國(guó)工廠為蘋(píng)果生產(chǎn)芯片 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子公司將在美國(guó)德克薩斯州奧斯汀的芯片代工廠生產(chǎn)蘋(píng)果公司的
曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單
Performance Body-bias）方案的驗(yàn)證。Exynos 2600是全球首款2nm手機(jī)芯片。 如果三星Exynos 2600芯片測(cè)試進(jìn)展順利，三星將立即啟動(dòng)
三星特斯拉千億芯片合作落定：美國(guó)產(chǎn)AI6芯片將成自動(dòng)駕駛算力新引擎
，特斯拉CEO埃隆?馬斯克證實(shí)了這一消息，并表示三星在美國(guó)得克薩斯新建的工廠將生產(chǎn)特斯拉的下一代AI6芯片，
英偉達(dá)認(rèn)證推遲，但三星HBM3E有了新進(jìn)展
明年。目前博通憑借自有半導(dǎo)體設(shè)計(jì)能力，正為谷歌代工第七代TPU"Ironwood"及Meta自研AI芯片"MTIA v3"。 ? 此外，三星電子也積極推進(jìn)向亞馬遜云服務(wù)（AWS）供應(yīng)HBM3E 12層產(chǎn)品，近期已在平澤園區(qū)啟動(dòng)實(shí)
下一代高速芯片晶體管解制造問(wèn)題解決了！
，10埃）開(kāi)始一直使用到A7代。
從這些外壁叉片晶體管的量產(chǎn)中獲得的知識(shí)可能有助于下一代互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）的生產(chǎn)。
目前，領(lǐng)先的芯片
發(fā)表于 06-20 10:40
外媒稱(chēng)三星與英飛凌/恩智浦達(dá)成合作，共同研發(fā)下一代汽車(chē)芯片
據(jù)外媒 SAMMobile 報(bào)道，三星已與英飛凌（Infineon）和恩智浦（NXP）達(dá)成合作，共同研發(fā)下一代汽車(chē)芯片解決方案。 據(jù)悉， 此次合作將基于三星的 5 納米工藝 ，重點(diǎn)是“
華強(qiáng)北TF卡回收 內(nèi)存卡回收
深圳帝歐電子求購(gòu)內(nèi)存SD卡2G,4G,8G,16G,32G,64G,128G,256G,512G......新卡，舊卡，拆機(jī)卡都有收，價(jià)高同行回收三星內(nèi)存TF卡、金士頓TF卡、閃迪TF
發(fā)表于 05-21 17:48
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購(gòu)適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線，收購(gòu)三星指紋排線，全國(guó)高價(jià)回收三星指紋排線，專(zhuān)業(yè)求購(gòu)指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
評(píng)論