STMicroelectronics EVLHV101PSR50W 50W轉(zhuǎn)換器提供穩(wěn)定絕緣的60V電壓，最大功率為50W。STMicroelectronics EVLHV101PSR50W用作獨(dú)立電源，或用作可調(diào)光/不可調(diào)光離線LED驅(qū)動(dòng)器中的前端級(jí)。該演示板具有出色的性能、高功率因數(shù)、低THD和低BOM成本。該器件具有HVLED101的高級(jí)特性，它利用具有谷值鎖定操作的頻率折返功能來(lái)降低開(kāi)關(guān)損耗并最大限度地降低噪聲。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：STMicroelectronics EVLHV101PSR50W 50W轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• VIN 90-265 V RMS ，f 45-66Hz輸入電壓
• 輸出電壓：60V/833mA
• 高功率因數(shù)，低THD
• 待機(jī)模式下效率>50% (POUT = 240mW)
• 平均效率：4點(diǎn)（25%、50%、75%、100%負(fù)載）>91%
• 帶谷值鎖定的頻率折返，實(shí)現(xiàn)無(wú)噪聲運(yùn)行
• TAMB-MAX = 60°C
• 開(kāi)路負(fù)載電壓限制：<65V
• 短路保護(hù)（自動(dòng)重啟）
• 針對(duì)開(kāi)關(guān)MOSFET的NTC過(guò)熱保護(hù)
• 符合RoHS指令

連接器映射

基于HVLED101控制器的50W轉(zhuǎn)換器技術(shù)解析?

?一、產(chǎn)品概述與核心特性?

?EVLHV101PSR50W?是一款采用HVLED101準(zhǔn)諧振HPF反激控制器的50W轉(zhuǎn)換器，具備原邊調(diào)節(jié)功能。其主要特性包括：

• ?輸入電壓范圍?：90-265 Vrms，頻率45-66 Hz
• ?輸出電壓/電流?：60 V / 833 mA
• ?高功率因數(shù)與低THD?：滿足高效能電源設(shè)計(jì)需求
• ?能效表現(xiàn)?：
  • 待機(jī)效率（Pout=240mW）> 50%
  • 25%/50%/75%/100%負(fù)載四點(diǎn)平均效率 > 91%
• ?保護(hù)機(jī)制?：
  • 開(kāi)路過(guò)壓保護(hù)（輸出電壓限制<65V）
  • 短路保護(hù)與自動(dòng)重啟
  • MOSFET過(guò)溫保護(hù)（NTC監(jiān)測(cè)）
• ?安全與合規(guī)性?：通過(guò)EN60065安全認(rèn)證、EN55022傳導(dǎo)電磁干擾標(biāo)準(zhǔn)，符合RoHS要求。

?二、關(guān)鍵技術(shù)與架構(gòu)解析?

1. ?HVLED101控制器核心功能?

• ?頻率折返與谷底鎖定?：通過(guò)降低開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)化效率，同時(shí)抑制運(yùn)行噪聲。
• ?原邊調(diào)節(jié)機(jī)制?：無(wú)需光耦反饋，簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)并提升可靠性。
• ?寬輸入電壓適應(yīng)?：可應(yīng)對(duì)輸入電壓波動(dòng)、過(guò)壓（浪涌/突發(fā)）及欠壓狀況。

2. ?電路設(shè)計(jì)亮點(diǎn)?

• ?拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?：準(zhǔn)諧振反激架構(gòu)，結(jié)合HPF（高功率因數(shù)）校正。
• ?關(guān)鍵元件選型?：
  • 橋式整流器（D1: GBU406）
  • 功率MOSFET（Q1: STF14N80K5，800V/0.4Ω）
  • 高頻變壓器（T1: PQ26/22.5，電感值320μH）
  • 輸出濾波電容（C25/C26: 680μF-80V電解電容）

?三、性能數(shù)據(jù)與實(shí)測(cè)分析?

? 效率表（輸出電壓=60V） ?

?空載與待機(jī)功耗?

?四、應(yīng)用場(chǎng)景與設(shè)計(jì)指導(dǎo)?

1. ?典型應(yīng)用?

• 獨(dú)立電源供應(yīng)器
• 離線式LED驅(qū)動(dòng)器的前級(jí)階段（支持調(diào)光/非調(diào)光模式）

2. ?設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?

• ?散熱設(shè)計(jì)?：環(huán)境溫度最高60°C，需通過(guò)NTC實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)MOSFET溫度。
• ?EMI抑制?：共模扼流圈（L5: 27mH）與X/Y電容協(xié)同濾除傳導(dǎo)干擾。
• ?布板建議?：
  • 遵循元件布局圖（圖1/圖2）優(yōu)化高頻路徑走線。
• ?保護(hù)功能驗(yàn)證?：需測(cè)試短路重啟響應(yīng)及開(kāi)路過(guò)壓觸發(fā)閾值。

?五、物料清單（BOM）關(guān)鍵元件選型?