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STNRG328S數(shù)字控制器技術(shù)詳解與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-10-31 14:17 ? 次閱讀
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STMicroelectronics STNRG328S數(shù)字控制器(用于STC/HSTC開環(huán)諧振轉(zhuǎn)換器)設(shè)計(jì)用于電源轉(zhuǎn)換。該器件在40V至60V典型輸入電壓范圍內(nèi)執(zhí)行電源轉(zhuǎn)換,輸出電壓的可編程轉(zhuǎn)換比為2:1至10:1,具有固定占空比和140kHz至300kHz可編程頻率。

數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:STMicroelectronics STNRG328S數(shù)字控制器(用于STC,HSTC)數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

STNRG328S數(shù)字控制器支持500W至2KW輸出功率,在寬負(fù)載范圍內(nèi)具有非常高的效率,效率峰值為98.4%。

狀態(tài)機(jī)事件驅(qū)動(dòng) (SMED) 實(shí)現(xiàn)重要功能,確保所有STC/HSTC控制功能正常。SMED驅(qū)動(dòng)ZCD(零電流檢測(cè))功能,可管理死區(qū)時(shí)間和開關(guān)頻率,從而不管外部元件變化實(shí)現(xiàn)完美的LC諧振和最高效率。STNRG328S固件專門設(shè)計(jì)用于對(duì)SMED進(jìn)行編程,并實(shí)施控制策略。

STNRG328S與STPRDC02A柵極驅(qū)動(dòng)器(設(shè)計(jì)用于STC應(yīng)用)以及熱插拔電路(通常為電子保險(xiǎn)絲)結(jié)合,可避免輸入48V總線熱插拔時(shí)造成損壞。

特性

  • 數(shù)字控制器,用于STC/HSTC拓?fù)?/li>
  • 支持2:1至10:1寬轉(zhuǎn)換比,提供多種Vout
  • 狀態(tài)機(jī)事件驅(qū)動(dòng) (SMED) 實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵控制功能:
    • 與熱插拔控制器結(jié)合,可限制電流
    • 工作輸入電壓窗口
    • 轉(zhuǎn)換比控制
    • PWM頻率和死區(qū)時(shí)間管理,確保ZCD功能
    • 軟啟動(dòng)控制
    • 驅(qū)動(dòng)程序管理
    • 溫度控制
  • 典型應(yīng)用:服務(wù)器直流/直流中間總線生成,輸入電壓范圍為40V至60V,輸出功率范圍為200W至2kW
  • 外設(shè)
    • 10位ADC
    • UART接口
    • I^2^C主設(shè)備快/慢速數(shù)據(jù)率
    • GPIO
  • 存儲(chǔ)器
    • 具有可同時(shí)讀寫功能 (RWW) 和糾錯(cuò)碼 (ECC) 的閃存和EEPROM
    • 程序存儲(chǔ)器:32KB閃存;數(shù)據(jù)保留:55℃條件下1000次擦寫周期后,55℃條件下保留20年
    • 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器:1KB真數(shù)據(jù)EEPROM;數(shù)據(jù)保留:85℃條件下1000次擦寫周期后,55℃條件下保留20年
    • RAM:6KB
  • 工作溫度范圍:-40°C至105°C
  • VFQFPN32 5mm x 5mm封裝

STC典型應(yīng)用

1.png

器件架構(gòu)

2.png

STNRG328S數(shù)字控制器技術(shù)詳解與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述與技術(shù)定位

?STNRG328S?是STMicroelectronics推出的專為STC/HSTC拓?fù)湓O(shè)計(jì)的數(shù)字控制器芯片。該器件主要面向服務(wù)器領(lǐng)域的DC/DC中間總線生成應(yīng)用,典型輸入電壓范圍為40V至60V,輸出功率覆蓋500W至2kW。其核心競(jìng)爭(zhēng)力在于通過? 狀態(tài)機(jī)事件驅(qū)動(dòng)(SMED) ?架構(gòu)實(shí)現(xiàn)高效能功率轉(zhuǎn)換,峰值效率可達(dá)98.4%。

核心技術(shù)特點(diǎn)

  • 支持寬轉(zhuǎn)換比:2:1至10:1
  • 開關(guān)頻率可編程:140kHz至300kHz
  • 工作溫度范圍:-40°C至105°C
  • 封裝形式:VFQFPN32 (5x5 mm)

二、系統(tǒng)架構(gòu)深度解析

2.1 SMED核心架構(gòu)

SMED(State Machine Event Driven)是STNRG328S的控制核心,具備以下關(guān)鍵特性:

  • 生成6路獨(dú)立PWM信號(hào)
  • 無(wú)需軟件干預(yù)即可響應(yīng)內(nèi)外事件
  • STM8微控制器協(xié)同工作,實(shí)現(xiàn)智能電源管理

2.2 完整功能模塊

  • ?處理器核心?:STM8微控制器
  • ?存儲(chǔ)系統(tǒng)?:
    • 32KB Flash程序存儲(chǔ)器(20年數(shù)據(jù)保持)
    • 1KB EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器
    • 6KB RAM
  • ?通信接口?:
    • UART異步通信(支持SW流控制)
    • I2C主設(shè)備接口(快/慢速模式)
  • ?模擬子系統(tǒng)?:
    • 10位SAR ADC(6通道)
    • 4路模擬比較器
  • ?時(shí)鐘系統(tǒng)?:內(nèi)部PLL提供96MHz高頻時(shí)鐘

三、關(guān)鍵引腳功能分析

3.1 功率管理與保護(hù)引腳

? EFUSE_Enable (Pin 2) ?:SMED PWM4通道輸出,用于控制EFUSE電路。正常狀態(tài)為高電平,保護(hù)觸發(fā)時(shí)設(shè)置為低電平。

? PGOOD (Pin 3) ?:開漏輸出,軟啟動(dòng)結(jié)束時(shí)上升。高電平表示STC正常運(yùn)行且輸出電壓已調(diào)節(jié)。

3.2 電壓檢測(cè)與保護(hù)引腳

? VOUT_OVP (Pin 8) ?:基于VIN的VOUT過壓保護(hù)比較器正輸入端。

? VDRV_Prot (Pin 9) ?:Vdriver保護(hù)比較器正輸入端,檢測(cè)MOSFET柵極供電的危險(xiǎn)低電平。

3.3 ADC采樣通道配置

  • TEMP (Pin 20):NTC溫度傳感器讀取
  • VOUT_Efuse (Pin 19):軟啟動(dòng)和過流保護(hù)采樣
  • ZCD1/ZCD2 (Pins 17-18):零電流檢測(cè)管理
  • VOUT (Pin 16):輸出電壓采樣
  • VIN (Pin 15):STC輸入電壓采樣

四、固件架構(gòu)與PMBus協(xié)議實(shí)現(xiàn)

4.1 固件功能模塊

STNRG328S采用完全固化的二進(jìn)制文件包,包含以下核心功能:

  • ?主控制?:管理狀態(tài)機(jī)切換活動(dòng)或穩(wěn)態(tài)模式
  • ?SMED初始化?:設(shè)置初始PWM頻率和死區(qū)時(shí)間
  • ?PMBus通信接口?:外部編程參數(shù)和STC/HSTC控制

4.2 ZCD矩陣算法

ZCD矩陣在RAM和EEPROM中定義了基于輸入電壓的ZCD板配置頻率和死區(qū)時(shí)間,并實(shí)現(xiàn)了ZCD表的寫入、讀取和搜索功能。

五、電氣特性與設(shè)計(jì)考量

5.1 絕對(duì)最大額定值

  • ?VDS最大電壓?:決定器件耐壓能力
  • ?工作溫度范圍?:-40°C至105°C
  • ?存儲(chǔ)溫度?:-65°C至150°C

5.2 典型工作條件

  • ?供電電壓?:3.3V至5V(優(yōu)化性能在5V)
  • ?內(nèi)部參考電壓?:1.25V(典型值)
  • ?熱阻?:ΘJA = 26°C/W

六、典型應(yīng)用場(chǎng)景與設(shè)計(jì)建議

6.1 服務(wù)器電源架構(gòu)

在典型4:1轉(zhuǎn)換比應(yīng)用中,STNRG328S與STPRDC02A柵極驅(qū)動(dòng)器以及熱插拔電路(通常為e-fuse)協(xié)同工作,防止輸入48V總線熱插拔期間損壞。

6.2 布局與熱管理要點(diǎn)

  1. ?電源濾波?:VDD和VDDA必須正確濾波
  2. ?參考電壓?:VREF引腳需連接1μF濾波電容
  3. ?熱設(shè)計(jì)?:確保結(jié)溫不超過150°C
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