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?基于STEVAL-L6986IV1評估板的隔離式Buck轉換器技術解析與應用指南

科技觀察員 ? 2025-10-31 15:06 ? 次閱讀
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STMicroelectronics STEVAL-L6986IV1轉換器評估板基于 L6986I 38V、5W同步降壓開關穩(wěn)壓器,設計用于隔離式降壓拓撲。一次側輸出電壓可以精確調整,而變壓器可生成隔離式二次側輸出。無光耦合器。一次側灌電流能力(典型值1.9A)支持向二次側適當傳輸能量,并可跟蹤二次側輸出軟啟動??刂骗h(huán)路基于峰值電流模式架構,該器件在強制PWM下工作。

數(shù)據(jù)手冊;*附件:STMicroelectronics STEVAL-L6986IV1轉換器評估板數(shù)據(jù)手冊.pdf

該解決方案的300ns消隱時間可過濾由變壓器漏電感產生的振蕩,因此更加穩(wěn)健。兩個功率元件上的逐脈沖電流檢測可在一次側實現(xiàn)高效的恒流保護。得益于一次側反向電流限制,二次側輸出可防止短路。二次電壓通過功率晶體管和并聯(lián)電壓基準 ([](https://www.mouser.cn/access/?pn=511-TL431AIL3T "TL431AIL3T") TL431AIL3T) 實現(xiàn)穩(wěn)定的過流。

STMicroelectronics STEVAL-L6986IV1評估板可產生兩路隔離電壓(18V正向電壓和4V-5V負向電壓),特別適合用于為多個應用提供IGBT/SiC MOSFET柵極驅動器。借助簡單的旁路,可提供單個隔離電壓。

特性

  • 設計用于隔離降壓拓撲結構
  • 工作輸入電壓:4V至38V
  • 一次側輸出電壓調節(jié)/無需光耦合器
  • 灌峰值一次側電流能力:1.9A(典型值)
  • 強制PWM運行峰值電流模式架構
  • 消隱時間:300ns
  • 8μA IQ-SHTDWN
  • 可調fSW和同步
  • 內置一次側輸出電壓監(jiān)控器
  • 可調軟啟動時間
  • 內部一次側電流限制
  • 過壓保護
  • RDS(on) HS = 180mΩ,RDS(on) LS = 150mΩ
  • 熱關斷

電路原理

1.png

?基于STEVAL-L6986IV1評估板的隔離式Buck轉換器技術解析與應用指南?


?一、產品概述與技術亮點?

?STEVAL-L6986IV1評估板?是一款基于L6986I同步降壓開關穩(wěn)壓器的38V/5W隔離式Buck轉換解決方案,專為?無光耦隔離拓撲?設計。其核心特性包括:

  1. ?寬輸入電壓范圍?:4V至38V,適用于工業(yè)級電源環(huán)境
  2. ?雙路隔離輸出?:
    • 正輸出(約+18V)
    • 負輸出(-4V至-5V)
  3. ?高性能指標?:
    • 典型原邊吸電流能力1.9A
    • 強制PWM模式下的峰值電流控制架構
    • 僅8μA關斷靜態(tài)電流(IQ-SHTDWN)
  4. ?增強可靠性設計?:
    • 300ns消隱時間抑制變壓器漏感振蕩
    • 原副邊雙向過流保護
    • 集成熱關斷功能

?二、關鍵電路設計解析?

?1. 原邊控制核心——L6986I?

  • ?峰值電流模式控制?:通過逐周期檢測功率管電流實現(xiàn)精準限流
  • ?可調開關頻率?:支持外部同步信號輸入,適應復雜EMC環(huán)境
  • ?軟啟動可配置?:避免啟動沖擊,保障系統(tǒng)穩(wěn)定性

?2. 副邊穩(wěn)壓機制?

  • ?TL431AIL3T精密基準源?:配合功率晶體管(2STR1215)實現(xiàn)副邊電壓閉環(huán)調節(jié)
  • ?動態(tài)響應優(yōu)化?:通過R11(430Ω)與C15(82pF)補償網絡改善負載調整率

?3. 隔離輸出調整方案?

  • ?正電壓調整?:通過修改R12/R13電阻分壓比實現(xiàn),計算公式:
    VISO+ = 2.49 × (R12 + R13) / R13
  • ?負電壓調整?:更換D3(BZT52B4V3)為適合的齊納二極管
  • ?單輸出模式?:移除D3并將C12替換為0Ω電阻

?三、典型應用場景與設計建議?

?適用領域?

  • ?IGBT/SiC MOSFET柵極驅動電源?:雙路輸出特性完美匹配功率器件驅動需求
  • ?工業(yè)工具?:寬輸入電壓范圍適應現(xiàn)場電壓波動
  • ?計量設備?:低靜態(tài)電流滿足待機功耗要求

?布局與濾波建議?

  • ?EMI濾波器可選旁路?:通過R16(0Ω)跳接可跳過底部安裝的EMI濾波器
  • ?功率路徑優(yōu)化?:C8(10μF)+C9(100nF)+C1(470nF)構成輸入去耦網絡
  • ?變壓器選型?:需確保漏感參數(shù)滿足300ns消隱時間要求

?四、設計驗證與測試要點?

  1. ?原邊電流保護驗證?:測試1.9A峰值電流下的動態(tài)響應
  2. ?隔離耐壓測試?:驗證副邊與原邊間的絕緣強度
  3. ?負載調整率測試?:通過可選負載調節(jié)電路(U4區(qū)域)優(yōu)化性能
  4. ?熱性能評估?:關注HS/LS功率管RDS(on)(180mΩ/150mΩ)帶來的溫升

?五、技術文檔撰寫規(guī)范示例?

?技術文章結構建議?:

  1. ?引言?:明確isolated buck拓撲在功率驅動中的優(yōu)勢
  2. ?核心參數(shù)分析?:對比傳統(tǒng)光耦方案與本設計的性能差異
  3. ?實測數(shù)據(jù)展示?:包含波形圖、效率曲線、溫升數(shù)據(jù)
  4. ?設計注意事項?:突出變壓器參數(shù)選擇、補償網絡調試等關鍵點
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