AMC1304M05-Q1是一款精密的 δ-σ （ΔΣ） 調(diào)制器，其輸出通過具有很強抗磁干擾能力的電容式雙隔離柵與輸入電路隔開。該屏障經(jīng)認證可提供高達 7000 V 的增強隔離峰符合 DIN V VDE V 0884-10、UL1577 和 CSA 標準。該器件與隔離式電源結合使用，可防止高共模電壓線上的噪聲電流進入本地系統(tǒng)接地并干擾或損壞低壓電路。
*附件：amc1304m05-q1.pdf

AMC1304-Q1 的輸入經(jīng)過優(yōu)化，可直接連接到分流電阻器或其他低電壓電平信號源。±50mV 器件獨特的低輸入電壓范圍可顯著降低分流器的功耗，同時支持出色的交流和直流性能。通過使用適當?shù)臄?shù)字濾波器（即集成在 TMS320F2807x 或 TMS320F2837x 系列上）對比特流進行抽取，該器件可以在 78 kSPS 的數(shù)據(jù)速率下實現(xiàn) 16 位分辨率，動態(tài)范圍為 81 dB （13.2 ENOB）。

在高側，調(diào)制器由集成的低壓差 （LDO） 穩(wěn)壓器供電，該穩(wěn)壓器允許 4 V 至 18 V （LDOIN） 之間的非穩(wěn)壓輸入電壓。隔離式數(shù)字接口采用3.3 V或5 V電源（DVDD）供電。

AMC1304-Q1 采用寬體 SOIC-16 （DW） 封裝。

特性

• 符合汽車應用標準
• AEC-Q100 符合以下標準：
  • 溫度等級 1：–40°C 至 +125°C
  • HBM ESD 分類 2 級
  • CDM ESD 分類 C6 級
• 引腳兼容系列，具有：
  • ±50mV或±250mV輸入電壓范圍
  • CMOS 或 LVDS 數(shù)字接口選項
• 優(yōu)異的直流性能：
  • 失調(diào)誤差：±50 μV 或 ±100 μV（最大值）
  • 失調(diào)漂移：1.3 μV/°C（最大值）
  • 增益誤差：±0.2% 或 ±0.3%（最大值）
  • 增益漂移：±40 ppm/°C（最大值）
• 安全相關認證：
  • 7000伏PK根據(jù) DIN V VDE V 0884-10 （VDE V 0884-10）： 2006-12 的增強隔離
  • 5000伏有效值隔離 1 分鐘，符合 UL1577 標準
  • CAN/CSA 第 5A 號組件驗收服務通知
• 瞬態(tài)抗擾度：15 kV/μs（最小值）
• 高電磁場抗擾度
  （參見應用筆記 SLLA181A）
• 外部5 MHz至20 MHz時鐘輸入
• 片內(nèi)18V LDO穩(wěn)壓器

參數(shù)

方框圖

AMC1304M05-Q1 是 AEC-Q100 認證的高精度增強型隔離 ΔΣ 調(diào)制器，內(nèi)置 LDO 調(diào)節(jié)器，專為汽車高壓場景設計，具備 ±50 mV 輸入范圍、CMOS 數(shù)字接口與高隔離等級，適用于牽引逆變器、車載充電器等場景的高精度電流 / 電壓檢測。

核心參數(shù)與特性

• 性能規(guī)格 ：16 位分辨率，微分非線性（DNL）±0.99 LSB，積分非線性（INL）±5 LSB；偏移誤差最大 ±50 μV，偏移漂移最大 1.3 μV/°C，增益誤差最大 ±0.3%。
• 輸入與接口 ：差分輸入范圍 ±50 mV（最大鉗位電壓 ±62.5 mV），輸入阻抗 5 kΩ；采用 CMOS 數(shù)字接口（帶施密特觸發(fā)器），外部時鐘輸入范圍 5 MHz-20.1 MHz，數(shù)據(jù)同步于 CLKIN 下降沿輸出。
• 隔離與抗干擾 ：增強型隔離等級，峰值隔離電壓 7000 VPK，1 分鐘耐壓 5000 VRMS；共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）最小 15 kV/μs，共模抑制比（CMRR）直流時達 -98 dB，電磁干擾免疫力強。
• 供電與功耗 ：集成 LDO 支持 4V-18V 寬輸入（LDOIN），輸出 3.45 V（VCAP）；控制器側供電（DVDD）3.0V-5.5V；LDO 輸入電流典型值 5.3 mA，CMOS 接口供電電流典型值 2.7 mA-5.5 mA（視 DVDD 電壓而定）。
• 封裝與環(huán)境 ：16 引腳 SOIC（DW）封裝（10.3mm×7.5mm），工作溫度范圍 -40°C 至 +125°C，ESD 防護等級 HBM ±2500V、CDM ±1000V。

關鍵功能說明

• 調(diào)制與濾波 ：二階 ΔΣ 調(diào)制器輸出 1 位比特流，需搭配外部數(shù)字濾波器（如 sinc3 濾波器） decimation 處理，78 kSPS 數(shù)據(jù)率下動態(tài)范圍達 81 dB（13.2 ENOB）。
• 集成 LDO 與供電 ：內(nèi)置 LDO 簡化高壓供電設計，無需額外穩(wěn)壓電路；LDO 輸入需配置 0.1 μF 去耦電容，輸出（VCAP）需搭配 0.1 μF 電容穩(wěn)定電壓。
• 故障安全與過范圍輸出 ：LDO 輸入缺失時輸出保持穩(wěn)定，避免系統(tǒng)誤動作；輸入超量程時，每 128 個時鐘周期輸出一個特定比特，區(qū)分供電故障與滿量程輸入。
• 抗干擾性能 ：電源抑制比（PSRR）達 -110 dB，輸入帶寬 800 kHz，能有效抑制高壓環(huán)境中的電源噪聲與瞬態(tài)干擾。

典型應用場景

適用于汽車牽引逆變器、車載充電器（OBC）、DC-DC 轉換器、電池管理系統(tǒng)（BMS）等高壓場景，可直接對接分流電阻實現(xiàn)高精度電流檢測，或通過電阻分壓器實現(xiàn)隔離電壓檢測，適配 TMS320F2807x/F2837x 等 MCU 的 sigma-delta 濾波器模塊（SDFM）。

應用設計要點

• 電源與去耦 ：LDOIN 引腳需外接 0.1 μF 低 ESR 陶瓷去耦電容（可追加 10 μF 電容增強濾波），VCAP 引腳配置 0.1 μF 去耦電容，均靠近引腳放置。
• 布局建議 ：嚴格保持引腳間爬電距離與電氣間隙≥8 mm；模擬輸入走線遠離數(shù)字電路，分流電阻貼近模擬輸入引腳且走線對稱，減少信號干擾。
• 輸入配置 ：電流檢測時直接連接低阻抗分流電阻，電壓檢測需通過高精度電阻分壓器衰減高壓；為抵消偏置電流影響，建議在 AINN 引腳串聯(lián)與檢測電阻等值的匹配電阻。
• 時鐘與同步 ：多通道應用時需同步外部時鐘（CLKIN），占空比保持在 40%-60%；接口啟動時間為 32 個 CLKIN 周期，模擬啟動時間 1 ms，需預留足夠啟動時間。