電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，近日，韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會上，SK海力士CEO郭魯正（Kwak Noh-Jung）正式宣布了公司向 “全線AI存儲創(chuàng)造者”（Full Stack AI Memory Creator）轉(zhuǎn)型的戰(zhàn)略新愿景，在迎接下一個AI時代之前，SK 海力士能深化其角色。

郭魯正指出，AI的加速應(yīng)用導(dǎo)致信息流量爆炸性增長，但存儲性能未能與處理器進步保持同步，形成所謂的 “存儲墻”障礙。為此，存儲芯片不再只是普通元件，而是AI產(chǎn)業(yè)中的核心價值產(chǎn)品。

隨著存儲重要性的增加，SK海力士公司認為單純的“供應(yīng)商”角色已不足以滿足市場需求。因此，新的目標是轉(zhuǎn)型成為“全線AI存儲創(chuàng)造者”，代表著SK海力士將做為共同架構(gòu)師、合作伙伴和生態(tài)貢獻者（co-architect，partner，and eco-contributor），在AI 計算領(lǐng)域超越客戶的期望，通過在生態(tài)系統(tǒng)中積極合作，共同解決客戶面臨的挑戰(zhàn)。為了實現(xiàn)新的愿景，郭魯正也揭示了SK 海力士最新的產(chǎn)品陣容，包括定制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）。

2026-2028年，SK海力士將會推出HBM4 16Hi 和 HBM4E 8/12/16Hi等標準解決方案，還有為客戶定制的 HBM 解決方案。

其中，定制化HBM通過將原有系統(tǒng)半導(dǎo)體的部分功能轉(zhuǎn)移至HBM基底芯片，實現(xiàn)最符合客戶需求的數(shù)據(jù)處理性能。SK海力士將推出HBM4 16層堆疊產(chǎn)品，并從HBM4E開始供應(yīng)定制化HBM解決方案。定制化HBM通過將協(xié)議和控制器從XPU芯片移至HBM基礎(chǔ)裸片，為計算單元釋放更多空間，顯著降低接口能耗。

在DRAM方面，SK海力士除了將推出LPDDR6標準解決方案外，還將推出全新的AI-DRAM解決方案，包括2026年左右推出的LPDDR6X SOCAMM2、MRDIMM Gen2、LPDDR5R，以及2028年左右推出支持第二代CXL標準的LPDDR6-PIM。

在NAND方面，SK海力士將會推出PCIe Gen6 eSSD（245TB+QLC）/ cSSD、PCIe Gen6 eSSD/cSSD、UFS 5.0 等標準解決方案，還會推出全新的面向 AI NAND的 AI-N D（Density）解決方案。

2029-2031年，HBM5、HBM5E與3D DRAM問世，還有為客戶定制的HBM5和HBM5E等。

在DRAM方面，SK海力士將會推出 GDDR7-next、DDR6、3D DRAM等標準解決方案。GDDR7最高傳輸速率48Gbps，預(yù)計至少要到2027年至2028年才能得到充分利用；DDR6則預(yù)計是在2029-2031年商用；至于3D DRAM，則有點類似HBM，不過成本更低。

SK海力士還將會推出面向AI的AI DRAM（AI-D）產(chǎn)品，包括2029年左右推出的LPDDR6 SOCAMM2 、Al-D Expansion，以及2030年左右推出的第三代CXL標準的PIM-next。

在NAND方面，SK海力士將會推出PCIe Gen7 eSSD/cSSD、UFS6.0、400層以上堆疊的4D NAND等標準解決方案，以及面向AI的AI-N P（Performance）和AI-N B（Bandwidth）解決方案（比如HBF）。