半導(dǎo)體、電氣設(shè)備、成型機(jī)等制造生產(chǎn)線上溫度調(diào)節(jié)器（溫控器）至關(guān)重要，它通過精密的溫度控制提高產(chǎn)品的合格率、可靠性和生產(chǎn)效率。在溫度調(diào)節(jié)器（溫控器）中FeRAM（鐵電體存儲(chǔ)器）的優(yōu)異特性也得以發(fā)揮。

溫度調(diào)節(jié)器（溫控器）的作用

溫控器通過將傳感器獲得的當(dāng)前測量溫度與目標(biāo)溫度進(jìn)行比較，根據(jù)其偏差進(jìn)行計(jì)算和調(diào)整，是成型機(jī)等溫度控制過程中不可或缺的裝置。

溫控器的控制目標(biāo)是使當(dāng)前值與目標(biāo)值一致，因此需要盡快達(dá)到目標(biāo)值。此外，在設(shè)備發(fā)生故障時(shí)，為了在恢復(fù)后對設(shè)備進(jìn)行適當(dāng)?shù)奶幚?，需要?shí)時(shí)記錄爐內(nèi)等位置的溫度變化情況。

溫控器中FeRAM的應(yīng)用案例

FeRAM的部分應(yīng)用案例中，考慮導(dǎo)入FeRAM的原因在于原先使用的EEPROM性能不足而導(dǎo)致故障。在重寫耐性方面，F(xiàn)eRAM和SRAM都可滿足需求，而FeRAM的優(yōu)勢在于即使系統(tǒng)因故障而失去電壓也無需電池即可備份。由此才最終決定采用FeRAM。

從意外故障中快速復(fù)原

溫控器中的FeRAM可在系統(tǒng)完全喪失電壓之前快速記錄溫度傳感器獲得的溫度數(shù)據(jù)，有助于系統(tǒng)復(fù)原后迅速重新開始生產(chǎn)。

毫秒級日志數(shù)據(jù)記錄能力的高重寫耐性

在成型機(jī)等設(shè)備中投入原材料后，通過高精度調(diào)整溫度變化來進(jìn)行各種控制。這些溫度變化信息需要以毫秒為單位記錄在存儲(chǔ)器中作為日志數(shù)據(jù)。不僅要求非易失性存儲(chǔ)器具備高速寫入能力，還需要具備重寫耐久性。采用最新技術(shù)制造的FeRAM目前能夠保證最高達(dá)100萬億次的寫入耐久性。

通過采用FeRAM，產(chǎn)品的精度、使用壽命等可靠性得以提升，同時(shí)減少了使用電池或電容器所需的外圍電路，從而使電路設(shè)計(jì)更加簡潔，有助于降低客戶的開發(fā)成本。

總結(jié)

在溫控器中，F(xiàn)eRAM憑借其高速寫入和高重寫耐性，不僅能簡單對應(yīng)電壓驟降及斷電等問題，還可實(shí)時(shí)獲取高精度數(shù)據(jù)，在制造過程發(fā)揮作用。

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關(guān)于 RAMXEED

RAMXEED是日本Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited改名的公司。富士通曾是日本知名的半導(dǎo)體供應(yīng)商。有長久制造歷史，高質(zhì)量半導(dǎo)體在各種產(chǎn)業(yè)使用。

RAMXEED商標(biāo)已于2023年2月24日在歐盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)局（EUIPO）注冊，涵蓋多種半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括集成電路、存儲(chǔ)器件、芯片、元件和基板。

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