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FeRAM存儲器在PLC中的應(yīng)用優(yōu)勢

加賀富儀艾電子 ? 來源:加賀富儀艾電子 ? 2025-10-10 10:47 ? 次閱讀
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意外的電源中斷也不再可怕:搭載 FeRAMPLC 能夠在瞬間停電前保存數(shù)據(jù),實(shí)現(xiàn)可靠的恢復(fù)。

PLC(可編程邏輯控制器)的作用

在汽車及電子設(shè)備的生產(chǎn)線、半導(dǎo)體制造以及金屬加工的工廠設(shè)備、電梯控制系統(tǒng)中,PLC 實(shí)現(xiàn)了自動化和設(shè)備運(yùn)行的高級控制。

PLC 是一種時順控制設(shè)備,通過與 I/O 模塊集成處理來自輸入設(shè)備的信號并控制輸出。由于廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)線等場景,因此對可靠性、易維護(hù)性以及使用壽命的要求較高。此外,即使意外斷電也需確保實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定控制并安全重啟設(shè)備,因此 FeRAM(鐵電體存儲器)的優(yōu)異特性得以發(fā)揮。

FeRAM的特點(diǎn)與優(yōu)勢

FeRAM 是一種具備高速寫入和高重寫耐性的存儲技術(shù)。因此,在PLC 中,F(xiàn)eRAM 能發(fā)揮以下優(yōu)勢:

高速數(shù)據(jù)記錄:

PLC 需要應(yīng)對系統(tǒng)電壓驟降等突發(fā)異常情況,F(xiàn)eRAM 可在系統(tǒng)完全喪失電壓之前快速記錄控制參數(shù)、I/O 狀態(tài)、運(yùn)行/停止模式等信息,由此便可安全重啟系統(tǒng),縮短停機(jī)時間提高生產(chǎn)設(shè)備的運(yùn)行率。同時可追溯問題根源也便于 PLC 及其連接設(shè)備的維護(hù)。

高重寫耐性:

PLC 通過持續(xù)記錄控制參數(shù)、I/O 狀態(tài)、運(yùn)行/停止模式等,可記錄突發(fā)系統(tǒng)電壓驟降前發(fā)生的事件。FeRAM 的高重寫耐性實(shí)現(xiàn)持續(xù)記錄,從而確保系統(tǒng)在整個生命周期內(nèi)可靠運(yùn)行。

數(shù)據(jù)保持:

即使斷電 FeRAM 數(shù)據(jù)也不會丟失,因此恢復(fù)供電后即可安全重啟。

PLC有時需在高溫環(huán)境下運(yùn)作,125℃ 溫度下也可正常運(yùn)作的 FeRAM 便能發(fā)揮其特性。FeRAM 在 105℃ 的環(huán)境下可保存數(shù)據(jù) 10 年以上,即使在極端環(huán)境下也能可靠保存數(shù)據(jù)。

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FeRAM搭載PVC的結(jié)構(gòu)圖

具體的采用案例

作為一家全球領(lǐng)先公司,該公司在其多種產(chǎn)品中采用了 FeRAM??蛻羰且患夜?yīng) PLC、運(yùn)動控制器、伺服電機(jī)、HMI 等工廠自動化產(chǎn)品的的頭部企業(yè),其 PLC 等多數(shù)產(chǎn)品采用了FeRAM。

客戶的 PLC 預(yù)計將在極端環(huán)境中使用,終端用戶尤其要求 PLC 在電源不穩(wěn)定的環(huán)境下也能可靠運(yùn)行。當(dāng)電源電壓下降時,需要在數(shù)十毫秒的短時間內(nèi)保存大約 128KB 的運(yùn)行模式、運(yùn)行狀態(tài)等數(shù)據(jù),并在電源恢復(fù)后無縫重啟 PLC。因此,我們對各種非易失性存儲器進(jìn)行了評估。

傳統(tǒng)的非易失性存儲器,如 EEPROM 與 FLASH 存儲器,寫入速度慢,無法滿足客戶的需求。

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非易失性存儲器寫入速度比較

因此,我們決定采用高速非易失性存儲器,而 FeRAM 以其出色的市場表現(xiàn)和性能脫穎而出,并最終被采用。

通過嵌入 FeRAM 的產(chǎn)品,客戶的最終用戶數(shù)量得以擴(kuò)大,市場口碑和業(yè)績得到提升。

總結(jié)

在 PLC 中,F(xiàn)eRAM 憑借其高速寫入、高重寫耐性和出色的數(shù)據(jù)保持性實(shí)現(xiàn)了高可靠性、易維護(hù)性和長期使用壽命。

推薦產(chǎn)品

MS85R4M2TA : 4Mbit Parallel I/F 1.8V~3.6V -40~85℃ TSOP44

MB85RS4MTY : 4Mbit SPI I/F 1.8V~3.6V 50MHz -40~125℃ SOP8/DFN8

MB85RS2MTY : 2Mbit SPI I/F 1.8~3.6V 50MHz -40~85℃ SOP8/DFN8

MB85RS1MT : 1Mbit SPI I/F 1.8~3.6V 40MHz -40~85℃ SOP8/DFN8

MB85RS512TY : 512Kbit SPI I/F 1.8~3.6V 50MHz -40~125℃ SOP8/DFN8

MB85RS256B : 256Kbit SPI I/F 2.7~3.6V 33MHz -40~85℃ SOP8

歡迎聯(lián)系加賀富儀艾電子(上海)有限公司了解 RAMXEED 適合PLC(可編程邏輯控制器)應(yīng)用的 FeRAM 產(chǎn)品更多信息。

關(guān)于 RAMXEED

RAMXEED是日本Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited改名的公司。富士通曾是日本知名半導(dǎo)體供應(yīng)商。有長久制造歷史,高質(zhì)量半導(dǎo)體在各種產(chǎn)業(yè)使用。

RAMXEED商標(biāo)已于2023年2月24日在歐盟知識產(chǎn)權(quán)局(EUIPO)注冊,涵蓋多種半導(dǎo)體產(chǎn)品,包括集成電路、存儲器件、芯片、元件和基板。

關(guān)于加賀富儀艾電子(上海)有限公司

加賀富儀艾電子(上海)有限公司原為富士通電子,其業(yè)務(wù)自2020年12月并入加賀集團(tuán),旨在為客戶提供更好的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和服務(wù)。在深圳、大連等地均設(shè)有分公司,負(fù)責(zé)統(tǒng)籌加賀富儀艾電子在中國的銷售業(yè)務(wù)。

加賀富儀艾電子(上海)有限公司的主要銷售產(chǎn)品包括 Custom SoCs (ASICs), 代工服務(wù),專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSPs),鐵電隨機(jī)存儲器,繼電器,MCU和電源功率器件等,它們是以獨(dú)立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶,并廣泛應(yīng)用于高性能光通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、手持移動終端、影像設(shè)備、汽車、工業(yè)控制、家電、穿戴式設(shè)備、醫(yī)療電子、電力電表、安防等領(lǐng)域。

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原文標(biāo)題:意外斷電不用慌!PLC 配 FeRAM,數(shù)據(jù)秒存、可靠恢復(fù)

文章出處:【微信號:Fujitsu_Semi,微信公眾號:加賀富儀艾電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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