Vishay Semicductors SiC674 55A VRPower^?^ 集成功率級專為同步降壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)，可提供大電流、高效率和高功率密度，并將關(guān)斷電流降至最低。Vishay Semiconductors SiC674采用緊湊型5mm x 5mm MLP封裝。SiC674支持每相持續(xù)電流高達(dá)55A的穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)。其內(nèi)部功率MOSFET采用Vishay先進(jìn)的TrenchFET^?^ 技術(shù)，最大限度地降低了開關(guān)和傳導(dǎo)損耗，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的性能。

數(shù)據(jù)手冊；*附件：Vishay Semiconductors SiC674 55A VRPower?集成功率級數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• 熱增強(qiáng)型PowerPAK^?^ MLP55-31L封裝
• TrenchFET技術(shù)和集成肖特基二極管的低壓側(cè)MOSFET
• 集成式低阻抗自舉開關(guān)
• 優(yōu)化用于19V輸入級的功率MOSFET
• 支持PS4模式輕負(fù)載要求，關(guān)斷電源電流較低（5V、3μA）
• 零電流檢測，提高輕載效率
• 帶三態(tài)和保持定時(shí)器的3.3V PWM邏輯
• 支持PS4狀態(tài)的5V DSBL# 、ZCD_EN#邏輯
• 高頻運(yùn)行可達(dá)2MHz
• 提供超過55A的持續(xù)電流、70A峰值 (10ms) 和 100A峰值 (10μs) 電流
• 過溫標(biāo)志
• 過溫保護(hù)
• 欠壓鎖定保護(hù)
• 有效的監(jiān)測和報(bào)告
• 警告和故障報(bào)告標(biāo)志

典型應(yīng)用

Vishay SiC674A 55A VRPower集成功率級技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述與核心特性

?Vishay Siliconix SiC674A?是一款高頻集成功率級，專門針對同步降壓應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計(jì)，提供高電流、高效率和高功率密度性能，同時(shí)具備極低的關(guān)斷電流。采用Vishay的5mm × 5mm MLP封裝，使每個(gè)相位的電壓調(diào)節(jié)器設(shè)計(jì)能夠持續(xù)提供高達(dá)55A的輸出電流。

該產(chǎn)品的?核心創(chuàng)新?在于內(nèi)部功率MOSFET采用Vishay最新TrenchFET?技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界標(biāo)桿級的性能表現(xiàn)，顯著降低開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗。

二、關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新

1. 集成驅(qū)動IC架構(gòu)

SiC674A集成了先進(jìn)的MOSFET柵極驅(qū)動IC，具備以下顯著特性：

• ?高電流驅(qū)動能力?：確保功率器件的快速開關(guān)特性
• ?自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制?：動態(tài)優(yōu)化開關(guān)時(shí)序
• ?集成自舉開關(guān)?：簡化外部電路設(shè)計(jì)
• ?用戶可選的零電流檢測?：提升輕載效率

2. 先進(jìn)的控制模式

• ?PS4模式?：系統(tǒng)處于待機(jī)狀態(tài)時(shí)降低功耗
• ?警告標(biāo)志功能?：顯著提升系統(tǒng)可靠性
• ?寬范圍PWM控制器兼容性?：支持三態(tài)PWM和3.3V PWM邏輯

三、技術(shù)規(guī)格詳解

電氣參數(shù)

• ?輸入電壓范圍?：2.5V至24V
• ?持續(xù)電流?：55A
• ?峰值電流能力?：
  • 10ms：70A
  • 10μs：100A
• ?開關(guān)頻率?：最高2MHz
• ?關(guān)斷電流?：5V時(shí)僅3μA

保護(hù)特性

• ?過溫保護(hù)?：自動檢測并保護(hù)
• ?欠壓鎖定?：確保工作可靠性
• ?熱警告標(biāo)志?：實(shí)時(shí)監(jiān)測溫度狀態(tài)

四、功能模塊解析

1. PWM輸入與三態(tài)功能

?PWM輸入?接收來自VR控制器IC的PWM控制信號，設(shè)計(jì)兼容使用兩態(tài)邏輯（H和L）的標(biāo)準(zhǔn)控制器和集成三態(tài)邏輯（H、L和三態(tài)）的先進(jìn)控制器。

?兩態(tài)邏輯工作模式?：

• 當(dāng)PWM驅(qū)動高于VPWM_TH_R時(shí)，低邊關(guān)斷，高邊導(dǎo)通
• 當(dāng)PWM輸入驅(qū)動低于VPWM_TH_F時(shí)，高邊關(guān)斷，低邊導(dǎo)通

2. 二極管仿真模式與PS4模式

?ZCD_EN#引腳?使能或禁用二極管仿真模式：

• ZCD_EN#驅(qū)動低于VTH_ZCD_EN#_F時(shí)，允許二極管仿真
• ZCD_EN#驅(qū)動高于VTH_ZCD_EN#_R時(shí)，強(qiáng)制連續(xù)導(dǎo)通模式

五、典型應(yīng)用場景

1. 計(jì)算系統(tǒng)

• 用于計(jì)算、顯卡和內(nèi)存的多相VRD
• Intel核心處理器供電：VCORE、VGRAPHICS、VSYSTEM AGENT - VCCGI

2. 電源模塊

• 高達(dá)24V軌輸入的DC/DC VR模塊
• 高密度電源設(shè)計(jì)

六、性能優(yōu)勢分析

高效率特征

• ?熱增強(qiáng)型PowerPAK? MLP55-31L封裝?
• ?最新TrenchFET技術(shù)與集成肖特基二極管的低邊MOSFET?
• ?集成低阻抗自舉開關(guān)?
• 優(yōu)化的功率MOSFET適用于19V輸入級

環(huán)境適應(yīng)性

能夠在溫度范圍-40°C至+85°C內(nèi)穩(wěn)定工作，確保在各種惡劣環(huán)境下的可靠性。

七、技術(shù)發(fā)展趨勢

隨著計(jì)算設(shè)備對功率密度和效率要求的不斷提升，SiC674A代表了集成功率級技術(shù)的發(fā)展方向：

• ?更高的集成度?：將驅(qū)動、保護(hù)和功率器件整合在單一封裝中
• ?更先進(jìn)的控制算法?：自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間、三態(tài)控制等
• ?更強(qiáng)的可靠性?：多級保護(hù)機(jī)制和實(shí)時(shí)監(jiān)測功能