該LMP92066是一款高度集成的溫控雙通道DAC。兩個(gè)DAC都可以是 由兩個(gè)獨(dú)立的、用戶定義的溫電壓傳遞函數(shù)編程，存儲(chǔ)在 內(nèi)部EEPROM，允許校正任何溫度影響，而無需額外的外部 電路。通電后，設(shè)備自主運(yùn)行，無需系統(tǒng)干預(yù) 控制器，為設(shè)置和補(bǔ)償偏置電壓和電流提供完整的解決方案 在控制應(yīng)用中。

該LMP92066有兩個(gè)模擬輸出，支持兩個(gè)輸出范圍：零到加五 伏特和零到負(fù)五伏。每個(gè)輸出都可以通過 使用專用控制引腳。輸出開關(guān)設(shè)計(jì)用于快速響應(yīng)，使 該器件適用于射頻功率放大器偏置應(yīng)用。
*附件：lmp92066.pdf

EEPROM 經(jīng)過 100 次寫入作驗(yàn)證，可實(shí)現(xiàn)重復(fù)現(xiàn)場(chǎng)更新。這 EEPROM 編程在用戶發(fā)布的 I^2^C 命令。

LMP92066的數(shù)字端口與各種系統(tǒng)控制器接口，如 專用 VIO 引腳設(shè)置數(shù)字 I/O 電平。該設(shè)備具有熱增強(qiáng)型 PowerPAD? 封裝，可實(shí)現(xiàn)精確的 PCB溫度測(cè)量。

特性

• 內(nèi)置 12 位溫度傳感器
  • 精度（–40°C 至 120°C），±3.2°C
    （最大值）
• EEPROM 中
  存儲(chǔ)的兩個(gè)獨(dú)立傳遞函數(shù)
• 雙模擬輸出
  • 兩個(gè) 12 位
  • 輸出范圍 0 V 至 5 V 或 0 V 至 –5 V
  • 高電容負(fù)載容限，高達(dá) 10 μF
  • 校準(zhǔn)后精度 ±2.4 mV（典型值）
• 輸出開/關(guān)控制開關(guān)時(shí)間 50 ns（典型值）
  • 開關(guān)時(shí)間 50 ns（典型值）
  • RDSON 5 Ω（最大）
• 我^2^C 接口：標(biāo)準(zhǔn)和快速
  • 九個(gè)可選從地址
  • TIMEOUT 函數(shù)
• VDD 電源范圍 4.75 V 至 5.25 V
• VIO 范圍 1.65 V 至 3.6 V
• 指定溫度范圍 –25°C 至 120°C
• 工作溫度范圍 –40°C 至 125°C

參數(shù)

方框圖

LMP92066 是德州儀器推出的雙路溫度控制數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC），集成 EEPROM 與輸出開關(guān)控制，核心優(yōu)勢(shì)為溫度補(bǔ)償自校準(zhǔn)、高容性負(fù)載驅(qū)動(dòng)及快速輸出切換，專為 GaN/LDMOS 功率放大器偏置控制、傳感器溫度補(bǔ)償?shù)葓?chǎng)景設(shè)計(jì)。

一、核心產(chǎn)品參數(shù)

1. 基礎(chǔ)規(guī)格

• 分辨率與輸出：雙 12 位 DAC 通道，支持 0V-5V 或 0V--5V 輸出范圍；單通道連續(xù)輸出電流最大 10mA
• 封裝與溫度：16 引腳 HTSSOP 封裝（5.0mm×4.4mm），帶散熱焊盤；工作溫度 -40°C 至 125°C，結(jié)溫最高 150°C
• 電源與功耗：主電源（VDD）4.75V-5.25V，數(shù)字 I/O 電源（VIO）1.65V-3.6V；典型功耗 20mW，EEPROM 操作時(shí)峰值電流 10mA

2. 性能特性

• 靜態(tài)精度：微分非線性（DNL）最大 ±1 LSB，積分非線性（INL）最大 ±2.78 LSB；校準(zhǔn)后殘余誤差典型 ±2.4 mV
• 溫度傳感：內(nèi)置 12 位溫度傳感器，分辨率 0.0625°C/LSB，-40°C 至 120°C 范圍內(nèi)誤差最大 ±3.2°C，轉(zhuǎn)換周期 25ms
• 動(dòng)態(tài)特性：輸出開關(guān)切換時(shí)間典型 50ns，開關(guān)導(dǎo)通電阻（RDRV）最大 6Ω；DAC 建立時(shí)間（10μF 負(fù)載）典型 250μs
• 負(fù)載能力：支持最高 10μF 容性負(fù)載，輸出阻抗典型 3Ω

3. 關(guān)鍵功能參數(shù)

• 存儲(chǔ)與校準(zhǔn)：內(nèi)置 EEPROM 存儲(chǔ) 2 組獨(dú)立溫度 - 電壓轉(zhuǎn)換函數(shù)，支持 100 次寫入；支持單點(diǎn)校準(zhǔn)，補(bǔ)償溫漂與增益誤差
• 接口與控制：I2C 接口（標(biāo)準(zhǔn) / 快速模式），9 種可選從機(jī)地址；獨(dú)立 DRVEN 引腳控制輸出開關(guān)，支持異步開關(guān)操作
• 保護(hù)與可靠性：ESD 防護(hù)（HBM ±2500V、CDM ±1000V）；內(nèi)置地址鎖定、超時(shí)功能，EEPROM 數(shù)據(jù)傳輸帶錯(cuò)誤校驗(yàn)與修正

二、關(guān)鍵功能特性

1. 溫度補(bǔ)償與自主運(yùn)行

• 溫度 - 電壓轉(zhuǎn)換：通過 EEPROM 存儲(chǔ) 4°C 步長的溫度系數(shù)，結(jié)合 ALU 線性插值算法，自動(dòng)生成目標(biāo)補(bǔ)償曲線
• 多工作模式：支持默認(rèn)自主運(yùn)行（上電自動(dòng)加載 EEPROM 配置）、溫度傳感器 Override、DAC 輸入 Override、ALU 旁路模式
• 雙極性輸出：通過 VDDB/VSSB 電源配置，可切換 0V-5V（LDMOS 模式）或 0V--5V（GaN 模式）輸出，適配不同類型功率放大器

2. 高靈活性與可靠性設(shè)計(jì)

• 輸出控制：獨(dú)立通道開關(guān)，支持 “先斷后合” 切換邏輯，避免短路電流；FETDRV 引腳可直接驅(qū)動(dòng)外部場(chǎng)效應(yīng)管
• 存儲(chǔ)與校準(zhǔn)：20 字節(jié)記事本存儲(chǔ)區(qū)，支持用戶自定義數(shù)據(jù)；增益 / 偏移誤差溫度系數(shù)分別低至 20 ppm/°C 和 43 μV/°C
• 接口優(yōu)化：支持塊數(shù)據(jù)傳輸，減少 I2C 通信開銷；地址鎖定功能防止總線地址沖突

3. 工業(yè)級(jí)適配能力

• 抗干擾設(shè)計(jì)：電源抑制比優(yōu)異，容性負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力達(dá) 10μF，適配長距離布線場(chǎng)景
• 快速響應(yīng)：輸出開關(guān)切換時(shí)間僅 50ns，滿足射頻功率放大器快速偏置切換需求
• 校準(zhǔn)簡(jiǎn)化：?jiǎn)吸c(diǎn)校準(zhǔn)后殘余誤差典型 ±2.4 mV，大幅降低系統(tǒng)校準(zhǔn)復(fù)雜度

三、典型應(yīng)用場(chǎng)景

• 射頻通信：GaN/LDMOS 功率放大器（PA）偏置電壓控制與溫度補(bǔ)償
• 傳感器系統(tǒng)：壓力、流量傳感器的溫度漂移補(bǔ)償
• 時(shí)序電路：高精度時(shí)鐘、振蕩器的溫度穩(wěn)定性校準(zhǔn)

四、設(shè)計(jì)與使用建議

1. 接口與配置

• I2C 通信：建議啟用地址鎖定功能，避免多設(shè)備總線沖突；塊傳輸模式適用于批量更新 LUT 系數(shù)
• 模式選擇：自主運(yùn)行模式適用于無需主機(jī)干預(yù)的場(chǎng)景，Override 模式可用于系統(tǒng)調(diào)試與校準(zhǔn)
• EEPROM 操作：寫入后需等待 125ms 完成固化，避免頻繁寫入超出 100 次壽命限制

2. 電源與布線

• 電源設(shè)計(jì)：VDD 引腳需并聯(lián) 10μF-47μF 電解電容與 0.1μF 陶瓷電容，保證 EEPROM 操作時(shí)供電穩(wěn)定
• 散熱布局：散熱焊盤需焊接至 PCB 接地銅層，縮短與被控器件（如 PA）的熱路徑，提升溫度傳感精度
• 噪聲抑制：模擬地（GNDA）與數(shù)字地（GNDD）單點(diǎn)連接；DAC 輸出引腳遠(yuǎn)離數(shù)字信號(hào)線，減少耦合干擾

3. 負(fù)載與切換

• 容性負(fù)載：驅(qū)動(dòng)大于 10μF 負(fù)載時(shí)，建議串聯(lián) 5Ω 限流電阻，避免開關(guān)切換時(shí)電流過大
• 快速切換：DRVEN 引腳控制信號(hào)需保證上升沿陡峭，減少切換延遲；外部場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)時(shí)，建議搭配 10nF 加速電容。