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晶圓清洗的核心原理是什么?

蘇州芯矽 ? 來源:jf_80715576 ? 作者:jf_80715576 ? 2025-11-18 11:06 ? 次閱讀
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晶圓清洗的核心原理是通過物理作用、化學(xué)反應(yīng)及表面調(diào)控的協(xié)同效應(yīng),去除晶圓表面的顆粒、有機(jī)物、金屬離子及氧化物等污染物,同時(shí)確保表面無損傷。以下是具體分析:

一、物理作用機(jī)制

超聲波與兆聲波清洗:利用高頻聲波在液體中產(chǎn)生空化效應(yīng),形成微小氣泡并破裂時(shí)釋放沖擊力,剝離附著在晶圓表面的顆粒污染物。例如,40kHz低頻超聲波適用于去除微米級顆粒,而1MHz以上兆聲波可清除納米級顆粒且避免損傷表面。

機(jī)械力輔助:采用旋轉(zhuǎn)噴淋或雙向旋轉(zhuǎn)刷洗(順時(shí)針/逆時(shí)針交替),通過流體動力學(xué)設(shè)計(jì)增強(qiáng)污染物剝離效率,如動態(tài)切換旋轉(zhuǎn)方向以優(yōu)化清洗效果。

二、化學(xué)作用機(jī)制

氧化分解:SC-1溶液(NH?OH:H?O?:H?O=1:1:5)通過羥基自由基氧化有機(jī)物,生成CO?和H?O,同時(shí)形成SiO?鈍化層抑制二次污染。

絡(luò)合溶解:SC-2溶液(HCl:H?O?:H?O=1:1:6)中的Cl?與金屬離子結(jié)合形成可溶性絡(luò)合物,有效去除Cu2?、Fe3?等殘留。

酸性腐蝕:氫氟酸(HF)選擇性蝕刻自然氧化層(SiO?),反應(yīng)式為:SiO? + 6HF → H?SiF? + 2H?O,需嚴(yán)格控制濃度(如1:50稀釋)以避免過度腐蝕。

三、綜合作用與工藝挑戰(zhàn)

多步驟協(xié)同:典型流程包含預(yù)清洗→化學(xué)清洗→漂洗→干燥,各階段分別針對松散顆粒、頑固污染物及化學(xué)殘留。

技術(shù)難點(diǎn):需平衡高效去污與表面保護(hù),例如防止HF導(dǎo)致粗糙化、避免高溫下過氧化氫分解失效。

審核編輯 黃宇

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