在嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。下文整理了幾個(gè)Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器串口MRAM芯片的常見問題：

1、磁場(chǎng)對(duì)MRAM設(shè)備是否有影響？
Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器在設(shè)計(jì)時(shí)已充分考慮到外部磁場(chǎng)的影響。其規(guī)格書中明確規(guī)定了兩種磁場(chǎng)容忍閾值：
?Hmax_write：指在數(shù)據(jù)寫入過程中設(shè)備可承受的最大外部磁場(chǎng)強(qiáng)度。
?Hmax_read：適用于數(shù)據(jù)讀取、待機(jī)狀態(tài)或斷電情況下的磁場(chǎng)耐受值。
在Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器實(shí)際使用中，只要外部磁場(chǎng)強(qiáng)度不超過所規(guī)定的閾值，設(shè)備即可穩(wěn)定工作，數(shù)據(jù)不會(huì)因常規(guī)磁場(chǎng)干擾而丟失。

2、能否在MRAM附近使用磁化工具？
很多用戶擔(dān)心電動(dòng)螺絲刀、帶磁鉆頭等磁化工具會(huì)影響MRAM運(yùn)行。實(shí)際上，在設(shè)備未通電狀態(tài)下，這類工具可在距離MRAM封裝至少1毫米以外的地方安全使用。但需注意避免磁體直接接觸Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片封裝。任何電子元件在通電狀態(tài)下都應(yīng)避免附近使用強(qiáng)磁性工具，這是普遍的設(shè)計(jì)原則。

3、如何有效避免磁場(chǎng)干擾問題？
Everspin MRAM內(nèi)部采用軟磁屏蔽結(jié)構(gòu)，能有效約束磁通量擴(kuò)散，使其不會(huì)對(duì)外圍電路造成干擾。因此，用戶通常無需為串口MRAM芯片額外加裝磁屏蔽措施。在系統(tǒng)集成時(shí)，建議參考產(chǎn)品手冊(cè)中列出的磁場(chǎng)參數(shù)，合理布局，避免將芯片安裝在持續(xù)強(qiáng)磁場(chǎng)源（如大型電機(jī)）的正上方或緊鄰位置。

4、串口MRAM芯片器件的濕度敏感等級(jí)如何？
目前，所有Everspin M串口MRAM芯片產(chǎn)品均達(dá)到MSL-3（濕度敏感等級(jí)3）標(biāo)準(zhǔn)。部分早期型號(hào)或特定封裝類型可能在認(rèn)證完成前有較短的車間壽命，建議用戶在采購(gòu)與存儲(chǔ)時(shí)留意產(chǎn)品包裝說明，并遵循推薦的焊接與存儲(chǔ)條件。

5、串口MRAM芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)中如何降低外部磁場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)？
Everspin MRAM的磁場(chǎng)耐受能力與普通硬盤相當(dāng)，因此可安全用于電機(jī)、變壓器等設(shè)備附近，只要實(shí)際場(chǎng)強(qiáng)不超出其規(guī)格范圍。建議在整機(jī)設(shè)計(jì)階段通過模擬或?qū)崪y(cè)，確認(rèn)安裝位置的磁場(chǎng)強(qiáng)度，并合理規(guī)劃MRAM與其他磁性部件的物理距離。英尚微電子作為Everspin官方授權(quán)的一級(jí)代理商，如需樣品申請(qǐng)、技術(shù)咨詢或詢價(jià)，請(qǐng)搜索英尚微電子。

審核編輯 黃宇