安森美 (onsemi) NTK3139P P溝道單通道功率MOSFET采用緊湊型SOT-723封裝，內(nèi)置ESD保護(hù)功能。SOT-723封裝占位面積比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%。漏極-源極電壓 (V DSS ) 額定值為-20V，連續(xù)漏極電流 (I D ) 額定值為-780mA（TA =+25°C時(shí)）。安森美 (onsemi) NTK3139P具有低閾值電平，在VGS =1.5V、ID =-100mA條件下，其典型導(dǎo)通電阻R DS(on )為0.95Ω。該安森美 (onsemi) 器件可在低邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)下工作。典型應(yīng)用包括負(fù)載/功率開(kāi)關(guān)、接口（邏輯開(kāi)關(guān)）以及超小型便攜式電子設(shè)備的電池管理。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：onsemi NTK3139P P溝道單通道功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 低RDS(on) P溝道開(kāi)關(guān)
• 占位面積比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%
• 低閾值電平，使RDS(on) 在1.5V時(shí)達(dá)到額定值
• 可在低邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)下運(yùn)行
• 無(wú)鉛、無(wú)鹵/無(wú)溴化阻燃劑（BFR），符合RoHS指令

電路圖

onsemi NTK3139P P溝道功率MOSFET深度解析與技術(shù)應(yīng)用指南

器件概述

?NTK3139P?是安森美半導(dǎo)體推出的一款P溝道單通道功率MOSFET，集成了ESD保護(hù)功能，專(zhuān)門(mén)為超小型便攜式電子設(shè)備的電源管理而設(shè)計(jì)。該器件具有-20V的額定漏源電壓和-780mA的連續(xù)漏極電流能力，采用先進(jìn)的SOT-723封裝，比傳統(tǒng)SC-89封裝? 尺寸縮小44% ?，? 厚度減少38% ?，在空間受限的應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。

關(guān)鍵特性詳解

極限參數(shù)（絕對(duì)最大額定值）

• ? 漏源電壓(VDSS) ?：-20V
• ? 柵源電壓(VGS) ?：±6V
• ? 連續(xù)漏極電流(ID) ?：
  • 穩(wěn)態(tài)條件：-780mA（TA=25°C），-570mA（TA=85°C）
  • 脈沖條件：-1.2A（tp=10ms）
• ? 功率耗散(PD) ?：
  • 穩(wěn)態(tài)：450mW（TA=25°C）
  • 5秒脈沖：550mW
• ?工作結(jié)溫范圍?：-55°C至150°C

電氣特性亮點(diǎn)

? 導(dǎo)通電阻(RDS(on)) ?在不同柵極電壓下的表現(xiàn)：

• ?**-4.5V**?：0.38Ω（典型值），0.48Ω（最大值）
• ?**-2.5V**?：0.52Ω（典型值），0.67Ω（最大值）
• ?**-1.8V**?：0.70Ω（典型值），0.95Ω（最大值）
• ?**-1.5V**?：0.95Ω（典型值），2.20Ω（最大值）

低閾值電壓優(yōu)勢(shì)

該器件具有?低閾值電平特性?，允許在1.5V的低邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)下工作，這使得它特別適合與低電壓處理器和微控制器直接接口。

熱性能參數(shù)

?熱阻評(píng)級(jí)?：

• 結(jié)到環(huán)境熱阻（穩(wěn)態(tài)）：280°C/W（標(biāo)準(zhǔn)焊盤(pán)）
• 結(jié)到環(huán)境熱阻（5秒脈沖）：228°C/W
• 結(jié)到環(huán)境熱阻（最小焊盤(pán)）：400°C/W

封裝與引腳配置

?SOT-723封裝?（3引腳）引腳定義：

• ?引腳1?：柵極(Gate)
• ?引腳2?：源極(Source)
• ?引腳3?：漏極(Drain)

該封裝采用?底部散熱焊盤(pán)設(shè)計(jì)?，通過(guò)優(yōu)化PCB布局可顯著改善散熱性能。

應(yīng)用領(lǐng)域

負(fù)載/電源開(kāi)關(guān)

NTK3139P特別適合于?便攜設(shè)備的電源路徑管理?，可用于：

• 電池供電系統(tǒng)的電源開(kāi)關(guān)
• 模塊化電源管理
• 低功耗待機(jī)電路控制

接口與邏輯電平轉(zhuǎn)換

憑借其低閾值特性，該器件能夠：

• 實(shí)現(xiàn)1.5V至3.3V系統(tǒng)的無(wú)縫接口
• 提供高效的邏輯電平轉(zhuǎn)換解決方案
• 支持低電壓數(shù)字系統(tǒng)的功率控制

超小型便攜電子設(shè)備電池管理

在?空間受限的應(yīng)用?中表現(xiàn)出色：

• 智能手機(jī)輔助電源管理
• 可穿戴設(shè)備功率控制
• IoT設(shè)備的電源切換

設(shè)計(jì)考慮因素

柵極驅(qū)動(dòng)要求

為確保最佳性能：

• ?推薦柵極驅(qū)動(dòng)電壓?：-2.5V至-4.5V
• 避免超過(guò)±6V的柵源電壓
• 建議使用適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動(dòng)電路

PCB布局建議

• ?使用足夠的銅面積?：1平方英寸焊盤(pán)可顯著降低熱阻
• ?最小焊盤(pán)尺寸?會(huì)增大熱阻至400°C/W
• ?熱管理?對(duì)于持續(xù)大電流應(yīng)用至關(guān)重要

性能曲線分析

從數(shù)據(jù)手冊(cè)的典型特性曲線可以看出：

1. ?導(dǎo)通區(qū)域特性?顯示在不同柵極電壓下的線性工作區(qū)
2. ?轉(zhuǎn)移特性?表明器件具有良好的跨導(dǎo)特性
3. ?溫度對(duì)導(dǎo)通電阻的影響?符合典型MOSFET特性