P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB

Vishay推出首款采用芯片級MICRO FOOT^?封裝的P溝道第三代TrenchFET^?功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內，這款20V器件提供業(yè)內P溝道MOSFET最低的導通電阻。

新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術的首款芯片級產品。這種最先進的技術能夠實現(xiàn)超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內P溝道MOSFET所能實現(xiàn)的最低導通電阻減小了一半：在4.5V、2.5V、2V和1.8V電壓下的導通電阻分別為32 m?、46m?、65m?和120m?。

Si8499DB采用第三代TrenchFET P溝道技術，器件的芯片級封裝具有最大的裸片與占位比，在非常緊湊的器件內提供了超低導通電阻。MICRO FOOT封裝所需的PCB面積只有TSOP-6的1/6，而導通電阻則很相近，從而為其他產品功能騰出空間，或是使終端產品變得更小。

MOSFE的低導通電阻意味著負載、充電器和電池開關中更低的壓降，使智能手機、PDA和MP3播放器等個人手持設備能夠更快地充電，在兩次充電之間的電池壽命更長。

MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范，符合RoHS指令2002/95/EC。

Si8499DB TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產，大宗訂貨的供貨周期為十六周。