安森美 (onsemi) NTK3134N單N溝道功率MOSFET具有ESD保護(hù)功能，是優(yōu)化用于高效開(kāi)關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的強(qiáng)大MOSFET。安森美 (onsemi) NTK3134N組件采用緊湊的3引腳SOT-723封裝，在4.5V電壓下實(shí)現(xiàn)0.20Ω的低R ~DS(on) ~ ，可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗并提升熱性能。NTK3134N MOSFET的漏源電壓額定值為20V，穩(wěn)態(tài)漏極連續(xù)電流能力為890mA（最大值），非常適合用于便攜式電子設(shè)備、DC-DC轉(zhuǎn)換器和負(fù)載開(kāi)關(guān)電路。開(kāi)關(guān)速度快和柵極電荷低，有助于降低功耗并提高整體系統(tǒng)效率，使這些MOSFET成為空間受限、功耗敏感設(shè)計(jì)的可靠選擇。

數(shù)據(jù)手冊(cè)；*附件：onsemi NTK3134N單N溝道功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• N溝道開(kāi)關(guān)，具有低RDS(on)
• 比SC89占位面積小44%，厚度薄38%
• 低閾值水平，允許1.5V RDS(on) 額定值
• 可在低邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)下運(yùn)行
• 3引腳SOT-723，631AA外殼，樣式5封裝
• 無(wú)鉛、無(wú)鹵/無(wú)BFR，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

原理圖

?NTK3134N MOSFET：專為緊湊型便攜設(shè)備設(shè)計(jì)的高效功率開(kāi)關(guān)解決方案?

在現(xiàn)代便攜式電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，功率管理和開(kāi)關(guān)效率是關(guān)鍵考量因素。安森美（onsemi）推出的NTK3134N單N溝道功率MOSFET，以其小巧的封裝、優(yōu)異的電氣性能和廣泛的適用性，為工程師提供了理想的功率開(kāi)關(guān)解決方案。本文將從器件特性、技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用優(yōu)勢(shì)三個(gè)方面展開(kāi)分析。

?一、核心產(chǎn)品特性?

NTK3134N是一款集成了ESD保護(hù)的N溝道功率MOSFET，具有以下突出特點(diǎn)：

1. ?封裝革新?
   • 采用SOT-723封裝，相比傳統(tǒng)SC89封裝面積減小44%，厚度降低38%
   • 三引腳設(shè)計(jì)：1-柵極、2-源極、3-漏極（頂視圖）
   • 適用于高密度PCB布局
2. ?電氣性能優(yōu)勢(shì)?
   • 低導(dǎo)通電阻：典型值0.20Ω@4.5V，0.26Ω@2.5V
   • 低閾值電壓：支持1.5V邏輯電平驅(qū)動(dòng)
   • 最大漏極電流：890mA（連續(xù)）
3. ?環(huán)保合規(guī)?
   • 無(wú)鉛、無(wú)鹵素/BFR、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

?二、關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)詳解?

? 最大額定值（TJ=25°C） ?

• 漏源電壓（VDSS）：20V
• 柵源電壓（VGS）：±8V
• 連續(xù)漏極電流（ID）：890mA（穩(wěn)態(tài)）
• 功率耗散（PD）：550mW（TA=25°C，t≤5s）

? 電氣特性（TJ=25°C） ?

• 柵極閾值電壓（VGS(TH)）：0.45-2.4V（典型1.2V）
• 導(dǎo)通電阻變化：
  • 4.5V柵壓：0.20-0.35Ω
  • 1.5V柵壓：0.56Ω（200mA條件下）

?開(kāi)關(guān)特性?

• 開(kāi)啟延遲時(shí)間（td(ON)）：6.7ns（VGS=4.5V）
• 上升時(shí)間（tr）：4.8ns
• 關(guān)斷延遲時(shí)間（td(OFF)）：17.3ns
• 下降時(shí)間（tf）：7.4ns

?熱性能?

• 結(jié)到環(huán)境熱阻（RθJA）：
  • 穩(wěn)態(tài)：280°C/W（標(biāo)準(zhǔn)焊盤(pán)）
  • 5秒脈沖：228°C/W

?三、典型應(yīng)用場(chǎng)景?

基于其優(yōu)異的性能指標(biāo)，NTK3134N特別適用于以下應(yīng)用領(lǐng)域：

1. ?負(fù)載/功率開(kāi)關(guān)?
   • 便攜設(shè)備中的電源路徑管理
   • 子系統(tǒng)功率分配控制
2. ?接口切換?
   • 數(shù)據(jù)端口保護(hù)開(kāi)關(guān)
   • 信號(hào)路由選擇
3. ?邏輯電平轉(zhuǎn)換?
   • 1.8V/3.3V系統(tǒng)間接口
   • 低電壓處理器與外圍設(shè)備連接
4. ?超小型便攜設(shè)備電池管理?
   • 充電控制電路
   • 電池保護(hù)系統(tǒng)
   • 電源多路復(fù)用切換

?四、設(shè)計(jì)考量與建議?

?布局優(yōu)化?

• 建議使用1平方英寸焊盤(pán)面積（銅面積1.127平方英寸，含走線）
• 最小推薦焊盤(pán)尺寸下熱阻升至400°C/W，需謹(jǐn)慎評(píng)估散熱

?驅(qū)動(dòng)要求?

• 1.5V柵極電壓即可獲得滿意的導(dǎo)通性能
• 適合電池供電系統(tǒng)的低電壓操作

?溫度管理?

• 導(dǎo)通電阻隨溫度上升而增加（見(jiàn)圖5特性曲線）
• 高溫環(huán)境下需適當(dāng)降額使用

?五、產(chǎn)品選型指南?

安森美提供多種包裝選項(xiàng)：

• NTK3134NT1G：4000只/卷帶
• NTK3134NT1H：4000只/卷帶
• NTK3134NT5G：8000只/卷帶
• NTK3134NT3G：40000只/卷帶