安森美 NL7SZ18 1:2非反相3態(tài)解復用器工作在1.65V至5.5V的寬電壓范圍內(nèi)，工作在-55°C至+125°C的溫度范圍內(nèi)。當選擇輸入 (S) 被置為低電平時，來自A的數(shù)據(jù)指向Y0，而Y1則進入高阻抗狀態(tài)。反之，當S被置為高電平時，來自A的數(shù)據(jù)指向Y1，而Y0則被置于高阻抗狀態(tài)。這些高性能器件優(yōu)化用于板載緩沖應用。安森美NL7SZ18通過在I/O引腳上提供過壓容差（OVT）電路，提供混合（1.65V、2.3V、3.0V和5.5V）電壓能力。

數(shù)據(jù)手冊；*附件：onsemi NL7SZ18 1比2非反相3態(tài)解復用器數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• 設(shè)計在1.65V至5.5V VCC 電壓下運行
• 2.5ns t PD （在VCC = 5V的典型值時）
• 斷電阻抗輸出在高阻態(tài)
• 輸入/輸出耐高達5.5V的過電壓
• IOFF 支持局部斷電保護
• 灌電流：32mA（5.0V時）
• 輸出驅(qū)動能力：4.0mA至32mA
• 采用SC-88、SC-74和UDFN6封裝
• 芯片復雜性<100FET
• 潮濕敏感度等級 (MSL) 1級
• 工作溫度范圍：-55 °C至+125 °C
• 無鉛、無鹵/無溴化阻燃劑（BFR），符合RoHS指令

基于NL7SZ18 1:2非反相3態(tài)解復用器的技術(shù)解析與應用指南?

?一、器件概述與核心特性?

?NL7SZ18?是安森美半導體推出的一款高性能?1:2非反相3態(tài)解復用器?，具有以下突出特性：

• ?寬電壓工作范圍?：1.65 V至5.5 V，兼容低功耗與標準邏輯電平系統(tǒng)。
• ?高速響應?：典型傳播延遲僅2.5 ns（@VCC=5 V），適用于時序敏感場景。
• ?過壓容忍?：輸入/輸出端口最高耐壓5.5 V，增強系統(tǒng)魯棒性。
• ?部分斷電保護?：支持IOFF功能，在VCC=0 V時阻斷漏電流。
• ?強驅(qū)動能力?：在5.0 V電壓下可吸收32 mA電流。
• ?環(huán)保封裝?：提供SC-88、SC-74及UDFN6三種封裝選項，均符合無鉛、無鹵素標準。

?二、功能框圖與引腳配置?

?邏輯架構(gòu)?

• ?數(shù)據(jù)通路?：輸入信號A通過選擇端S被路由至Y0或Y1輸出。
• ?3態(tài)控制?：當S=H時，Y0呈高阻態(tài)（Z）；當S=L時，Y1呈高阻態(tài)。

?引腳功能?

?三、電氣特性深度解析?

?1. 直流參數(shù)關(guān)鍵指標?

• ?邏輯閾值?：
  • VIH=0.65×VCCVIH?**=**0.65**×**V**CC**?（VCC=1.65–1.95 V）
  • VIL=0.35×VCCVIL?**=**0.35**×**V**CC**?（同前）
• ?輸出驅(qū)動能力?：
  • ?高電平輸出?：@IOH=-32 mA, VOH=3.8 V（VCC=4.5 V）。
  • ?低電平輸出?：@IOL=32 mA, VOL=0.55 V（VCC=4.5 V）。

?2. 動態(tài)性能?

• ?傳播延遲?（A→Y）：
  • ? 4.9 ns（最大值） ? @VCC=4.5–5.5 V。
• ?開關(guān)時間?：
  • ?輸出使能時間?（tPZH/tPZL）：≤6.8 ns @VCC=2.3–2.7 V。

?3. 功耗管理?

• ?靜態(tài)電流?（ICC）：典型值1.0 μA（VIN=VCC/GND），保障低待機功耗。

?四、典型應用場景與設(shè)計指南?

?1. 多路信號分配?

• ?應用示例?：在傳感器陣列中，通過S端切換選擇不同通道，實現(xiàn)數(shù)據(jù)分時采集。
• ?布局建議?：縮短A到Y0/Y1的路徑，以減少信號完整性風險。

?2. 總線擴展與隔離?

• ?3態(tài)輸出優(yōu)勢?：允許同一總線上掛載多個NL7SZ18，避免沖突。
• ?終端匹配?：建議在輸出端串聯(lián)22 Ω電阻以抑制振鈴。

?3. 低功耗設(shè)計?

• ?電源選型?：在電池供電設(shè)備中，優(yōu)先選擇1.8 V供電以優(yōu)化能效。
• ?IOFF保護?：在休眠模式下切斷未使用模塊的電源路徑。

?五、可靠性設(shè)計與注意事項?

?1. 熱管理?

• ?封裝熱阻?：
  • SC-88：θJA=377 °C/W
  • UDFN6：θJA=154 °C/W（優(yōu)先選用以提升散熱性能）。

?2. ESD與閂鎖防護?

• ?ESD等級?：
  • HBM：2000 V
  • CDM：1000 V
• ?布局優(yōu)化?：在VCC與GND間就近放置100 nF去耦電容。

?六、選型與供應鏈信息?