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探索NCV51313:高效高側(cè)柵極驅(qū)動器的卓越之選

h1654155282.3538 ? 來源:未知 ? 作者:陳翠 ? 2025-11-27 10:49 ? 次閱讀
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探索NCV51313:高效高側(cè)柵極驅(qū)動器的卓越之選

在現(xiàn)代電源設(shè)計領(lǐng)域,高側(cè)柵極驅(qū)動器扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅要實現(xiàn)緩沖和電平轉(zhuǎn)換的功能,還要在高頻操作下保持高效和穩(wěn)定。今天,我們就來深入探討安森美(onsemi)推出的一款優(yōu)秀的高側(cè)柵極驅(qū)動器——NCV51313。

文件下載:onsemi NCV51313高側(cè)柵極驅(qū)動器.pdf

一、NCV51313概述

NCV51313是一款專為DC - DC電源和逆變器設(shè)計的130V高側(cè)驅(qū)動器。在追求電源緊湊化和高效化的當(dāng)下,高頻操作成為了電源設(shè)計的趨勢,但這也給驅(qū)動器帶來了更高的損耗挑戰(zhàn)。而NCV51313憑借其出色的性能脫穎而出,它具有一流的傳播延遲、低靜態(tài)電流和低開關(guān)電流,能夠助力高頻高效電源的實現(xiàn)。

該驅(qū)動器有NCV51313A和NCV51313B兩個版本。NCV51313A的典型傳播延遲為50ns,而NCV51313B更短,僅為20ns。這種短傳播延遲使得它非常適合高頻操作,能夠有效提高電源的效率和響應(yīng)速度。

典型應(yīng)用原理圖

內(nèi)部方框圖

二、關(guān)鍵特性剖析

(一)輸入級特性

  1. 兼容性:NCV51313的輸入級與TTL和CMOS邏輯兼容,這意味著它可以輕松接受來自模擬或數(shù)字PWM控制器或邏輯門的3.3V或5V邏輯信號,大大增強(qiáng)了其在不同應(yīng)用場景中的適用性。
  2. 抗干擾能力:輸入引腳配備了施密特觸發(fā)器,其典型滯后值為0.7V,能夠有效避免噪聲引起的邏輯錯誤,確保了良好的抗干擾能力。
  3. 浮動輸入處理:當(dāng)輸入引腳處于浮動狀態(tài)時,輸出(HO)會保持低電平。同時,輸入引腳內(nèi)部有下拉電阻,當(dāng)引腳懸空或由開漏信號驅(qū)動時,能明確其邏輯值。
  4. 負(fù)電壓耐受性:輸入引腳能夠耐受低于GND引腳電平的負(fù)電壓,只要在絕對最大額定值范圍內(nèi)即可。這一特性使得它可以使用變壓器作為輸入脈沖的隔離屏障。
  5. 噪聲過濾功能:NCV51313A具有噪聲抑制功能,通常能確保短于30ns的脈沖干擾不會改變HO電平;而NCV51313B的輸入級則沒有此類濾波器。

(二)欠壓鎖定(UVLO)保護(hù)

NCV51313具備欠壓鎖定保護(hù)功能。UVLO電路的作用是確保有足夠的電源電壓($V{CC}$和$V{B}$)來正確偏置驅(qū)動電路,保證外部MOSFET的柵極在最佳電壓下驅(qū)動。當(dāng)$V{CC}$或$V{B}$低于UVLO電壓時,高側(cè)驅(qū)動器輸出(HO)保持低電平。而且,$V{CC}$和$V{B}$的UVLO電路都帶有滯后特性,這不僅可以避免電源中接地噪聲引起的錯誤,還能在偏置電壓小幅下降時確保設(shè)備持續(xù)運(yùn)行。

(三)輸出級特性

  1. 驅(qū)動能力:輸出級具有2.0A的源電流和3.0A的灌電流能力,能夠在11ns內(nèi)有效為1nF負(fù)載充電,在10ns內(nèi)放電,展現(xiàn)出強(qiáng)大的驅(qū)動能力。
  2. 充放電路徑:當(dāng)輸入級接收到邏輯高電平時,$Q{source}$導(dǎo)通,$V{B}$通過$R{g}$為$C{GS}$充電,使外部功率MOSFET導(dǎo)通;當(dāng)接收到邏輯低電平時,$Q{source}$關(guān)斷,$Q{sink}$導(dǎo)通,為柵極端子提供放電路徑。不過,$C{GS}$的充放電路徑中存在寄生電感,可能會導(dǎo)致$V{B}$出現(xiàn)小幅下降,若$V_{B}$降至UVLO以下,電源可能會關(guān)閉設(shè)備。

(四)短傳播延遲優(yōu)勢

NCV51313在輸入和輸出之間具有行業(yè)領(lǐng)先的傳播延遲。NCV51313A的典型傳播延遲為50ns,而NCV51313B由于沒有輸入濾波器,傳播延遲更短,僅為20ns。這種短傳播延遲使得它非常適合高頻操作,并且允許100%占空比運(yùn)行,不過在100%直流條件下使用時,需要有浮動源為浮動驅(qū)動器供電。

(五)負(fù)瞬態(tài)抗擾度(NTI

在HB開關(guān)應(yīng)用中,由于寄生電感和感性負(fù)載的影響,HB節(jié)點在開關(guān)操作期間常被拉至地以下,這些負(fù)尖峰可能導(dǎo)致電路故障或損壞。NCV51313在負(fù)電壓條件下的工作能力通過NTI測試進(jìn)行評估,測試結(jié)果表明它對負(fù)尖峰具有一定的魯棒性。但需要注意的是,在應(yīng)用電路設(shè)計中,仍應(yīng)通過精心的PCB布局和合適的元件選擇,盡可能消除或限制$V_{B}$引腳上的負(fù)瞬態(tài)電壓。

三、元件選擇要點

(一)$C_{boot}$電容值計算

NCV51313的高側(cè)驅(qū)動器通過自舉電路供電,自舉電容$C{boot}$的選擇至關(guān)重要。$C{boot}$值過低可能導(dǎo)致$V{B}$偏置電壓下降,若降至UVLO以下,電源可能會關(guān)閉驅(qū)動器。在計算$C{boot}$值時,需要考慮MOSFET的柵極電荷$Q{g}$、浮動驅(qū)動器的電流消耗$I{B2}$、開關(guān)周期等因素。一般建議使用較大的值,以應(yīng)對柵極電荷和電壓隨溫度的變化。

(二)$R_{boot}$電阻值計算

為了給$C{boot}$充電,需要在$V{CC}$線到$V{B}$引腳之間連接外部二極管,并串聯(lián)一個電阻$R{boot}$來降低電流峰值。$R{boot}$的阻值選擇對高側(cè)驅(qū)動器的正常工作至關(guān)重要,阻值過小會從$V{CC}$線汲取高電流峰值,過大則會導(dǎo)致電容無法充到合適的電平,使高側(cè)驅(qū)動器被內(nèi)部UVLO保護(hù)禁用。

(三)$v_{CC}$電容選擇

$v{CC}$電容值應(yīng)至少為$C{boot}$值的十倍,以確保電源的穩(wěn)定性。

(四)IN引腳輸入濾波器

對于NCV51313的IN引腳PWM連接,RC濾波器可以幫助濾除高頻輸入噪聲,特別是對于沒有內(nèi)部濾波器的NCV51313B版本。推薦的$R{IN}$值為100Ω,$C{IN}$值為120pF。

(五)$R_{gate}$選擇

$R_{gate}$的作用是限制柵極電容充放電期間的峰值柵極電流,抑制寄生電感引起的振鈴,降低HB引腳的dV/dt到安全水平,并衰減EMI輻射。不過,電阻值過高會增加MOSFET的功率損耗,降低效率。建議先使用較高的電阻值進(jìn)行評估,在確保所有條件下運(yùn)行安全的情況下再降低阻值。

四、總功率耗散計算

NCV51313的總功率耗散是各部分耗散之和,包括器件(除驅(qū)動器外)的功率損耗、驅(qū)動器的功率損耗、電平轉(zhuǎn)換器的功率損耗、高側(cè)泄漏功率損耗等。通過合理的元件選擇和電路設(shè)計,可以有效降低總功率耗散,提高電源的效率。

五、封裝尺寸

NCV51313有DFNW6 3x3和標(biāo)準(zhǔn)SO8兩種封裝形式。不同的封裝在尺寸、散熱等方面有所差異,工程師在設(shè)計時需要根據(jù)實際應(yīng)用場景選擇合適的封裝。

六、總結(jié)與思考

NCV51313憑借其出色的性能和豐富的特性,為DC - DC電源和逆變器設(shè)計提供了一個優(yōu)秀的解決方案。它的短傳播延遲、低靜態(tài)電流和開關(guān)電流、良好的抗干擾能力等特點,使得它在高頻高效電源設(shè)計中具有很大的優(yōu)勢。然而,在實際應(yīng)用中,元件的選擇和電路的設(shè)計需要仔細(xì)考慮,以確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和性能優(yōu)化。

作為電子工程師,我們在使用NCV51313時,需要思考如何根據(jù)具體的應(yīng)用需求,合理選擇元件參數(shù),優(yōu)化電路布局,以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢。同時,也要關(guān)注負(fù)瞬態(tài)電壓等潛在問題,通過合理的設(shè)計來避免電路故障。你在使用類似高側(cè)柵極驅(qū)動器時,遇到過哪些挑戰(zhàn)和問題呢?又是如何解決的呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。

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