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高速CMOS邏輯雙可重觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器:CD54/74HC123、CD54/74HCT123、CD74HC423、CD74HCT423深度解析

工程師 ? 2025-11-27 18:55 ? 次閱讀
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高速CMOS邏輯雙可重觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器:CD54/74HC123、CD54/74HCT123、CD74HC423、CD74HCT423深度解析

在電子設計領域,單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器是一種常用的電路元件,它能產生精確的脈沖信號,在定時、計數、脈沖整形等方面發(fā)揮著重要作用。今天我們要深入探討的是Harris Semiconductor推出的CD54/74HC123、CD54/74HCT123、CD74HC423、CD74HCT423這幾款高速CMOS邏輯雙可重觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器。

文件下載:CD74HCT123MT.pdf

一、產品概述

這幾款器件是雙單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器,具備可重觸發(fā)功能,并且?guī)в袕臀欢?。它們的主要區(qū)別在于,123類型可以由負到正的復位脈沖觸發(fā),而423類型則不具備這一特性。這些器件的輸出脈沖寬度可以通過外部電阻($R{X}$)和外部電容($C{X}$)進行控制,從而實現較寬范圍的脈沖寬度調節(jié)。

二、產品特性亮點

(一)功能特性

  1. 復位功能強大:覆蓋性復位可終止輸出脈沖,這在需要精確控制脈沖時長的應用中非常實用。例如,在一些對脈沖時間要求嚴格的通信系統(tǒng)中,當需要提前結束脈沖時,復位功能就能派上用場。
  2. 靈活的觸發(fā)方式:可以從上升沿或下降沿觸發(fā),為設計提供了更多的靈活性。工程師可以根據具體的信號特點和系統(tǒng)需求,選擇合適的觸發(fā)方式。
  3. 緩沖輸出:Q和Q緩沖輸出,能提供更好的信號驅動能力,確保信號在傳輸過程中的穩(wěn)定性。
  4. 獨立復位:每個單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器都有獨立的復位端,方便對不同的電路部分進行單獨控制。
  5. 寬范圍輸出脈沖寬度:通過調整$R{X}$和$C{X}$,可以實現較寬范圍的輸出脈沖寬度,滿足不同應用場景的需求。
  6. 施密特觸發(fā)器輸入:A和B輸入都采用了施密特觸發(fā)器,能有效提高電路的抗干擾能力,使電路在復雜的電磁環(huán)境中也能穩(wěn)定工作。

(二)電氣特性

  1. 高扇出能力:在不同的輸出類型下,具有不同的扇出能力。標準輸出可驅動10個LSTTL負載,總線驅動輸出可驅動15個LSTTL負載,能滿足不同規(guī)模電路的驅動需求。
  2. 寬工作溫度范圍:工作溫度范圍為 -55°C 到 125°C,適用于各種惡劣的工業(yè)和環(huán)境條件。
  3. 平衡的傳播延遲和轉換時間:能保證信號在電路中的傳輸速度和穩(wěn)定性,減少信號失真。
  4. 低功耗:與LSTTL邏輯IC相比,顯著降低了功耗,符合現代電子設備對低功耗的要求。
  5. 不同類型的工作電壓范圍:HC類型可在2V到6V的電壓下工作,具有較高的噪聲抗擾度;HCT類型則在4.5V到5.5V的電壓下工作,與LSTTL輸入邏輯直接兼容,同時也具備CMOS輸入兼容性。

三、工作原理與真值表

(一)工作原理

這些器件的工作原理基于單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器的基本原理,通過外部的$R{X}$和$C{X}$來控制輸出脈沖的寬度。當觸發(fā)信號到來時,電路進入暫穩(wěn)態(tài),輸出脈沖開始,直到滿足復位條件或暫穩(wěn)態(tài)時間結束,輸出脈沖終止。

(二)真值表

INPUTS OUTPUTS
A B R Q Q
CD74HC/HCT123
H X H L H
X L H L H
L H T
H H T
X X L L H
L H T
CD74HC/HCT423
H X H L H
X L H L H
L H T
H H T
X X L L H

其中,H表示高電壓電平,L表示低電壓電平,X表示無關。通過真值表,我們可以清晰地了解輸入信號與輸出信號之間的邏輯關系,從而更好地進行電路設計。

四、電氣參數與規(guī)格

(一)絕對最大額定值

參數 數值
DC Supply Voltage -0.5V to 7V
DC Input Diode Current ±20mA
DC Output Diode Current ±20mA
DC Output Source or Sink Current per Output Pin ±25mA
DC Vcc or Ground Current ±50mA

在設計電路時,必須確保器件的工作參數在這些絕對最大額定值范圍內,否則可能會導致器件損壞。

(二)熱信息

不同封裝的熱阻不同,例如E(PDIP)封裝的熱阻為67°C/W,M(SOIC)封裝為73°C/W等。同時,最大結溫為150°C,最大存儲溫度范圍為 -65°C 到 150°C。了解這些熱信息對于合理選擇封裝和進行散熱設計非常重要。

(三)工作條件

HC類型的工作電壓范圍為2V到6V,HCT類型為4.5V到5.5V。輸入和輸出電壓也有相應的要求,輸入上升和下降時間在不同電壓下有不同的最大值限制。這些工作條件是保證器件正常工作的基礎,設計時必須嚴格遵守。

(四)DC電氣規(guī)格

包括高、低電平輸入電壓、高、低電平輸出電壓、輸入泄漏電流、靜態(tài)器件電流等參數。這些參數在不同的溫度和電壓條件下會有所變化,設計時需要根據具體的應用場景進行考慮。例如,在不同的負載類型(CMOS負載和TTL負載)下,輸出電壓的數值會有所不同。

(五)開關規(guī)格

在輸入$t{r}$,$t{f}$ = 6ns,$R{X}$ = 10KΩ,$C{X}$ = 0的條件下,給出了觸發(fā)傳播延遲、復位傳播延遲、輸出轉換時間等參數。這些參數反映了器件的開關速度和信號傳輸延遲,對于高速電路設計至關重要。

五、測試電路與波形

文檔中給出了多個測試電路和波形圖,如輸出脈沖控制使用復位輸入(R)的波形圖、觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)的波形圖等。通過這些測試電路和波形,我們可以更直觀地了解器件的工作過程和性能特點,同時也可以用于驗證電路設計的正確性。

六、封裝信息

提供了多種封裝選項,包括CDIP、PDIP、SOIC、SOP、TSSOP等。不同的封裝在引腳數量、尺寸、熱性能等方面有所不同,工程師可以根據實際需求選擇合適的封裝。例如,對于空間要求較高的應用,可以選擇尺寸較小的SOIC或TSSOP封裝;對于需要更好散熱性能的應用,可以選擇PDIP封裝。

在使用這些器件時,需要注意靜電放電問題,遵循正確的IC處理程序。同時,TI對提供的技術和可靠性數據等資源“按原樣”提供,不承擔任何明示或暗示的保證責任。工程師在設計過程中需要自行承擔選擇合適產品、設計和測試應用等責任。

這幾款高速CMOS邏輯雙可重觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器具有豐富的功能和良好的電氣性能,適用于多種電子設計場景。作為電子工程師,在使用這些器件時,需要深入了解其特性和參數,結合具體的應用需求進行合理設計,以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。你在實際應用中是否遇到過類似器件的設計難題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經驗和見解。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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