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汽車(chē)功率MOSFET模塊NXV08H300DT1:高效可靠的汽車(chē)電子解決方案

h1654155282.3538 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:陳翠 ? 2025-11-28 15:25 ? 次閱讀
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汽車(chē)功率MOSFET模塊NXV08H300DT1:高效可靠的汽車(chē)電子解決方案

在汽車(chē)電子領(lǐng)域,功率MOSFET模塊的性能對(duì)于系統(tǒng)的效率和可靠性起著至關(guān)重要的作用。今天,我們就來(lái)深入了解一下安森美(onsemi)的汽車(chē)功率MOSFET模塊NXV08H300DT1,看看它有哪些獨(dú)特的特性和優(yōu)勢(shì)。

文件下載:onsemi NXV08H300DT1 MOSFET模塊.pdf

產(chǎn)品概述

NXV08H300DT1是一款專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)的2相MOSFET模塊,在客戶(hù)端,通過(guò)將2相輸出功率端子組合,該模塊可用作1/2橋MOSFET模塊。它采用了電氣隔離的DBC基板,具有較低的熱阻(Rthjc),緊湊的設(shè)計(jì)使得模塊總電阻較低,并且支持模塊序列化,具備完全可追溯性。該模塊通過(guò)了AQG324認(rèn)證,內(nèi)部組件分別符合AEC Q101(MOSFET)和AEC Q200(無(wú)源元件)標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)符合UL 94V - 0標(biāo)準(zhǔn),是無(wú)鉛且符合RoHS指令的環(huán)保產(chǎn)品。

方框圖


封裝尺寸

產(chǎn)品特性與優(yōu)勢(shì)

特性

  1. 電氣隔離DBC基板:有效降低熱阻,提高散熱效率,確保模塊在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。
  2. 緊湊設(shè)計(jì):減少了模塊的占用空間,降低了總電阻,有助于提高系統(tǒng)的整體效率。
  3. 模塊序列化:方便生產(chǎn)管理和質(zhì)量追溯,提高了產(chǎn)品的可靠性和可維護(hù)性。
  4. 高認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn):通過(guò)多項(xiàng)汽車(chē)級(jí)認(rèn)證,保證了產(chǎn)品在汽車(chē)環(huán)境中的可靠性和穩(wěn)定性。

優(yōu)勢(shì)

  1. 節(jié)能環(huán)保:能夠?qū)崿F(xiàn)小型、高效和可靠的系統(tǒng)設(shè)計(jì),有助于降低車(chē)輛的燃油消耗和CO?排放。
  2. 簡(jiǎn)化裝配:為車(chē)輛裝配提供了便利,減少了裝配時(shí)間和成本。
  3. 低熱阻與低電感:通過(guò)直接安裝在散熱器上,利用熱界面材料降低了結(jié)到散熱器的熱阻,同時(shí)低電感特性有助于減少開(kāi)關(guān)損耗,提高系統(tǒng)性能。

應(yīng)用領(lǐng)域

NXV08H300DT1主要應(yīng)用于48V逆變器和48V牽引系統(tǒng),為汽車(chē)的電動(dòng)化和智能化發(fā)展提供了有力支持。

詳細(xì)規(guī)格

訂購(gòu)信息

該產(chǎn)品采用APM17 - MDC封裝,工作環(huán)境溫度范圍為 - 40°C至125°C,采用管裝包裝方式,并且是無(wú)鉛和符合RoHS指令的。

引腳配置與描述

產(chǎn)品共有17個(gè)引腳,每個(gè)引腳都有特定的功能,例如Q1 - Q4的柵極和源極檢測(cè)引腳、B +檢測(cè)引腳、NTC熱敏電阻引腳以及相輸出引腳等。對(duì)于3相電機(jī)逆變器,兩個(gè)相輸出引腳可以用作一個(gè)相輸出。

電氣特性

在25°C的結(jié)溫下,該模塊具有一系列重要的電氣特性參數(shù):

  • 擊穿電壓:漏源擊穿電壓(BVDSS)在特定條件下有相應(yīng)的數(shù)值。
  • 閾值電壓:柵源閾值電壓(VGS(th))范圍為2V至4.6V。
  • 二極管電壓:源漏二極管電壓(VSD)典型值為0.79V,最大值為1.1V。
  • 導(dǎo)通電阻:Q1、Q2(高端)MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))典型值為0.65mΩ,最大值為0.765mΩ;Q3、Q4(低端)MOSFET的導(dǎo)通電阻典型值為0.46mΩ,最大值為0.58mΩ。

動(dòng)態(tài)和開(kāi)關(guān)特性

在25°C的結(jié)溫下,該模塊的動(dòng)態(tài)和開(kāi)關(guān)特性表現(xiàn)如下:

  • 輸入電容:輸入電容(Ciss)為30 - 150pF。
  • 輸出電容:輸出電容(Coss)為4 - 505pF。
  • 反向傳輸電容:反向傳輸電容(Crss)為77pF。
  • 開(kāi)關(guān)時(shí)間:開(kāi)通時(shí)間(ton)為710ns,關(guān)斷時(shí)間(toff)為898ns等。

熱特性

  • 熱阻:結(jié)到外殼的熱阻(Rthjc)對(duì)于單個(gè)逆變器FET(Q1、Q2、Q3、Q4)有相應(yīng)的典型值和最大值。
  • 溫度檢測(cè):NTC熱敏電阻在25°C、1mA電流下的電壓范圍為7.5V至12V。

隔離電壓

在3kV交流電壓下測(cè)試1秒,泄漏電流最大值為250μA,確保了模塊的電氣隔離性能。

機(jī)械特性

  • 平整度:器件平整度最大為150μm。
  • 安裝扭矩:推薦安裝扭矩為0.7Nm,范圍在0.4Nm至1.4Nm之間。
  • 重量:約為23.7g。

典型特性曲線(xiàn)

文檔中還提供了多個(gè)典型特性曲線(xiàn),包括未鉗位電感開(kāi)關(guān)能力、飽和特性、導(dǎo)通電阻與柵極電壓和溫度的關(guān)系、歸一化柵極閾值電壓與溫度的關(guān)系、歸一化漏源擊穿電壓與結(jié)溫的關(guān)系、電容與漏源電壓的關(guān)系、柵極電荷與漏源電壓的關(guān)系、安全工作區(qū)、傳輸特性和體二極管電流等曲線(xiàn)。這些曲線(xiàn)能夠幫助工程師更好地了解模塊在不同條件下的性能表現(xiàn),從而進(jìn)行更優(yōu)化的設(shè)計(jì)。

總結(jié)

NXV08H300DT1作為一款高性能的汽車(chē)功率MOSFET模塊,憑借其出色的特性和優(yōu)勢(shì),在48V逆變器和48V牽引系統(tǒng)等汽車(chē)應(yīng)用中具有廣闊的前景。電子工程師在進(jìn)行汽車(chē)電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí),可以充分考慮該模塊的各項(xiàng)特性,結(jié)合實(shí)際應(yīng)用需求,實(shí)現(xiàn)高效、可靠的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。大家在使用過(guò)程中遇到過(guò)哪些類(lèi)似模塊的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享。

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